Abbildung: Beispiel: Ergebnis der
Implantation von Bor mit 100 keV in die Geometrie nach
Abb. 3.3 unter einem Winkel von 
mittels
Monte-Carlo Methode.
Abbildung: Beispiel: Ergebnis der
Implantation von Bor mit 100 keV in die Geometrie nach
Abb. 3.3 unter einem Winkel von mittels
analytischer Methode.
Hier wird die Implantation in die Struktur von
Abb. 3.3 (Silizium mit Oxyd-Maske) unter einem
Winkel von gerechnet. Es wird Bor mit einer Energie von 100
keV implantiert. Die Ergebnisse sind in Abb. 3.9
und Abb 3.10 zu sehen.
Auch in diesem Beispiel ergeben sich signifikante Unterschiede in den Resultaten zwischen der Monte-Carlo (siehe Abb. 3.9) und der analytischen Berechnung (vgl. Abb. 3.10). So ist zum Beispiel die laterale Verbreiterung des Profiles in der Monte-Carlo Simulation wesentlich größer, als sie vom analytischen Simulator vorhergesagt wird.
Wie bereits in Abschnitt 3.5.1 besprochen wurde, zeigt sich auch hier die Erhöhung der Konzentration an der Oberfläche des Substrates in der Nähe der Maskenkante. Die Eindringtiefe und überhaupt das vertikale Dotierungsprofil stimmen zwar recht gut mit den Monte-Carlo Ergebnissen überein, die laterale Verteilung der Konzentration vor allem in der Nähe der Grenzfläche zwischen der Maske und dem Substrat ist aber sehr unterschiedlich. Die laterale Ausweitung kann mit dem Modell nach [Bar93] mit Gl. 3.33 wesentlich verbessert werden.