Die Trockenätzverfahren stehen im Mittelpunkt bei der Strukturübertragung in der Halbleiterfertigung, weil durch ihre Anwendung ein hoher Grad an Anisotropie und damit eine sehr genaue Übertragung der Maskenstruktur erzielt werden kann. Im Gegensatz zum naßchemischen Ätzen verwendet man Gase, die meist in Gasentladungen (Plasmen) dissoziert werden, um Neutralteilchen und Ionen zu erzeugen, welche Oberflächenreaktionen ausführen, sie katalysieren oder das Material rein physikalisch abtragen. In einigen Fällen werden auch Ionenstrahlen benutzt.
Die Wahl der Ätzgase, des Druckbereiches und der Elektrodenkonfiguration führt auf verschiedenste Ätzverfahren, der Ätzangriff kann dabei physikalischer, chemischer oder kombiniert chemisch-physikalischer Natur sein (Abbildung 4.2).