R. Ross, S. Svensson, and P. Lugli, Pseudomorphic HEMT Technology and Applications.
Dordrecht-Boston-London: Kluwer Academic Publisher, 1996.

T. Mimura, ``The Early History of the High Electron Mobility Transistor (HEMT),'' IEEE Trans.Microwave Theory and Techniques, vol. 50, no. 3, pp. 780-782, 2002.

T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, and K. Nanbu, ``A New Field-Effect Transistor with Selectively Doped GaAs/n-Al$ _{x}$Ga$ _{1-x}$As Heterojunctions,'' Jpn.J.Appl.Phys., vol. 19, no. 5, pp. L225-L227, 1980.

T. Mimura, K. Joshin, S. Hiyamizu, K. Hikosaka, and M. Abe, ``High Electron Mobility Transitor Logic,'' Jpn.J.Appl.Phys., vol. 20, no. 8, pp. L598-L600, 1981.

J. Orton, The Story of Semiconductors.
Oxford: Oxford University Press, 2004.

C. Weisbuch and B. Vinter, Quantum Semiconductor Structures.
San Diego: Academic Press, 1991.

K. Duh, C. Chao, P. Ho, A. Tessmer, J. Liu, Y. Kao, M. Smith, and M. Ballingall, ``W-Band InGaAs HEMT Low Noise Amplifiers,'' IEEE Intl. Microwave Symp. Dig., vol. 1, pp. 595-598, 1990.

M. Khan, A. Bhattarai, J. Kuznia, and D. Olson, ``High Electron Mobility Transistor Based on a GaN-Al$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N Heterojunction,'' Appl.Phys.Lett., vol. 63, no. 9, pp. 1214-1215, 1993.

S. Mohammad and H. Morkoc, ``Base Transit Time of GaN/InGaN Heterojunction Bipolar Transistors,'' J.Appl.Phys., vol. 78, no. 6, pp. 4200-4205, 1995.

F. Conti and M. Conti, ``Surface Breakdown in Silicon Planar Diodes Equipped with Field Plate,'' Solid-State Electron., vol. 15, no. 1, pp. 93-105, 1972.

R. Thompson, T. Prunty, V. Kaper, and J. Shealy, ``Performance of the AlGaN HEMT Structure With a Gate Extension,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 51, no. 2, pp. 292-295, 2004.

K. Makiyama, T. Ohki, M. Kanamura, K. Imanishi, N. Hara, and T. Kikkawa, ``High-f $ _\ensuremath{\mathrm{max}}$ GaN HEMT with High Breakdown Voltage over 100 V for Millimeter-Wave Applications,'' Phys.stat.sol.(a), vol. 204, no. 6, pp. 2054-2058, 2007.

L. Shen, S. Heikman, B. Moran, R. Coffie, N. Zhang, D. Buttari, I. Smorchkova, S. Keller, S. DenBaars, and U. Mishra, ``AlGaN/AlN/GaN High-Power Microwave HEMT,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 22, no. 10, pp. 457-459, 2001.

N. Maeda, T. Saito, K. Tsubaki, T. Nishida, and N. Kobayashi, ``Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN Single- and Double-Heterostructure Field Effect Transistors,'' Mat.Sci.Eng.B, vol. 82, no. 1-3, pp. 232-237, 2001.

M. Khan, Q. Chen, C. Sun, J. Yang, M. Blasingame, M. Shur, and H. Park, ``Enhancement and Depletion Mode GaN/AlGaN Heterostructure Field Effect Transistors,'' Appl.Phys.Lett., vol. 68, no. 4, pp. 514-516, 1996.

Y. Cai, Y. Zhou, K. Chen, and K. Lau, ``High-Performance Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs Using Fluoride-Based Plasma Treatment,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 26, no. 7, pp. 435-438, 2005.

V. Kumar, A. Kuliev, T. Tanaka, Y. Otoki, and I. Adesida, ``High Transconductance Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs on SiC Substrate,'' Electron.Lett., vol. 39, no. 24, pp. 1758-1760, 2003.

T. Mizutani, M. Ito, S. Kishimoto, and F. Nakamura, ``AlGaN/GaN HEMTs With Thin InGaN Cap Layer for Normally Off Operation,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 7, pp. 549-552, 2007.

R. Quay, Gallium Nitride Electronics.
Berlin-Heidelberg: Springer, 2008.

D. Meharry, R. Lander, K. Chu, L. Gunter, and K. Beach, ``Multu-Watt Wideband MMICs in GaN and GaAs,'' IEEE Intl. Microwave Symp. Dig., pp. 631-634, 2007.

Y. Lee and Y. Jeong, ``A High Efficiency Class-E GaN HEMT Power Amplifier for WCDMA Applications,'' IEEE Mircowave and Wireless Comp. Lett., vol. 17, no. 8, pp. 622-624, 2007.

K. Krishnamurty, J. Martin, B. Landberg, R. Vetury, and M. Poulton, ``Wideband 400 W Pulsed Power GaN HEMT Amplifiers,'' IEEE Intl. Microwave Symp. Dig., pp. 303-306, 2008.

N. Lopez, J. Hoversten, M. Poulton, and Z. Popovic, ``A 65-W High-Efficiency UHF GaN Power Amlifier,'' IEEE Intl. Microwave Symp. Dig., pp. 65-68, 2008.

S. Hong, Y. Woo, I. Kim, J. Moon, H. Kim, J. Lee, and B. Kim, ``High Efficiency GaN HEMT Power Amplifier Optimized for OFDM EER Transmitter,'' IEEE Intl. Microwave Symp. Dig., pp. 1247-1250, 2007.

K. Yamanaka, K. Mori, K. Iyomasa, H. Ohtsuka, H. noto, M. Nakayama, Y. Kamo, and Y. Isota, ``C-Band GaN HEMT Power Amplifier with 220W Output Power,'' IEEE Intl. Microwave Symp. Dig., pp. 1251-1254, 2007.

T. Yamamoto, E. Mitani, K. Inoue, M. Nishi, and S. Sano, ``A 9.5-10.5 GHz 60W AlGaN/GaN HEMT for X-Band High Power Application,'' Proc. European Microwave Integr. Circuit Conf., pp. 173-175, 2007.

M. Kao, C. Lee, R. Hajji, P. Saunier, and H. Tserng, ``AlGaN/GaN HEMTs with PAE of 53% at 35 GHz for HPA and Multi-Function MMIC Applications,'' IEEE Intl. Microwave Symp. Dig., pp. 627-629, 2007.

J. Moon, D. Wong, M. Hu, P. Hashimoto, M. Antcliffe, C. McGuire, M. Micovic, and P. Willadson, ``55% PAE and High Power Ka-Band GaN HEMTs With Linearized Transconductance via n+ GaN Source Contact Ledge,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 29, no. 8, pp. 834-837, 2008.

R. Kemerley, H. Wallaca, and M. Yoder, ``Impact of Wide Bandgap Microwave Devices on DoD Systems,'' Proc.IEEE, vol. 90, no. 6, pp. 1059-1064, 2002.

J. Ender, H. Wilden, U. Nickel, R. Klemm, A. Brenner, T. Eibert, and D. Nussler, ``Progress in Phased-Array Radar Applications,'' European Radar Conference, pp. 113-117, 2004.

Y. Mancuso, P. Gremillet, and P. Lacomme, ``T/R- Modules Technological and Technical Trends for Phased Array Antennas,'' IEEE Intl. Microwave Symp. Dig., pp. 614-618, 2005.

M. Ludwig, C. Buck, F. Coromina, and M. Suess, ``Status and Trends for Space-Borne Phased Array Radar,'' IEEE Intl. Microwave Symp. Dig., pp. 1619-1622, 2005.

T. Kachi, ``GaN Power Devices for Automotive Applications,'' in Tech.Dig. IEEE Compound Semiconductor IC Symp., pp. 1-4, 2007.

G. Steinhoff, M. Hermann, W. Schaff, L. Eastman, M. Stutzmann, and M. Eickhoff, ``pH Response of GaN Surfaces and its Application for pH-Sensitive Field-Effect Transistors,'' Appl.Phys.Lett., vol. 83, no. 1, pp. 177-179, 2003.

B. Kang, F. Ren, B. Gila, C. Abernahty, and S. Pearton, ``AlGaN/GaN-Based Metal-Oxide-Semiconductor Diode-Based Hydrogen Gas Sensor,'' Appl.Phys.Lett., vol. 84, no. 7, pp. 1127-1130, 2004.

G. Mueller, G. Kreotz, and J. Schalk, ``New Sensors for Automotive and Aerospace Applications,'' Phys.stat.sol.(a), vol. 185, no. 1, pp. 1-14, 2001.

Y. Liu, P. Ruden, J. Xie, H. Morkoc, and K. Son, ``Effect of Hydrostatic Pressure on the DC Characteristics of AlGaN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors,'' Appl.Phys.Lett., vol. 88, pp. 013505-1-013505-3, 2006.

M. Eickhoff, O. Ambacher, G. Kroetz, and M. Stutzmann, ``Piezoresistivity of Al$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N Layers and Al$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N/GaN Heterostructures,'' J.Appl.Phys., vol. 90, no. 7, pp. 3383-3386, 2001.

M. Micovic, T. Tsen, M. Hu, P. Hashimoto, P. Willadsen, I. Milosavljevic, A. Schmitz, M. Antcliffe, D. Zhender, J. Moon, W. Wong, and D. Chow, ``GaN Enhancement/Depletion-Mode FET Logic for Mixed Signal Applications,'' Electron.Lett., vol. 41, no. 19, pp. 1081-1083, 2005.

A. Endoh, Y. Yamashita, K. Ikeda, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, ``Non-Recessed-Gate Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with High RF Performance,'' Jpn.J.Appl.Phys., vol. 43, no. 4B, pp. 2255-2258, 2004.

Y. Liu, T. Egawa, and H. Jiang, ``Enhancement-Mode Quaternary AlInGaN/GaN HEMT with Non-Recessed-Gate on Sapphire Substrate,'' Electron.Lett., vol. 42, no. 15, pp. 884-886, 2006.

J. Moon, D. Wong, T. Hussain, M. Micovic, P. Deelman, H. Ming, M. Antcliffe, C. Ngo, P. Hashimoto, and L. McCray, ``Submicron Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs,'' in Device Research Conf.Dig., pp. 23-24, 2002.

J. Moon, S. Wu, D. Wong, I. Milosavljevic, A. Conway, P. Hashimoto, M. Hu, M. Antcliffe, and M. Micovic, ``Gate-Recessed AlGaN-GaN HEMTs for High-Performance Millimeter-Wave Applications,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 26, no. 6, pp. 348-350, 2005.

S. Maroldt, C. Haupt, W. Pletschen, S. Mueller, R. Quay, O. Ambacher, C. Schippel, and F. Schwierz, ``Gate-Recessed AlGaN/GaN Based Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors for High Frequency Operation,'' Jpn.J.Appl.Phys., vol. 48, no. 4, p. 04C083(3), 2009.

H. Okita, K. Kaifu, J. Mita, T. Yamada, Y. Sano, H. Ishikawa, T. Egawa, and T. Jimbo, ``High Transconductance AlGaN/GaN-HEMT with Recessed Gate on Sapphire Substrate,'' Phys.stat.sol.(a), vol. 200, no. 1, pp. 187-190, 2003.

W. Lanford, T. Tanaka, Y. Otoki, and I. Adesida, ``Recessed-Gate Enhancement-Mode GaN HEMT with High Threshold Voltage,'' Electron.Lett., vol. 41, no. 7, pp. 449-450, 2005.

T. Nanjo, N. Miura, T. Oishi, M. Suita, Y. Abe, T. Ozeki, S. Nakatsuka, A. Inoue, T. Ishikawa, Y. Matsuda, H. Ishikawa, and T. Egawa, ``Improvement of DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors by Thermally Annealed Ni/Pt/Au Schottky Gate,'' Jpn.J.Appl.Phys., vol. 43, no. 4B, pp. 1952-1929, 2004.

J. Liu, Y. Zhou, J. Zhu, Y. Cai, K. Lau, and K. J. Chen, ``DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN/InGaN/GaN Double-heterojunction HEMTs,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 54, no. 1, pp. 2-11, 2007.

T. Palacios, C. Suh, A. Chakraborty, S. Keller, S. DenBaars, and U. Mishra, ``High-Performance E-Mode AlGaN/GaN HEMTs,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 27, no. 6, pp. 428-430, 2006.

N. Ikeda, K. Kato, J. Li, K. Hataya, and S. Yoshida, ``Normally-off Operation GaN HFET Using a Thin AlGaN Layer for Low Loss Switching Devices,'' Proc.MRS, vol. 831, pp. 355-360, 2005.

Y. Ohmaki, M. Tanimoto, S. Akamatsu, and T. Mukai, ``Enhancement-Mode AlGaN/AlN/GaN High Electron Mobility Transistor with Low On-State Resistance and High Breakdown Voltage,'' Jpn.J.Appl.Phys., vol. 45, no. 44, pp. L1168-L1170, 2006.

X. Hu, G. Simin, J. Yang, M. Khan, R. Gaska, and M. Shur, ``Enhancement Mode AlGaN/GaN HFET with Selectively Grown pn Junction Gate,'' Electron.Lett., vol. 36, no. 8, pp. 753-754, 2000.

M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui, ``Enhancement-Mode AlN/GaN HFETs Using Cat-CVD SiN,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 54, no. 6, pp. 1566-1570, 2007.

Y. Cai, Y. Zhou, K. Lau, and K. Chen, ``Control of Threshold Voltage of AlGaN/GaN HEMTs by Fluoride-Based Plasma Treatment: From Depletion Mode to Enhancement Mode,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 53, no. 9, pp. 2207-2215, 2006.

S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, ``Highly p-Typed Mg-Doped GaN Films Grown with GaN Buffer Layers,'' Jpn.J.Appl.Phys., vol. 30, Part 2, no. 10A, pp. L1708-L1711, 1991.

A. Khan, J. Kuznia, D. Olson, W. Schaff, J. Burm, and M. Shur, ``Microwave Performance of a 0.25 $ \mu$m Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor,'' Appl.Phys.Lett., vol. 65, no. 9, pp. 1121-1123, 1994.

K. Kasahara, H. Miyamoto, Y. Ando, Y. Okamoto, T. Nakayama, and M. Kuzuhara, ``Ka-Band 2.3 W Power AlGaN/GaN Heterojunction FET,'' in IEDM Tech.Dig., pp. 677-680, 2002.

M. Higashiwaki, T. Mimura, and T. Matsui, Millimeter-Wave GaN HFET Technology, vol. 6894.

K. Shinohara, I. Milosavljevic, S. Burnham, A. Corrion, P. Hashimoto, D. Wong, M. Hu, C. Butler, A. Schmitz, P. Willadsen, K. Boutros, H. Kazemi, and M. Micovic, ``60-nm GaN/AlGaN DH-HEMTs with 1.0 $ \Omega\cdot$mm R $ _\ensuremath{\mathrm{on}}$, 2.0 A/mm I $ _\ensuremath{\mathrm{dmax}}$, and 153 GHz f $ _\ensuremath{\mathrm{T}}$,'' Device Research Conf.Dig., pp. 167-168, 2009.

J. Chung, W. Hoke, E. Chumbes, and T. Palacios, ``AlGaN/GaN HEMT with 300-GHz f $ _\ensuremath{\mathrm{max}}$,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 31, no. 3, pp. 195-197, 2010.

P. Kordos, M. Mikulics, A. Fox, D. Gregusova, K. Cico, J. Carlin, M. Grandjean, J. Novak, and K. Frohlich, ``RF Performance of InAlN/GaN HFETs and MOSHFETs with $ f_\ensuremath {\mathrm {t}}$$ \times $ $ L_{\mathrm{g}}$ up to 21 GHz$ \cdot \mu$m,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 31, no. 3, pp. 180-182, 2010.

J. Kuzmik, ``Power Electronics on InAlN/(In)GaN: Prospect for a Record Performance,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 22, no. 11, pp. 510-513, 2001.

H. Sun, A. Alt, H. Benedickter, E. Feltin, J. Carlin, M. Gonschorek, N. Grandjean, and C. Bolognesi, ``100-nm-Gate (Al,In)N/GaN HEMTs Grown on SiC with $ f_\ensuremath {\mathrm {t}}$=144 GHz,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 31, no. 4, pp. 293-295, 2010.

Y.-F. Wu, B. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. Denbaars, and U. Mishra, ``Measured Microwave Power Performance of AlGaN/GaN MODFET,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 17, no. 9, pp. 455-457, 1996.

Y.-F. Wu, M. Moore, A. Saxler, T. Wisleder, and P. Parikh, ``40-W/mm Double Field-Plated GaN HEMTs,'' in Device Research Conf.Dig., pp. 151-152, 2006.

Y. Wu, S. Wood, R. Smith, S. Sheppard, S. Allen, P. Parikh, and J. Milligan, ``An Internally-Matched GaN HEMT Amplifier with 550-Watt Peak Power at 3.5 GHz,'' in IEDM Tech.Dig., pp. 1-3, 2006.

Y. Wu, B. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. Denbaars, and U. Mishra, ``Very High Breakdown Voltage and Large Transconductance Realized on GaN Heterojunction Field Effect Transistors,'' Appl.Phys.Lett., vol. 69, no. 10, pp. 1438-1440, 1996.

N.-Q. Zhang, S. Keller, G. Parish, S. Heikman, S. DenBaars, and U. Mishra, ``High Breakdown GaN HEMT with Overlapping Gate Structure,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 21, no. 9, pp. 421-423, 2000.

Y. Dora, A. Chakraborty, L. McCarthy, S. Keller, S. DenBaars, and U. Mishra, ``High Breakdown Voltage Achieved on AlGaN/GaN HEMTs with Integrated Slant Field Plates,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 27, no. 9, pp. 713-715, 2006.

T. Egawa, T. Suzue, and S. Selvaraj, ``Breakdown Enhancement of AlGaN/GaN HEMTs on 4-in Silicon by Improving the GaN Quality on Thick Buffer Layers,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 30, no. 6, pp. 587-589, 2009.

Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, and T. Mimura, ``Pseudomorphic In$ _{0.52}$Al$ _{0.48}$As/In$ _{0.7}$Ga$ _{0.3}$As HEMTs with an Ultrahigh $ f_\ensuremath {\mathrm {t}}$ of 562 GHz,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 23, no. 10, pp. 573-575, 2002.

K. Shinohara, Y. Yamashita, A. Endoh, K. Hikosaka, T. Matsui, T. Mimura, and S. Hiyamizu, ``Ultrahigh-Speed Pseudomorphic InGaAs/InAlAs HEMTs with 400-GHz Cutoff Frequency,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 22, no. 11, pp. 507-509, 2001.

K. Lee, Y. Kim, Y. Hong, and Y. Jeong, ``35-nm Zigzag T-Gate In$ _{0.52}$Al$ _{0.48}$As/In$ _{0.53}$Ga$ _{0.47}$As Metamorphic GaAs HEMTs With an Ultrahigh f $ _\ensuremath{\mathrm{max}}$ of 520 GHz,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 8, pp. 672-675, 2007.

K. Elgaid, H. McLelland, M. Holland, D. Moran, C. Stanley, and I. Thayne, ``50-nm T-Gate Metamorphic GaAs HEMTs with $ f_\ensuremath {\mathrm {t}}$ of 440 GHz and Noise Figure of 0.7 dB at 26 GHz,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 26, no. 11, pp. 784-786, 2005.

K. Su, W. Hsu, C. Lee, T. Wu, Y. Wu, L. Chang, R. Hsiao, J. Chen, and T. Chi, ``A Novel Dilute Antimony Channel In$ _{0.2}$Ga$ _{0.8}$AsSb/GaAs HEMT,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 2, pp. 96-99, 2007.

H. Lin, T. Yang, H. Sharifi, S. Kim, Y. Xuan, T. Shen, S. Mohammadi, and P. Ye, ``Enhancement-Mode GaAs Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors with Atomic Layer Deposited Al$ _2$O$ _3$ as Gate Dielectric,'' Appl.Phys.Lett., vol. 91, no. 21, p. 212101, 2007.

K. Lee, H. Lin, F. Lee, H. Huang, and Y. Wang, ``Improved Microwave and Noise Performance of InAlAs/InGaAs Metamorphic High-Electron-Mobility Transistor with a Liquid Phase Oxidized InGaAs Gate without Gate Recess,'' Appl.Phys.Lett., vol. 96, no. 20, p. 203506, 2010.

L. McCarthy, P. Kozodoy, M. Rodwell, S. DenBaars, and U. Mishra, ``AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistor,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 20, no. 6, pp. 277-279, 1999.

F. Ren, C. Abernathy, J. V. Hove, P. Chow, R. Hickman, J. Klaasen, R. Kopf, H. Cho, K. Jung, J. L. Roche, R. Wilson, J. Han, R. Shul, A. Baca, and S. Pearton, ``300$ ^\circ$C GaN/AlGaN Heterojunction Bipolar Transistor,'' MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., vol. 3, 1998.

D. Lambert, D. Lin, and R. Dupuis, ``Simulation of the Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors,'' Solid-State Electron., vol. 44, no. 2, pp. 253-257, 2000.

D. Pulfrey and S. Fathpour, ``Performance Predictions for n-p-n Al$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N/GaN HBTs,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 48, no. 3, pp. 597-602, 2001.

C. Monier, R. Fan, H. Jung, C. Ping-Chih, R. Shul, L. Kyu-Pil, Z. Anping, A. Baca, and S. Pearton, ``Simulation of npn and pnp AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors Performances: Limiting Factors and Optimum Design,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 48, no. 3, pp. 427-432, 2001.

E. Alekseev and D. Pavlidis, ``DC and High-Frequency Performance of AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors,'' Solid-State Electron., vol. 44, no. 2, pp. 245-252, 2000.

F. Ren, J. Han, R. Hickman, J. V. Hove, P. Chow, J. Klaassen, J. L. Roche, K. Jung, H. Cho, X. Cao, S. Donovan, R. Kopf, R. Wilson, A. Baca, R. Shul, L. Zhang, C. Willison, C. Abernathy, and S. Pearton, ``GaN/AlGaN HBT Fabrication,'' Solid-State Electron., vol. 44, no. 2, pp. 239-244, 2000.

B. Shelton, J. Huang, D. Lambert, T. Zhu, M. Wong, C. Eiting, H. Kwon, M. Feng, and R. Dupuis, ``AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Metal Organic Chemical Vapour Deposition,'' Electron.Lett., vol. 36, no. 1, pp. 80-81, 2000.

B. Shelton, D. Lambert, J. Jian, M. Wong, U. Chowdhury, G. Ting, H. Kwon, Z. Liliental-Weber, M. Benarama, M. Feng, and R. Dupuis, ``Selective Area Growth and Characterization of AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 48, no. 3, pp. 490-494, 2001.

L. McCarthy, I. Smorchkova, X. Huili, P. Kozodoy, P. Fini, J. Limb, D. Pulfrey, J. Speck, M. Rodwell, S. DenBaars, and U. Mishra, ``GaN HBT: toward an RF Device,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 48, no. 3, pp. 543-551, 2001.

J. Huang, M. Hattendorf, M. Feng, D. Lambert, B. Shelton, M. Wong, U. Chowdhury, T. Zhu, H. Kwon, and R. Dupuis, ``Temperature Dependent Common Emitter Current Gain and Collector-Emitter Offset Voltage Study in AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 22, no. 4, pp. 157-159, 2001.

L. McCarthy, I. Smorchkova, P. Fini, M. Rodwell, I. Speck, S. DenBaars, and U. Mishra, ``Small Signal RF Performance of AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors,'' Electron.Lett., vol. 38, no. 3, pp. 144-145, 2002.

K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, ``pnp AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors Operating at 300$ ^\circ$C,'' Phys.stat.sol.(a), vol. 194, no. 2, pp. 443-446, 2002.

H. Xing, P. Chavarkar, S. Keller, S. DenBaars, and U. Mishra, ``Very High Voltage Operation ($ >330$ V) with High Current Gain of AlGaN/GaN HBTs,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 24, no. 3, pp. 141-143, 2003.

H. Xing, D. Jena, M. Rodwell, and U. Mishra, ``Explanation of Anomalously High Current Gain Observed in GaN Based Bipolar Transistors,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 24, no. 1, pp. 4-6, 2003.

K. Kumakura, Y. Yamauchi, and T. Makimoto, ``High Power Operation of pnp AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors,'' Phys.stat.sol.(c), vol. 2, no. 7, pp. 2589-2592, 2005.

K. Kumakura and T. Makimoto, ``Carrier Transport Mechanisms of pnp AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors,'' Appl.Phys.Lett., vol. 92, no. 9, p. 093504(3), 2008.

K. Hsueh, Y. Hsin, J. Sheu, W. Lai, C. Tun, C. Hsu, and B. Lin, ``Effects of Leakage Current and Schottky-Like Ohmic Contact on the Characterization of Al$ _{0.17}$Ga$ _{0.83}$N/GaN HBTs,'' Solid-State Electron., vol. 51, no. 7, pp. 1073-1078, 2007.

K. Kumakura and T. Makimoto, ``High-Temperature Characteristics up to 590$ ^\circ$C of a pnp AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistor,'' Appl.Phys.Lett., vol. 94, no. 10, p. 103502(3), 2009.

T. Makimoto, K. Kumakura, and N. Kobayashi, ``High Current Gains Obtained by InGaN/GaN Double Heterojunction Bipolar Transistors with p-InGaN Base,'' Appl.Phys.Lett., vol. 79, no. 3, pp. 380-381, 2001.

S. Mohammad, A. Salvador, and H. Morkoc, ``Emerging Galium Nitride Based Devices,'' Proc.IEEE, vol. 83, no. 10, pp. 1306-1355, 1995.

S. Chiu, A. Anwar, and S. Wu, ``Base Transit Time in Abrupt GaN/InGaN/GaN HBT's,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 47, no. 4, pp. 662-666, 2000.

T. Makimoto, K. Kumakura, and N. Kobayashi, ``n-AlGaN/p-InGaN/n-GaN Heterojunction Bipolar Transistors for High Power Operation,'' Phys.stat.sol.(c), vol. 0, no. 1, pp. 95-98, 2003.

T. Makimoto, K. Kumakura, and N. Kobayashi, ``High Current Gain ($ >2000$) of GaN/InGaN Double Heterojunction Bipolar Transistors Using Base Regrowth of p-InGaN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 83, no. 5, pp. 1035-1037, 2003.

T. Makimoto, Y. Yamauchi, and K. Kumakura, ``High-Power Characteristics of GaN/InGaN Double Heterojunction Bipolar Transistors,'' Appl.Phys.Lett., vol. 84, no. 11, pp. 1964-1966, 2004.

J. Li, D. Keogh, S. Raychaudhuri, A. Conway, D. Qiao, and P. Asbeck, ``Analysis of High DC Current Gain Structures for GaN/InGaN/GaN HBTs,'' Intl. J. of High Speed Electronics and Systems, vol. 14, no. 3, pp. 825-830, 2004.

D. Keogh, P. Asbeck, T. Chung, J. Limb, D. Yoo, J. Ryou, W. Lee, S. Shen, and R. Dupuis, ``High Current Gain InGaN/GaN HBTs with 300$ ^\circ$C Operating Temperature,'' Electron.Lett., vol. 42, no. 11, p. 661(2), 2006.

T. Chung, D. Keogh, J.-H. Ryou, D. Yoo, J. Limb, W. Lee, S.-C. Shen, P. Asbeck, and R. Dupuis, ``High Current Gain Graded GaN/InGaN Heterojunction Bipolar Transistors Grown on Sapphire and SiC Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,'' J.Cryst.Growth, vol. 298, pp. 852-856, 2007.

S. Shen, Y. Lee, H. Kim, Y. Zhang, S. Choi, R. Dupuis, and J. Ryou, ``Surface Leakage in GaN/InGaN Double Heterojunction Bipolar Transistors,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 30, no. 11, pp. 1119-1121, 2009.

A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto, ``Low-Temperature Characteristics of the Current Gain of GaN/InGaN Double-Heterojunction Bipolar Transistors,'' J.Cryst.Growth, vol. 311, no. 10, pp. 3000-3002, 2009.

K. Kumakura, A. Nishikawa, and T. Makimoto, ``High Breakdown Field of pnp GaN/InGaN/AlGaN DHBTs with AlGaN Collector,'' Phys.stat.sol.(a), vol. 204, no. 6, pp. 2037-2041, 2007.

K. Brennan, E. Bellotti, M. Farahmand, H.-E. Nilsson, P. Ruden, and Y. Zhang, ``Monte Carlo Simulation of Noncubic Symmetry Semiconducting Materials and Devices,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 47, no. 10, pp. 1882-1890, 2000.

J. Albrecht, R. Wang, and P. Ruden, ``Electron Transport Characteristics of GaN for High Temperature Device Modeling,'' J.Appl.Phys., vol. 83, no. 9, pp. 4777-4781, 1998.

S. Yamakawa, R. Akis, N. Faralli, M. Saraniti, and S. Goodnick, ``Rigid Ion Model of High Field Transport in GaN,'' J.Phys.:Condensed Matter, vol. 21, no. 17, p. 174206(16), 2009.

M. Farahmand and K. Brennan, ``Comparison between Wurtzite Phase and Zincblende Phase GaN MESFETs Using a Full Band Monte Carlo Simulation,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 47, no. 3, pp. 493-497, 2000.

S. Yamakawa, S. Aboud, M. Saraniti, and S. Goodnick, ``Influence of the Electron$ –$Phonon Interaction on Electron Transport in Wurtzite GaN,'' Semicond.Sci.Technol., vol. 19, no. 4, pp. S475-S477, 2004.

F. Sacconi, A. Di Carlo, P. Lugli, and H. Morkoc, ``Spontaneous and Piezoelectric Polarization Effects on the Output Characteristics of AlGaN/GaN Heterojunction Modulation Doped FETs,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 48, no. 3, pp. 450-457, 2001.

T.-H. Yu and K. Brennan, ``Theoretical Study of a GaN-AlGaN High Electron Mobility Transistor Including a Nonlinear Polarization Model,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 50, no. 2, pp. 315-323, 2003.

D. Herbert, M. Uren, B. Hughes, D. Hayes, J. Birbeck, R. Balmer, T. Martin, G. Crow, R. Abram, M. Walmsley, R. Davies, R. Wallis, W. Phillips, and S. Jones, ``Monte Carlo Simulations of AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors (HFETs),'' J.Phys.:Condensed Matter, vol. 14, no. 13, pp. 3479-3497, 2002.

T. Sadi, R. Kelsall, and N. Pilgrim, ``Investigation of Self-Heating Effects in Submicrometer GaN/AlGaN HEMTs Using an Electrothermal Monte Carlo Method,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 53, no. 12, pp. 2892-2900, 2006.

J. Mateos, S. Pérez, D. Pardo, and T. González, ``High Frequency Noise in GaN HEMTs,'' Noise and Fluctuations: 20th Intl.Conf. on Noise and Fluctuations (ICNF-2009), vol. 1129, no. 1, pp. 237-240, 2009.

Y. Tomita, H. Ikegami, and H. Fujishiro, ``Monte Carlo Study of High-Field Electron Transport Characteristics in AlGaN/GaN Heterostructure Considering Dislocation Scattering,'' Phys.stat.sol.(c), vol. 4, no. 7, pp. 2695-2699, 2007.


M. Auf der Maur, M. Povolotskyi, F. Sacconi, A. Pecchia, G. Romano, G. Penazzi, and A. Di Carlo, ``TiberCAD: Towards Multiscale Simulation of Optoelectronic Devices,'' in Intl. Conf. Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, pp. 43-44, Sept. 2008.


L. Chen, O. Guy, M. Jennings, P. Igic, S. Wilks, and P. Mawby, ``Study of a Novel Si/SiC Hetero-Junction MOSFET,'' Solid-State Electron., vol. 51, no. 5, pp. 662-666, 2007.


D. Lin, J. Wu, J. Zheng, and C. Lin, ``Optical Characterization of Al$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N/GaN High Electron Mobility Transistor Structures,'' Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, vol. 40, no. 5, pp. 1763-1765, 2008.


Genius Semiconductor Device Simulator, User's Guide 2008.

W. Saito, M. Kuraguchi, Y. Takada, K. Tsuda, I. Omura., and T. Ogura, ``Influence of Surface Defect Charge at AlGaN-GaN-HEMT upon Schottky Gate Leakage Current and Breakdown Voltage,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 52, no. 2, pp. 159-164, 2005.

N. Braga, R. Mickevicius, R. Gaska, X. Hu, M. S. Shur, M. A. Khan, G. Simin, and J. Yang, ``Simulation of Hot Electron and Quantum Effects in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors,'' J.Appl.Phys., vol. 95, no. 11, pp. 6409-6413, 2004.

W. Hu, X. Chen, Z. Quan, C. Xia, W. Lu, and P. Ye, ``Self-Heating Simulation of GaN-based Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors Including Hot Electron and Quantum Effects,'' J.Appl.Phys., vol. 100, no. 7, p. 074501, 2006.

S. Karmalkar and U. Mishra, ``Enhancement of Breakdown Voltage in AlGaN/GaN High Mobility Transistors Using a Field Plate,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 48, no. 8, pp. 1515-1521, 2001.

J. Tirado, J. Sanchez-Rojas, and J. Izpura, ``Trapping Effects in the Transient Response of AlGaN/GaN HEMT Devices,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 54, no. 3, pp. 410-417, 2007.

S. Kumar, A. Agrawal, R. Chaujar, S. Kabra, M. Gupta, and R. Gupta, ``Threshold Voltage Model for Small Geometry AlGaN/GaN HEMTs Based on Analytical Solution of 3-D Poisson's Equation,'' Microelectronics Journal, vol. 38, no. 10-11, pp. 1013-1020, 2007.

R. Deutschmann, Entwicklung eines physikalischen HFET - Modells: Parameterextraktion und Verifikation.
Dissertation, Technische Universität Wien, 1995.

T. Simlinger, Simulation von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren.
Dissertation, Technische Universität Wien, 1996.

H. Brech, Optimization of GaAs Based High Electron Mobility Transistors by Numerical Simulations.
Dissertation, Technische Universität Wien, 1998.

V. Palankovski, Simulation of Heterojunction Bipolar Transistors.
Dissertation, Technische Universität Wien, 2000.

R. Quay, Analysis and Simulation of High Electron Mobility Transistors.
Dissertation, Technische Universität Wien, 2001.

V. Palankovski and R. Quay, Analysis and Simulation of Heterostructure Devices.
Wien, New York: Springer, 2004.

A. Reklaitis and L. Reggiani, ``Monte Carlo Study of Hot-Carrier Transport in Bulk Wurtzite GaN and Modeling of a Near-Terahertz Impact Avalanche Transit Time Diode,'' J.Appl.Phys., vol. 95, no. 2, pp. 7925-7935, 2004.

T. Li, R. Joshi, and C. Fazi, ``Monte Carlo Evaluations of Degeneracy and Interface Roughness Effects on Electron Transport in AlGaN-GaN Heterostructures,'' J.Appl.Phys., vol. 88, no. 2, pp. 829-837, 2000.

G. Kokolakis, J. Gleize, A. Cardo, and P. Lugli, ``Exciton Interaction with Piezoelectric and Polar Optical Phonons in Bulk Wurtzite GaN,'' Semicond.Sci.Technol., vol. 19, no. 4, pp. 460-462, 2004.

B. Ridley, Quantum Processes in Semiconductors.
Oxford University Press, third ed., 1993.

M. Littlejohn, J. Hauser, and T. Glisson, ``Monte Carlo Calculation of the Velocity-Field Relationship for Gallium Nitride,'' Appl.Phys.Lett., vol. 26, no. 11, pp. 625-627, 1975.

B. Gelmont, K. Kim, and M. Shur, ``Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Gallium Nitride,'' J.Appl.Phys., vol. 74, no. 3, pp. 1818-1821, 1993.

N. Mansour, K. Kim, and M. Littlejohn, ``Theoretical Study of Electron Transport in Gallium Nitride,'' J.Appl.Phys., vol. 77, no. 6, pp. 2834-2836, 1995.

J. Kolnik, I. Oguzman, K. E. Brennan, R. Wang, P. Ruden, and Y. Wang, ``Electronic Transport Studies of Bulk Zincblende and Wurtzite Phases of GaN Based on an Ensemble Monte Carlo Calculation Including a Full Zone Band Structure,'' J.Appl.Phys., vol. 78, no. 2, pp. 1033-1038, 1995.

U. Bhapkar and M. Shur, ``Monte Carlo Calculation of Velocity-Field Characteristics of Wurtzite GaN,'' J.Appl.Phys., vol. 82, no. 4, pp. 1649-1655, 1997.

B. Foutz, L. Eastman, U. Bhapkar, and M. Shur, ``Comparison of High Field Electron Transport in GaN and GaAs,'' Appl.Phys.Lett., vol. 70, no. 21, pp. 2849-2851, 1997.

S. O'Leary, B. Foutz, M. Shur, U. Bhapkar, and L. Eastman, ``Electron Transport in Wurtzite Indium Nitride,'' J.Appl.Phys., vol. 83, no. 2, pp. 826-829, 1998.

B. Foutz, S. O'Leary, M. Shur, and L. Eastman, ``Transient Electron Transport in Wurtzite GaN, InN, and AlN,'' J.Appl.Phys., vol. 85, no. 11, pp. 7727-7734, 1999.

J. Cao and X. Lei, ``Nonparabolic Multivalley Balance-Equation Approach to Impact Ionization: Application to Wurtzite GaN,'' The European Phys. Journal B, vol. 7, no. 1, pp. 79-83, 1999.

Y. Ando, W. Contrata, N. Samoto, H. Miyamoto, K. Matsunaga, M. Kuzuhara, K. Kunihiro, K. Kasahara, T. Nakayama, Y. Takahashi, N. Hayama, and Y. Ohno, ``Gate Length Scaling for Al$ _{0.2}$Ga$ _{0.8}$N/GaN HJFETs: Two-Dimensional Full Band Monte Carlo Simulation Including Polarization Effect,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 47, no. 10, pp. 1965-1972, 2000.

M. Farahmand, C. Garetto, E. Bellotti, K. Brennan, M. Goano, E. Ghillino, G. Ghione, J. Albrecht, and P. Ruden, ``Monte Carlo Simulation of Electron Transport in the III-Nitride Wurtzite Phase Materials System: Binaries and Ternaries,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 48, no. 3, pp. 535-542, 2001.

T.-H. Yu and K. Brennan, ``Monte Carlo Calculation of Two-Dimensional Electron Dynamics in GaN-AlGaN Heterostructures,'' J.Appl.Phys., vol. 91, no. 6, pp. 3730-3737, 2002.

R. Brazis and R. Raguotis, ``Additional Phonon Modes and Close Satellite Valleys Crucial for Electron Transport in Hexagonal Gallium Nitride,'' J.Appl.Phys., vol. 85, no. 4, pp. 609-611, 2004.

S. O'Leary, B. Foutz, M. Shur, and L. Eastman, ``Steady-State and Transient Electron Transport Within the III-V Nitride Semiconductors, GaN, AlN, and InN: A Review,'' Journal of Materials Science: Materials in Electronics, vol. 17, no. 2, pp. 87-126, 2006.

S. Chen and G. Wang, ``High-Field Properties of Carrier Transport in Bulk Wurtzite GaN: A Monte Carlo Perspective,'' J.Appl.Phys., vol. 103, no. 2, p. 023703(6), 2008.

T. Deguchi, D. Ichiryu, K. Toshikawa, K. Sekiguchi, T. Sota, R. Matsuo, T. Azuhata, M. Yamaguchi, T. Yagi, S. Chichibu, and S. Nakamura, ``Structural and Vibrational Properties of GaN,'' J.Appl.Phys., vol. 86, no. 4, pp. 1860-1866, 1999.

V. Palankovski, A. Marchlewski, E. Ungersboeck, and S. Selberherr, ``Identification of Transport Parameters for Gallium Nitride Based Semiconductor Devices,'' in Proc. MATHMOD, pp. 14-1-14-9, 2006.

V. Savastenko and A. Sheleg, ``Study of the Elastic Properties of Gallium Nitride,'' Phys.stat.sol.(a), vol. 48, no. 2, pp. 135-144, 1978.

Y. Takagi, M. Ahart, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, and S. Nakamura, ``Brillouin Scattering Study in the GaN Epitaxial Layer,'' Physica B, vol. 219-220, no. 9, pp. 547-549, 1996.

A. Polian, M. Grimsditch, and I. Gregory, ``Elastic Constants of Gallium Nitride,'' J.Appl.Phys., vol. 79, no. 6, pp. 3343-3344, 1996.

R. Schwarz, K. Khachaturyan, and E. Weber, ``Elastic Moduli of Gallium Nitride,'' Appl.Phys.Lett., vol. 70, no. 9, pp. 1122-1124, 1997.

M. Yamaguchi, T. Yagi, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, S. Chichinu, and S. Nakamura, ``Brillouin Scattering Study of Gallium Nitride: Elastic Stiffness Constants,'' J.Phys.:Condensed Matter, vol. 9, no. 1, pp. 241-248, 1997.

C. Deger, E. Born, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hornstein, E. Riha, and G. Fischerauer, ``Sound Velocity of Al$ _x$Ga$ _{1-x}$N Thin Films Obtained by Surface Acoustic-Wave Measurements,'' Appl.Phys.Lett., vol. 72, no. 19, pp. 2400-2402, 1998.

T. Azuhata, T. Sota, and K. Suzuki, ``Elastic Constants of III-V Compound Semiconductors: Modification of Keyes' Relation,'' J.Phys.:Condensed Matter, vol. 8, no. 18, pp. 3111-3119, 1996.

K. Kim, W. Lambrecht, and B. Segall, ``Elastic Constants and Related Properties of Tetrahedrally Bonded BN, AlN, GaN, and InN,'' Phys.Rev.B, vol. 53, no. 24, pp. 16310-16326, 1996.

A. Wright, ``Elastic Properties of Zinc-Blende and Wurtzite AlN, GaN, and InN,'' J.Appl.Phys., vol. 82, no. 6, pp. 2833-2839, 1997.

K. Shimada, T. Sota, and K. Suzuki, ``First-Principles Study on Electronic and Elastic Properties of BN, AIN and GaN,'' J.Appl.Phys., vol. 84, no. 9, pp. 4951-4959, 1998.

G. O'Clock and M. Duffy, ``Acoustic Surface Wave Properties of Epitaxially Grown Aluminum Nitride and Gallium Nitride on Sapphire,'' Appl.Phys.Lett., vol. 23, no. 2, pp. 55-56, 1973.

I. Guy, S. Muensit, and E. Goldys, ``Extensional Piezoelectric Coefficients of Gallium Nitride and Aluminium Nitride,'' Appl.Phys.Lett., vol. 75, no. 26, pp. 4133-4136, 1999.

F. Bernardini and V. Fiorentini, ``Spontaneous Polarization and Piezoelectric Constants of III-V Nitrides,'' Phys.Rev.B, vol. 56, no. 16, pp. R10024-R10027, 1997.

A. Bykhovski, B. Gelmont, and M. Shur, ``Elastic Strain Relaxation and Piezoeffect in GaN-AlN, GaN-AlGaN and GaN-InGaN Superlattices,'' J.Appl.Phys., vol. 81, no. 9, pp. 6332-6338, 1997.

A. Zoroddu, F. Bernardi, P. Ruggerone, and V. Fiorentini, ``First-principles Prediction of Structure, Energetics, Formation Enthalpy, Elastic Constants, Polarization, and Piezoelectric Constants of AlN, GaN, and InN: Comparison of Local and Gradient-Corrected Density-Functional Theory,'' Phys.Rev.B, vol. 64, no. 4, p. 45208(6), 2001.

F. Schwierz, ``An Electron Mobility Model for Wurtzite GaN,'' Solid-State Electron., vol. 49, no. 6, pp. 889-895, 2005.

V. Chin, T. Tansley, and T. Osotchan, ``Electron Mobilities in Gallium, Indium, and Aluminum Nitrides,'' J.Appl.Phys., vol. 75, no. 11, pp. 7365-7372, 1994.

D. K. Gaskill, L. Rowland, and K. Doverspike, ``Electrical Transport Properties of AlN, GaN and AlGaN,'' Properties of Group III Nitrides. EMIS Datareviews Series, vol. 11, pp. 101-116, 1995.

K. Köhler, S. M. N. Rollbühler, R. Kiefer, R. Quay, and G. Weimann, ``Multiwafer Epitaxy of AlGaN/GaN Heterostructures for Power Applications,'' in Proc. Intl.Symp. Compound Semiconductors, pp. 235-238, 2003.

D. Zanato, N. Balkan, G. Hill, and W. Schaff, ``Energy and Momentum Relaxation of Electrons in Bulk and 2D GaN,'' Superlattices & Microstructures, vol. 36, no. 4-6, pp. 455-463, 2004.

M. Shur and R. Gaska, ``Physics of GaN-based Heterostructure Field Effect Transistors,'' in Tech.Dig. IEEE Compound Semiconductor IC Symp., pp. 137-140, Oct. 2005.

R. Joshi, ``Temperature-Dependent Electron Mobility in GaN: Effects of Space Charge and Interface Roughness Scattering,'' Appl.Phys.Lett., vol. 64, no. 2, pp. 223-225, 1994.

W. Götz, N. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, and W. Imler, ``Activation Energies of Si Donors in GaN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 68, no. 22, pp. 3144-3146, 1996.

M. Wraback, H. Shen, J. Carrano, T. Li, J. Campbell, M. Schurman, and I. Ferguson, ``Time-Resolved Electroabsorption Measurement of the Electron Velocity-Field Characteristic in GaN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 76, no. 9, pp. 1155-1157, 2000.

J. Barker, R. Akis, D. Ferry, S. Goodnick, T. Thornton, D. Koleske, A. Wickenden, and R. Henry, ``High-Field Transport Studies of GaN,'' Physica B, vol. 314, pp. 39-41, 2002.

M. Wraback, H. Shen, J. Carrano, C. Collins, J. Campbell, R. Dupuis, M. Schurman, and I. Ferguson, ``Time-Resolved Electroabsorption Measurement of the Transient Electron Velocity Overshoot in GaN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 79, no. 9, pp. 1303-1305, 2001.

L. Ardaravicius, M. Ramonas, J. Liberis, O. Kiprijanovic, A. Matulionis, J. Xie, M. Wu, J. H. Leach, and H. Morkoc, ``Electron Drift Velocity in Lattice-Matched AlInN/AlN/GaN Channel at High Electric Fields,'' J.Appl.Phys., vol. 106, no. 7, p. 073708(5), 2009.

U. Bhapkar and M. Shur, ``Monte Carlo Calculation of Velocity-field Characteristics of Wurtzite GaN,'' J.Appl.Phys., vol. 82, pp. 1649-1655, 1997.

H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, ``p-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI),'' Jpn.J.Appl.Phys., vol. 28, no. Part 2, No. 12, pp. L2112-L2114, 1989.

E. Ejder and P. O. Fagerström, ``Photoconductivity of Zn-doped GaN,'' J.Phys.Chem. Solids, vol. 36, no. 4, pp. 289-292, 1975.

P. Bergman, G. Ying, B. Monemar, and P. O. Holtz, ``Time-Resolved Spectroscopy of Zn- and Cd-Doped GaN,'' J.Appl.Phys., vol. 61, no. 9, pp. 4589-4592, 1987.

M. Ilegems and R. Dingle, ``Luminescence of Be- and Mg-Doped GaN,'' J.Appl.Phys., vol. 44, no. 9, pp. 4234-4235, 1973.

S. Strite and H. Morkoç, ``GaN, AlN, and InN: A Review,'' J.Vac.Sci.Technol.B, vol. 10, no. 4, pp. 1237-1266, 1992.

S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, ``Hole Compensation Mechanism of P-Type GaN Films,'' Jpn.J.Appl.Phys., vol. 31, no. 5A, pp. 1258-1266, 1992.

I. Akasaki, H. Amano, M. Kito, and K. Hiramatsu, ``Photoluminescence of Mg-Doped p-Type GaN and Electroluminescence of GaN p-n Junction LED,'' J. of Luminescence, vol. 48-49, no. 2, pp. 666-670, 1991.

A. Bhattacharyya, W. Li, J. Cabalu, T. Moustakas, D. Smith, and R. Hervig, ``Efficient p-Type Doping of GaN Films by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy,'' Appl.Phys.Lett., vol. 85, no. 21, pp. 4956-4958, 2004.

D. Green, E. Haus, F. Wu, L. Chen, U. Mishra, and J. Speck, ``Polarity Control During Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg-Doped GaN,'' J.Vac.Sci.Technol.B, vol. 21, no. 4, pp. 1804-1812, 2003.

P. Kozodoy, H. Xing, S. DenBaars, U. K. Mishra, A. Saxler, R. Perrin, S. Elhamri, and W. C. Mitchel, ``Heavy Doping Effects in Mg-Doped GaN,'' J.Appl.Phys., vol. 87, no. 4, pp. 1832-1835, 2000.

U. Kaufmann, P. Schlotter, H. Obloh, K. Köhler, and M. Maier, ``Hole Conductivity and Compensation in Epitaxial GaN:Mg Layers,'' Phys.Rev.B, vol. 62, no. 16, pp. 10867-10872, 2000.

D. Lancefield and H. Eshghi, ``Temperature-Dependent Hole Transport in GaN,'' J.Phys.:Condensed Matter, vol. 13, no. 40, pp. 8939-8944, 2001.

M. L. Nakarmi, K. H. Kim, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, ``Enhanced p-Type Conduction in GaN and AlGaN by Mg-$ \delta$-Doping,'' Appl.Phys.Lett., vol. 82, no. 18, pp. 3041-3043, 2003.

E. F. Schubert, W. Grieshaber, and I. D. Goepfert, ``Enhancement of Deep Acceptor Activation in Semiconductors by Superlattice Doping,'' Appl.Phys.Lett., vol. 69, no. 24, pp. 3737-3739, 1996.

P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, ``Enhanced Mg Doping Efficiency in Al$ _{0.1}$Ga$ _{0.8}$N/GaN Superlattices,'' Appl.Phys.Lett., vol. 74, no. 24, pp. 3681-3683, 1999.

L. Hsu and W. Walukiewicz, ``Theoretical Transport Studies of p-Type GaN/AlGaN Modulation-Doped Heterostructures,'' Appl.Phys.Lett., vol. 74, no. 17, pp. 2405-2407, 1999.

E. Waldron, J. Graff, and E. Schubert, ``Improved Mobilities and Resistivities in Modulation-Doped p-Type AlGaN/GaN Superlattices,'' Appl.Phys.Lett., vol. 79, no. 17, pp. 2737-2739, 2001.

I. D. Goepfert, E. F. Schubert, A. Osinsky, P. E. Norris, and N. N. Faleev, ``Experimental and Theoretical Study of Acceptor Activation and Transport Properties in p-Type Al$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N/GaN Superlattices,'' J.Appl.Phys., vol. 88, no. 4, pp. 2030-2038, 2000.

Q. Zheng, Y. Yin, L. Zhu, J. Huang, X. Li, and B. Liu, ``Tailoring the Hole Concentration in Superlattices Based on Nitride Alloys,'' Appl.Phys.Lett., vol. 94, no. 22, p. 222104(3), 2009.

K. Kim, W. Lambrecht, B. Segall, and M. van Schilfgaarde, ``Effective Masses and Valence-Band Splittings in GaN and AlN,'' Phys.Rev.B, vol. 56, no. 12, pp. 7363-7375, 1997.

A. Kasic, M. Schubert, S. Einfeldt, D. Hommel, and T. Tiwald, ``Free-Carrier and Phonon Properties of n- and p-Type Hexagonal GaN Films Measured by Infrared Ellipsometry,'' Phys.Rev.B, vol. 62, no. 11, pp. 7365-7377, 2000.

I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, ``Band Parameters for III-V Compound Semiconductors and Their Alloys,'' J.Appl.Phys., vol. 89, no. 11, pp. 5815-5875, 2001.

B. Santic, ``On the Hole Effective Mass and the Free Hole Statistics in Wurtzite GaN,'' Semicond.Sci.Technol., vol. 18, no. 4, pp. 219-224, 2003.

A. Salvador, G. Liu, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoç, ``Properties of a Si Doped GaN/AlGaN Single Quantum Well,'' Appl.Phys.Lett., vol. 67, no. 22, pp. 3322-3324, 1995.

J. S. Im, A. Moritz, F. Steuber, V. Härle, F. Scholz, and A. Hangleiter, ``Radiative Carrier Lifetime, Momentum Matrix Element, and Hole Effective Mass in GaN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 70, no. 5, pp. 631-633, 1997.

A. Kasic, M. Schubert, B. Rheinländer, V. Riede, S. Einfeldt, D. Hommel, B. Kuhn, J. Off, and F. Scholz, ``Effective Carrier Mass and Mobility versus Carrier Concentration in $ p$- and $ n$-type $ \alpha$-GaN Determined by Infrared Ellipsometry and Hall Resistivity Measurements,'' Mat.Sci.Eng.B, vol. 82, no. 1-3, pp. 74-76, 2001.

C. Rodrigues, A. Vasconcellos, and R. Luzzi, ``Nonlinear Hole Transport and Nonequilibrium Thermodynamics in Group III-Nitrides under the Influence of Electric Fields,'' J.Appl.Phys., vol. 102, no. 7, p. 073714(7), 2007.

J. Wu, W. Walukiewicz, W. Shan, K. Yu, J. A. III, E. Haller, H. Lu, and W. Schaff, ``Effects of the Narrow Band Gap on the Properties of InN,'' Phys.Rev.B, vol. 66, no. 20, p. 201403(4), 2002.

V. Davydov, A. Klochikhin, V. Emtsev, S. Ivanov, V. Vekshin, F. Bechstedt, J. Furthmueller, H. Harima, A. Mudryi, A. Hashimoto, A. Yamamoto, J. Aderhold, J. Graul, and E. Haller, ``Band Gap of InN and In-Rich In$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N Alloys (0.36 $ <$ x $ <$ 1),'' Phys.stat.sol.(b), vol. 230, no. 02, pp. R4-R6, 2002.

T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, , and E. Kurimoto, ``Optical Bandgap Energy of Wurtzite InN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 81, no. 7, pp. 1246-1248, 2002.

W. Lambrecht and B. Segall, Properties of Group III Nitrides.
INSPEC, London, 1994: EMIS Datareviews Series, 1994.

D. Fritsch, H. Schmidt, and M. Grundmann, ``Band Dispersion Relations of Zinc-Blende and Wurtzite InN,'' Phys.Rev.B, vol. 69, no. 16, p. 165204(5), 2004.

S. Vitanov and V. Palankovski, ``Monte Carlo Study of Electron Transport of InN,'' in Springer Proceedings in Physics, Vol. 119, pp. 97-100, Springer-Verlag, 2008.

V. Polyakov and F. Schwierz, ``Nonparabolicity Effect on Bulk Transport Properties in Wurtzite InN,'' J.Appl.Phys., vol. 99, no. 11, p. 113705(6), 2006.

B. Nag, ``Electron Mobility in Indium Nitride,'' J.Cryst.Growth, vol. 269, pp. 35-40, 2004.

S. OLeary, B. Foutz, M. Shur, U. Bhapkar, and L. Eastman, ``Electron Transport in Wurtzite Indium Nitride,'' J.Appl.Phys., vol. 83, no. 02, pp. 826-829, 1998.

E. Bellotti, B. Doshi, K. Brennan, J. Albrecht, and P. Ruden, ``Ensemble Monte Carlo Study of Electron Transport in Wurtzite InN,'' J.Appl.Phys., vol. 85, no. 2, pp. 916-923, 1999.

Z. Yarar, ``Transport and Mobility Properties of Wurtzite InN and GaN,'' Phys.stat.sol.(b), vol. 244, no. 10, pp. 3711-3718, 2007.

L. Hsu, R. Jones, S. Li, K. Yu, and W. Walukiewicz, ``Electron Mobility in InN and III-N Alloys,'' J.Appl.Phys., vol. 102, no. 7, p. 073705(6), 2007.

S. Vitanov, M. Nedjalkov, and V. Palankovski, ``A Monte Carlo Model of Piezoelectric Scattering in GaN,'' Lecture Notes in Computer Science, vol. 4310, pp. 197-204, 2007.

A. Sheleg and V. Savastenko, ``Izv. Akad. Nauk. SSSR,'' Neorg. Mater, vol. 15, p. 1598, 1979.

S. Wang and H. Ye, ``First-Principles Study on Elastic Properties and Phase Stability of III–V Compounds,'' Phys.stat.sol.(b), vol. 240, pp. 45-54, 2003.

F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, ``Spontaneous Polarization and Piezoelectric Constants of III-V Nitrides,'' Phys.Rev.B, vol. 56, no. 16, pp. R10024-R10027, 1997.

V. Polyakov and F. Schwierz, ``Low-Field Electron Mobility in Wurtzite InN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 88, no. 03, p. 032101(3), 2006.

T. Tansley and C. Foley, ``Electron Mobility in Indium Nitride,'' Electron.Lett., vol. 20, no. 25, pp. 1066-1068, 1984.

A. Yamamoto, T. Shin-ya, T. Sugiura, and A. Hashimoto, ``Characterization of MOVPE-Grown InN Layers on $ \alpha$-Al$ _2$O$ _3$ and GaAs Substrates,'' J.Cryst.Growth, vol. 189/190, pp. 461-465, 1998.

L. Dmowski, J. Plesiewicz, T. Suski, H. Lu, W. Schaff, M. Kurouchi, Y. Nanishi, L. Konczewicz, V. Cimalla, and O. Ambacher, ``Resonant Localized Donor State above the Conduction Band Minimum in InN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 86, no. 26, p. 262105(3), 2005.

C. Bulutay and B. Ridley, ``Theoretical Assessment of Electronic Transport in InN,'' Superlattices & Microstructures, vol. 36, pp. 465-471, 2004.

J. Furthmüller, P. Hahn, F. Fuchs, and F. Bechstedt, ``Band Structures and Optical Spectra of InN Polymorphs: Influence of Quasiparticle and Excitonic Effects,'' Phys.Rev.B, vol. 72, no. 20, p. 205106(14), 2005.

I. Mahboob, T. Veal, C. McConville, H. Lu, and W. Schaff, ``Intrinsic Electron Accumulation at Clean InN Surfaces,'' Phys.Rev.Letters, vol. 92, no. 3, p. 036804(4), 2004.

S. Li, K. Yu, J. Wu, R. Jones, W. Walukiewicz, J. Ager, W. Shan, E. Haller, H. Lu, and W. Schaff, ``Fermi-Level Stabilization Energy in Group III Nitrides,'' Phys.Rev.B, vol. 71, no. 16, p. 161201(4), 2005.

R. Jones, K. Yu, S. Li, W. Walukiewicz, J. Ager, E. Haller, H. Lu, and W. Schaff, ``Evidence for p-Type Doping of InN,'' Phys.Rev.Letters, vol. 96, no. 12, p. 125505(4), 2006.

P. A. Anderson, C. H. Swartz, D. Carder, R. J. Reeves, S. M. Durbin, S. Chandril, and T. H. Myers, ``Buried p-Type Layers in Mg-Doped InN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 89, no. 18, p. 184104(3), 2006.

X. Wang, S. Che, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, ``Growth and Properties of Mg-Doped In-Polar InN Films,'' Appl.Phys.Lett., vol. 90, no. 20, p. 201913(3), 2007.

X. Wang, S. Che, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, ``Hole Mobility in Mg-Doped p-Type InN Films,'' Appl.Phys.Lett., vol. 92, no. 13, p. 132108(3), 2008.

A. Klochikhin, V. Davydov, V. Emtsev, A. Sakharov, V. Kapitonov, B. Andreev, H. Lu, and W. Schaff, ``Acceptor States in the Photoluminescence Spectra of n-InN,'' Phys.Rev.B, vol. 71, no. 19, p. 195207(16), 2005.

M. Fujiwara, Y. Ishitani, X. Wang, S. Che, and A. Yoshikawa, ``Infrared Analysis of Hole Properties of Mg-Doped p-Type InN Films,'' Appl.Phys.Lett., vol. 93, no. 23, p. 231903(3), 2008.

L. Dmowski, M. Baj, T. Suski, J. Przybytek, R. Czernecki, X. Wang, A. Yoshikawa, H. Lu, W. Schaff, D. Muto, and Y. Nanishi, ``Search for Free Holes in InN:Mg-Interplay between Surface Layer and Mg-Acceptor Doped Interior,'' J.Appl.Phys., vol. 105, no. 12, p. 123713(5), 2009.

S. O'Leary, B. Foutz, M. Shur, U. Bhapkar, and L. Eastman, ``Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Wurtzite Aluminum Nitride,'' Solid-State Comm., vol. 105, no. 10, pp. 621-626, 1998.

C. Bulutay, ``Electron Initiated Impact Ionization in AlGaN Alloys,'' Semicond.Sci.Technol., vol. 17, no. 10, pp. L59-L62, 2002.

K. Tsubouchi and N. Mikoshiba, ``Zero-Temperature-Coefficient SAW Devices on AlN Epitaxial Films,'' IEEE Trans.Sonics Ultrason., vol. 32, no. 5, pp. 634-644, 1985.

L. McNeil, M. Grimsditch, and R. French, ``Vibrational Spectroscopy of Aluminum Nitride,'' J. American Ceramic Soc., vol. 76, no. 5, pp. 1132-1138, 1993.

R. Kato and J. Jama, ``First-Principles Calculation of the Elastic Stiffness Tensor of Aluminium Nitride under High Pressure,'' J.Phys.:Condensed Matter, vol. 6, no. 38, pp. 7617-7632, 1994.

E. Ruiz, S. Alvarez, and P. Alemany, ``Electronic Structure and Properties of AlN,'' Phys.Rev.B, vol. 49, no. 11, pp. 7115-7123, 1994.

G. Bu, D. Ciplys, M. Shur, L. Schowalter, S. Schujman, and R. Gaska, ``Electromechanical Coupling Coefficient for Surface Acoustic Waves in Single-Crystal Bulk Aluminium Nitride,'' Appl.Phys.Lett., vol. 84, no. 23, pp. 4611-4614, 2004.

M. Farahmand, C. Garetto, E. Bellotti, K. Brennan, M. Goano, E. Ghillino, G. Ghione, J. Albrecht, and P. Ruden, ``Monte Carlo Simulation of Electron Transport in the III-Nitride Wurtzite Phase Materials System: Binaries and Ternaries,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 48, no. 3, pp. 535-542, 2001.

C. Bulutay, B. Ridley, and N. Zakhleniuk, ``Electron Momentum and Energy Relaxation Rates in GaN and AlN in the High-Field Transport Regime,'' Phys.Rev.B, vol. 68, no. 11, p. 115205(7), 2003.

V. Chin, B. Zhou, T. Tansley, and X. Li, ``Alloy-Scattering Dependence of Electron Mobility in the Ternary Gallium, Indium, and Aluminum Nitrides,'' J.Appl.Phys., vol. 77, no. 11, pp. 6064-6066, 1995.

S. Smirnov, Physical Modeling of Electron Transport in Strained Silicon and Silicon-Germanium.
Dissertation, Technische Universität Wien, 2003.

B. Ridley, ``The Low-Field Electron Mobility in Bulk AlGaN,'' Phys.stat.sol.(a), vol. 176, no. 1, pp. 359-362, 1999.

E. Bellotti, F. Bertazzi, and M. Goano, ``Alloy Scattering in AlGaN and InGaN: A Numerical Study,'' J.Appl.Phys., vol. 101, no. 12, p. 123706(8), 2007.

D. Jena, S. Heikman, J. Speck, A. Gossard, U. Mishra, A. Link, and O. Ambacher, ``Magnetotransport Properties of a Polarization-Doped Three-Dimensional Electron Slab in Graded AlGaN,'' Phys.Rev.B, vol. 67, no. 15, p. 153306(4), 2003.

M. Akarsu, S. Aydogu, and O. Ozbas, ``Monte Carlo Calculation of Electron Transport Properties of Ga$ _{x}$In$ _{1-x}$N,'' Phys.stat.sol.(c), vol. 4, no. 2, pp. 664-666, 2007.

C. Jacoboni and L. Reggiani, ``The Monte Carlo Method for the Solution of Charge Transport in Semiconductors with Applications to Covalent Materials,'' Rev.Mod.Phys., vol. 55, no. 3, pp. 645-705, 1983.

D. Ventura, A. Gnudi, G. Baccarani, and F. Odeh, ``Multidimensional Spherical Harmonics Expansion of Boltzmann Equation for Transport in Semiconductors,'' Appl.Math.Lett., vol. 5, no. 3, pp. 85-90, 1992.

M. Vasicek, Advanced Macroscopic Transport Models.
Dissertation, Technische Universität Wien, 2009.

S. Selberherr, Analysis and Simulation of Semiconductor Devices.
Wien, New York: Springer, 1984.

G. Wachutka, ``Rigorous Thermodynamic Treatment of Heat Generation and Conduction in Semiconductor Device Modeling,'' IEEE Trans.Computer-Aided Design, vol. 9, no. 11, pp. 1141-1149, 1990.

M. Knaipp, Modellierung von Temperatureinflüssen in Halbleiterbauelementen.
Dissertation, Technische Universität Wien, 1998.

T. Grasser, Mixed-Mode Device Simulation.
Dissertation, Technische Universität Wien, 1999.

C. Fischer, Bauelementsimulation in einer computergestützten Entwurfsumgebung.
Dissertation, Technische Universität Wien, 1994.

L. Yu, Q. Liu, Q. Xing, D. Qiao, S. Lau, and J. Redwing, ``The Role of the Tunneling Component in the Current-Voltage Characteristics of Metal-GaN Schottky Diodes,'' J.Appl.Phys., vol. 84, no. 4, pp. 2099-2104, 1998.

J. Jang, S. Sohn, D. Kim, and T. Seong, ``Formation of Low-Resistance Transparent Ni/Au Ohmic Contacts to a Polarization Field-Induced p-InGaN/GaN Superlattice,'' Semicond.Sci.Technol., vol. 21, no. 5, p. 37, 2006.

Y. Liu, M. Kauser, M. Nathan, P. Ruden, S. Dogan, H. Morkoç, S. Park, and K. Lee, ``Effects of Hydrostatic and Uniaxial Stress on the Schottky Barrier Heights of Ga-Polarity and N-Polarity n-GaN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 84, no. 12, pp. 2112-2114, 2004.

V. Rangel-Kuoppa, S. Suihkonen, M. Sopanen, and H. Lipsanen, ``Metal Contacts on InN: Proposal for Schottky Contact,'' Jpn.J.Appl.Phys., vol. 45, no. 1A, pp. 36-39, 2006.

A. Schmitz, A. Ping, M. Khan, Q. Chen, J. Yang, and I. Adesida, ``Schottky Barrier Properties of Various Metals on n-Type GaN,'' Semicond.Sci.Technol., vol. 11, no. 10, p. 1464, 1996.

K. Tracy, P. Hartlieb, S. Einfeldt, R. Davis, E. Hurt, and R. Nemanich, ``Electrical and Chemical Characterization of the Schottky Barrier Formed between Clean n-GaN(0001) Surfaces and Pt, Au, and Ag,'' J.Appl.Phys., vol. 94, no. 6, pp. 3939-3948, 2003.

Z. Chen, S. Tan, Y. Sakai, and T. Egawa, ``Improved Performance of InAlN-Based Schottky Solar-Blind Photodiodes,'' Appl.Phys.Lett., vol. 94, no. 21, p. 213504, 2009.

E. Arslan, S. Altındal, S. Özcelik, and E. Ozbay, ``Tunneling Current via Dislocations in Schottky Diodes on AlInN/AlN/GaN Heterostructures,'' Semicond.Sci.Technol., vol. 24, no. 7, p. 075003, 2009.

L. Yu, D. Qiao, L. Jia, S. Lau, Y. Qi, and K. Lau, ``Study of Schottky Barrier of Ni on p-GaN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 79, no. 27, pp. 4536-4538, 2001.

J. Jang, D. Kim, and T. Seong, ``Schottky Barrier Characteristics of Pt Contacts to n-Type InGaN,'' J.Appl.Phys., vol. 99, no. 7, p. 073704, 2006.

D. Qiao, L. Yu, S. Lau, J. Redwing, J. Lin, and H. Jiang, ``Dependence of Ni/AlGaN Schottky Barrier Height on Al Mole Fraction,'' J.Appl.Phys., vol. 87, no. 2, pp. 801-804, 2000.

L. Yu, D. Qiao, Q. Xing, S. Lau, K. Boutros, and J. Redwing, ``Ni and Ti Schottky Barriers on n-AlGaN Grown on SiC Substrates,'' Appl.Phys.Lett., vol. 73, no. 2, pp. 238-240, 1998.

Y. Liu, T. Egawa, H. Jiang, B. Zhang, H. Ishikawa, and M. Hao, ``Near-Ideal Schottky Contact on Quaternary AlInGaN Epilayer Lattice-Matched with GaN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 85, no. 24, pp. 6030-6032, 2004.

D. Schroeder, Modelling of Interface Carrier Transport for Device Simulation.
Wien: Springer, 1994.

T. Simlinger, H. Brech, T. Grave, and S. Selberherr, ``Simulation of Submicron Double-Heterojunction High Electron Mobility Transistors with MINIMOS-NT,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 44, no. 5, pp. 700-707, 1997.

S. Davydov, ``Estimates of the Spontaneous Polarization and Permittivities of AlN, GaN, InN, and SiC Crystals,'' Phys.Sol.Stat., vol. 51, no. 6, pp. 1231-1235, 2009.

A. Barker and M. Ilegems, ``Infrared Lattice Vibrations and Free-Electron Dispersion in GaN,'' Phys.Rev.B, vol. 7, no. 2, pp. 743-750, 1973.

S. Adachi, ``Material Parameters of In$ _{1-x}$Ga$ _{x}$As$ _{y}$P$ _{1-y}$ and Related Binaries,'' J.Appl.Phys., vol. 53, no. 12, pp. 8775-8792, 1982.

S. Adachi, Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors.
Chichester: Wiley, 2008.

B. Kang, G. Louche, R. Duran, Y. Gnanou, S. Pearton, and F. Ren, ``Gateless AlGaN/GaN HEMT Response to Block Co-Polymers,'' Solid-State Electron., vol. 48, no. 5, pp. 851-854, 2004.

M. Yamaguchi, T. Yagi, T. Sota, T. Deguchi, K. Shimada, and S. Nakamura, ``Brillouin Scattering Study of Bulk GaN,'' J.Appl.Phys., vol. 85, no. 12, pp. 8502-8504, 1999.

M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur, Properties of Advanced Semiconductor Materials.
New York-Chichester-Weinheim-Brisbane-Singapore-Toronto: John Wiley & Sons, 2001.

G. Slack and T. McNelly, ``Growth of High Purity AlN Crystals,'' J.Cryst.Growth, vol. 34, no. 2, 1976.

E. Sichel and J. Pankove, ``Thermal Conductivity of GaN, 25-360 K,'' J.Phys.Chem. Solids, vol. 38, no. 3, pp. 330-330, 1977.

C. Mion, J. Muth, E. Preble, and D. Hanser, ``Thermal Conductivity, Dislocation Density and GaN Device Design,'' Superlattices & Microstructures, vol. 40, no. 4-6, pp. 338-342, 2006.

D. Florescu, V. Asnin, F. Pollak, A. Jones, J. Ramer, M. Schurman, and I. Ferguson, ``Thermal Conductivity of Fully and Partially Coalesced Lateral Epitaxial Overgrown GaN/Sapphire (0001) by Scanning Thermal Microscopy,'' Appl.Phys.Lett., vol. 77, no. 10, pp. 1464-1466, 2000.

J. Zou, D. Kotchetkov, A. Balandin, D. Florescu, and F. Pollak, ``Thermal Conductivity of GaN Films: Effects of Impurities and Dislocations,'' J.Appl.Phys., vol. 92, no. 5, pp. 2534-2539, 2002.

W. Liu and A. Balandin, ``Thermal Conduction in Al$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N Alloys and Thin Films,'' J.Appl.Phys., vol. 97, no. 7, p. 073710(6), 2005.

A. Jezowski, B. Danilchenko, M. Bockowski, I. Grzegory, S. Krukowski, T. Suski, and T. Paszkiewicz, ``Thermal Conductivity of GaN Crystals in 4.2-300 K range,'' Solid-State Comm., vol. 128, no. 2-3, pp. 69-73, 2003.

W. Liu and A. Balandin, ``Temperature Dependence of Thermal Conductivity of Al$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N Thin Films Measured by the Differential 3 Omega Technique,'' Appl.Phys.Lett., vol. 85, no. 22, pp. 5230-5232, 2004.

A. Jacquot, B. Lenoir, A. Dauscher, P. Verardi, F. Craciun, M. Stolzer, M. Gartner, and M. Dinescu, ``Optical and Thermal Characterization of AlN Thin Films Deposited by Pulsed Laser Deposition,'' Applied Surface Science, vol. 186, no. 1-4, pp. 507-512, 2002.

G. Slack, R. Tanzilli, R. Pohl, and J. Vandersande, ``The Intrinsic Thermal Conductivity of AIN,'' J.Phys.Chem. Solids, vol. 48, no. 7, pp. 641-647, 1987.

G. Slack, L. Schowalter, D. Morelli, and J. Freitas, ``Some Effects of Oxygen Impurities on AlN and GaN,'' J.Cryst.Growth, vol. 246, no. 3-4, pp. 287-298, 2002.

S. Krukowski, A. Witek, J. Adamczyk, J. Jun, M. Bockowski, I. Grzegory, B. Lucznik, G. Nowak, M. Wróblewski, A. Presz, S. Gierlotka, S. Stelmach, B. Palosz, S. Porowski, and P. Zinn, ``Thermal Properties of Indium Nitride,'' J.Phys.Chem. Solids, vol. 59, no. 3, pp. 289-295, 1998.

S. Adachi, ``Lattice Thermal Conductivity of Group-IV and III-V Semiconductor Alloys,'' J.Appl.Phys., vol. 102, no. 6, p. 063502, 2007.

B. Abeles, ``Lattice Thermal Conductivity of Disordered Semiconductor Alloys at High Temperatures,'' Phys.Rev., vol. 131, no. 5, pp. 1906-1911, 1963.

V. Palankovski, R. Schultheis, and S. Selberherr, ``Simulation of Power Heterojunction Bipolar Transistors on Gallium Arsenide,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 48, no. 6, pp. 1264-1269, 2001.

B. Daly, H. Maris, A. Nurmikko, M. Kuball, and J. Han, ``Optical Pump-and-Probe Measurement of the Thermal Conductivity of Nitride Thin Films,'' J.Appl.Phys., vol. 92, no. 7, pp. 3820-3824, 2002.

B. Pantha, R. Dahal, J. Li, J. Lin, H. Jiang, and G. Pomrenke, ``Thermoelectric Properties of In$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N Alloys,'' Appl.Phys.Lett., vol. 92, no. 4, p. 042112, 2008.

S. Yamaguchi, R. Izaki, K. Yamagiwa, K. Taki, Y. Iwamura, and A. Yamamoto, ``Thermal Diffusivity and Thermoelectric Figure of Merit of Al$ _{1-x}$In$ _{x}$N Prepared by Reactive Radio-Frequency Sputtering,'' Appl.Phys.Lett., vol. 83, no. 26, pp. 5398-5400, 2003.

R. Kremer, M. Cardona, E. Schmitt, J. Blumm, S. Estreicher, M. Sanati, M. Bockowski, I. Grzegory, T. Suski, and A. Jezowski, ``Heat Capacity of $ \alpha$-GaN : Isotope Effects,'' Phys.Rev.B, vol. 72, no. 7, p. 075209, 2005.

B. Danilchenko, T. Paszkiewicz, S. Wolski, A. Jezowski, and T. Plackowski, ``Heat Capacity and Phonon Mean Free Path of Wurtzite GaN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 89, no. 6, p. 061901, 2006.

J. Leitner, P. Marsik, D. Sedmidubsky, and K. Ruzicka, ``High Temperature Enthalpy, Heat Capacity and Other Thermodynamic Functions of Solid InN,'' J.Phys.Chem. Solids, vol. 65, no. 6, pp. 1127-1131, 2004.

I. Zieborak-Tomaszkiewicz, R. Swierzewski, and P. Gierycz, ``Heat Capacity of Indium Nitride,'' J. Th. Analysis and Calorimetry, vol. 91, no. 2, pp. 649-653, 2008.

Y. P. Varshni, ``Temperature dependence of the energy gap in semiconductors,'' Physica, (Utrecht), no. 34, pp. 149–-154, 1967.

Q. Guo and A. Yoshida, ``Temperature Dependence of Band Gap Change in InN and AlN,'' Jpn.J.Appl.Phys., vol. 33, no. 5A, pp. 2453-2456, 1994.

W. Walukiewicz, S. X. Li, J. Wu, K. M. Yu, J. W. Ager, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, ``Optical Properties and Electronic Structure of InN and In-Rich Group III-Nitride Alloys,'' J.Cryst.Growth, vol. 269, no. 1, pp. 119-127, 2004.

L. Vegard, ``Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfüllung der Atome,'' Z. Physik, no. 5, pp. 17-26, 1921.

S. Yoshida, S. Misawa, and S. Gonda, ``Properties of Al$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N Films Prepared by Reactive Molecular Beam Epitaxy,'' J.Appl.Phys., vol. 53, no. 10, pp. 6844-6848, 1982.

W. Shan, J. Ager, K. Yu, W. Walukiewicz, E. Haller, M. Martin, W. McKinney, and W. Yang, ``Dependence of the Fundamental Band Gap of Al$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N on Alloy Composition and Pressure,'' J.Appl.Phys., vol. 85, no. 12, pp. 8505-8507, 1999.

M. Khan, R. Skogman, R. Schulze, and M. Gershenzon, ``Properties and Ion Implantation of Al$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N Epitaxial Single Crystal Films Prepared by Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition,'' Appl.Phys.Lett., vol. 43, no. 5, pp. 492-494, 1983.

T. Ochalski, B. Gil, P. Lefebvre, N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, S. Nakamura, and H. Morkoç, ``Photoreflectance Investigations of the Bowing Parameter in AlGaN Alloys Lattice-Matched to GaN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 74, no. 22, pp. 3353-3355, 1999.

C. Caetano, L. Teles, M. Marques, and A. D. P. andL. Ferreira, ``Phase Stability, Chemical Bonds, and Gap Bowing of In$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N Alloys: Comparison between Cubic and Wurtzite Structures,'' Phys.Rev.B, vol. 74, no. 4, p. 045215, 2006.

M. Ferhat and F. Bechstedt, ``First-Principles Calculations of Gap Bowing in In$ _{x}$Ga$ _{1-x}$N and In$ _{x}$Al$ _{1-x}$N Alloys: Relation to Structural and Thermodynamic Properties,'' Phys.Rev.B, vol. 65, no. 7, p. 075213, 2002.

P. Moses and C. V. de Walle, ``Band Bowing and Band Alignment in InGaN Alloys,'' Appl.Phys.Lett., vol. 96, no. 2, p. 021908, 2010.

R. Kudrawiec, M. Siekacz, M. Krysko, G. Cywinski, J. Misiewicz, and C. Skierbiszewski, ``Contactless Electroreflectance of InGaN Layers with Indium Content $ \leq$ 36%: The Surface Band Bending, Band Gap Bowing, and Stokes Shift Issues,'' J.Appl.Phys., vol. 106, no. 11, p. 113517, 2009.

K. Wang, R. Martin, D. Amabile, P. Edwards, S. Hernandez, E. Nogales, K. O'Donnell, K. Lorenz, E. Alves, V. Matias, A. Vantomme, D. Wolverson, and I. Watson, ``Optical Energies of AlInN Epilayers,'' J.Appl.Phys., vol. 103, no. 7, p. 073510, 2008.

Z. Dridi, B. Bouhafs, and P. Ruterana, ``First-Principles Investigation of Lattice Constants and Bowing Parameters in Wurtzite Al$ _{x}$Ga$ _{1−x}$N, In$ _{x}$Ga$ _{1−x}$N and In$ _{x}$Al$ _{1−x}$N Alloys,'' Semicond.Sci.Technol., vol. 18, no. 9, p. 850, 2003.

E. Iliopoulos, A. Adikimenakis, C. Giesen, M. Heuken, and A. Georgakilas, ``Energy Bandgap Bowing of InAlN Alloys Studied by Spectroscopic Ellipsometry,'' Appl.Phys.Lett., vol. 92, no. 19, p. 191907, 2008.

S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, ``Structural and Optical Properties of AlInN and AlGaInN on GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy,'' J.Cryst.Growth, vol. 195, no. 1-4, pp. 309-313, 1998.

R. Butte, E. Feltin, J. Dorsaz, G. Christmann, J.-F. Carlin, N. Grandjean, and M. Ilegems, ``Recent Progress in the Growth of Highly Reflective Nitride-Based Distributed Bragg Reflectors and Their Use in Microcavities,'' Jpn.J.Appl.Phys., vol. 44, no. 10, pp. 7207-7216, 2005.

R. Goldhahn, P. Schley, A. Winzer, G. Gobsch, V. Cimalla, O. Ambacher, M. Rakel, C. Cobet, N. Esser, H. Lu, and W. Schaff, ``Detailed Analysis of the Dielectric Function for Wurtzite InN and In-Rich InAlN Alloys,'' Phys.stat.sol.(a), vol. 203, no. 1, pp. 42-49, 2006.

V. Darakchieva, M. Beckers, M.-Y. Xie, L. Hultman, B. Monemar, J.-F. Carlin, E. Feltin, M. Gonschorek, and N. Grandjean, ``Effects of Strain and Composition on the Lattice Parameters and Applicability of Vegard's Rule in Al-Rich Al$ _{1-x}$In$ _{x}$N Films Grown on Sapphire,'' J.Appl.Phys., vol. 103, no. 10, p. 103513, 2008.

K. Lorenz, N. Franco, E. Alves, I. Watson, R. Martin, and K. O'Donnell, ``Anomalous Ion Channeling in AlInN/GaN Bilayers: Determination of the Strain State,'' Phys.Rev.Letters, vol. 97, no. 8, p. 085501, 2006.

A. Westmeyer, S. Mahajan, K. Bajaj, J. Lin, H. Jiang, D. Koleske, and R. Senger, ``Determination of Energy-Band Offsets between GaN and AlN Using Excitonic Luminescence Transition in AlGaN Alloys,'' J.Appl.Phys., vol. 99, no. 1, p. 013705(4), 2006.

G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, and H. Morkoç, ``Valence-Band Discontinuities of Wurtzite GaN, AlN, and InN Heterojunctions Measured by x-Ray Photoemission Spectroscopy,'' Appl.Phys.Lett., vol. 68, no. 18, pp. 2541-2543, 1996.

P. King, T. Veal, C. Kendrick, L. Bailey, S. Durbin, and C. McConville, ``InN/GaN Valence Band Offset: High-Resolution x-Ray Photoemission Spectroscopy Measurements,'' Phys.Rev.B, vol. 78, no. 3, p. 033308, 2008.

C. Foxon, S. Novikov, L. Zhao, and I. Harrison, ``Isoelectronic Doping of AlGaN Alloys with As and Estimates of AlGaN/GaN Band Offsets,'' Appl.Phys.Lett., vol. 83, no. 6, pp. 1166-1168, 2003.

S. Selberherr, W. Hänsch, M. Seavey, and J. Slotboom, ``The Evolution of the MINIMOS Mobility Model,'' Solid-State Electron., vol. 33, no. 11, pp. 1425-1436, 1990.

T. Mnatsakanov, M. Levinshtein, L. Pomortseva, S. Yurkov, G. Simin, and M. Khan, ``Carrier Mobility Model for GaN,'' Solid-State Electron., vol. 47, no. 1, pp. 111-115, 2003.

V. Turin, ``A Modified Transferred-Electron High-Field Mobility Model for GaN Devices Simulation,'' Solid-State Electron., vol. 49, no. 10, pp. 1678-1682, 2005.

E. Faraclas and A. Anwar, ``AlGaN/GaN HEMTs: Experiment and Simulation of DC Characteristics,'' Solid-State Electron., vol. 50, no. 6, pp. 1051-1056, 2006.

D. Caughey and R. Thomas, ``Carrier Mobilities in Silicon Empirically Related to Doping and Field,'' Proc.IEEE, vol. 55, no. 12, pp. 2192-2193, 1967.

J. Piprek, Nitride Semiconductor Devices.
Weinheim: Wiley, 2007.

Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, ``Increased Electron Mobility in n-Type Si-Doped AlN by Reducing Dislocation Density,'' Appl.Phys.Lett., vol. 89, no. 18, p. 182112, 2006.

S. Vitanov, V. Palankovski, S. Maroldt, and R. Quay, ``High-Temperature Modeling of AlGaN/GaN HEMTs,'' Solid-State Electron., vol. 54, no. 10, pp. 1105-1112.

D. Look, D. Reynolds, J. Hemsky, J. Sizelove, R. Jones, and R. Molnar, ``Defect Donor and Acceptor in GaN,'' Phys.Rev.Letters, vol. 79, no. 12, pp. 2273-2276, 1997.

R. Molnar, W. Götz, L. Romano, and N. Johnson, ``Growth of Gallium Nitride by Hydride Vapor-Phase Epitaxy,'' J.Cryst.Growth, vol. 178, no. 1-2, pp. 147-156, 1997.

X. Dang, P. Asbeck, E. Yu, G. Sullivan, M. Chen, B. McDermott, K. Boutros, and J. Redwing, ``Measurement of Drift Mobility in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor,'' Appl.Phys.Lett., vol. 74, no. 25, pp. 3890-3892, 1999.

N. Maeda, T. Saitoh, K. Tsubaki, T. Nishida, and N. Kobayashi, ``Two-Dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/(In)GaN/AlGaN Double-Heterostructure Field Effect Transistors,'' MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., vol. 5S1, no. W4.7, 2000.

R. Cuerdo, J. Pedros, A. Navarro, A. Brana, J. Pau, E. Munoz, and F. Calle, ``High Temperature Assessment of Nitride-Based Devices,'' J. Mat. Sci.: Materials in Electronics, vol. 19, no. 2, pp. 189-193, 2008.

W. Tan, M. Uren, P. Fry, P. Houston, R. Balmer, and T. Martin, ``High Temperature Performance of AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrates,'' Solid-State Electron., vol. 50, no. 3, pp. 511-513, 2006.

D. Donoval, M. Florovic, D. Gregusová, J. Kovác, and P. Kordos, ``High-Temperature Performance of AlGaN/GaN HFETs and MOSHFETs,'' Microelectron.Reliab., vol. 48, no. 10, pp. 1669-1672, 2008.

T. Grasser, H. Kosina, and S. Selberherr, ``Consistent Comparison of Drift-Diffusion and Hydro-Dynamic Device Simulations,'' in Proc. Simulation of Semiconductor Processes and Devices, pp. 151-154, 1999.

W. Hänsch and M. Miura-Mattausch, ``The Hot-Electron Problem in Small Semiconductor Devices,'' J.Appl.Phys., vol. 60, no. 2, pp. 650-656, 1986.

S. Sze, Physics of Semiconductor Devices.
New York: Wiley, second ed., 1981.

J. Albrecht, R. Wang, P. Rudena, M. Farahmand, and K. Brennan, ``Electron Transport Characteristics of GaN for High Temperature Device Modeling,'' vol. 83, no. 9, pp. 4777-4781, 1998.

W. Hänsch, M. Orlowski, and W. Weber, ``The Hot-Electron Problem in Submicron MOSFET,'' in Proc. Europ. Solid-State Device Research Conf., pp. 597-606, 1988.

S. Vitanov, V. Palankovski, and S. Selberherr, ``Hydrodynamic Models for GaN-Based HEMTs,'' in Proc. Europ. Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Fringe Poster Session, 2010.

O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. Shealy, N. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. Sierakowski, W. Schaff, L. Eastman, R. Dimitrov, A. Mitchell, and M. Stutzmann, ``Two-Dimensional Electron Gases Induced by Spontaneous and Piezoelectric Polarization in Undoped and Doped AlGaN/GaN Heterostructures,'' J.Appl.Phys., vol. 87, no. 1, pp. 334-344, 2000.

F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, ``Accurate Calculation of Polarization-Related Quantities in Semiconductors,'' Phys.Rev.B, vol. 63, no. 19, p. 193201, 2001.

O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff, and L. Eastman, ``Pyroelectric Properties of Al(In)GaN/GaN Hetero- and Quantum Well Structures,'' J.Phys.:Condensed Matter, vol. 14, no. 13, pp. 3399-3434, 2002.

W. Yan, R. Zhang, X. Xiu, Z. Xie, P. Han, R. Jiang, S. Gu, Y. Shi, and Y. Zheng, ``Temperature Dependence of the Pyroelectric Coefficient and the Spontaneous Polarization of AlN,'' Appl.Phys.Lett., vol. 90, no. 21, p. 212102(3), 2007.

K. Kurokawa, ``Power Waves and the Scattering Matrix,'' IEEE Trans.Microwave Theory and Techniques, vol. 13, no. 2, pp. 194-202, 1965.

G. Dambrine, A. Cappy, F. Heliodore, and E. Playez, ``A New Method for Determining the FET Small-Signal Equivalent Circuit,'' IEEE Trans.Microwave Theory and Techniques, vol. 36, no. 7, pp. 1151-1159, 1988.

M. Berroth and R. Bosch, ``High-Frequency Equivalent Circuit of GaAs FETs for Large-Signal Applications,'' IEEE Trans.Microwave Theory and Techniques, vol. 39, no. 2, pp. 224-229, 1991.

S. Wagner, Small-Signal Device and Circuit Simulation.
Dissertation, Technische Universität Wien, 2005.

D. Jena, I. Smorchkova, A. Gossard, and U. Mishra, ``Electron Transport in III–V Nitride Two-Dimensional Electron Gases,'' Phys.stat.sol.(b), vol. 228, no. 2, pp. 617-619, 2001.

I. Smorchkova, C. Elsass, J. Ibbetson, R. Vetury, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. DenBaars, J. Speck, and U. Mishra, ``Polarization Induced Charge and Electron Mobility in AlGaN/GaN Heterostructures Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy,'' J.Appl.Phys., vol. 86, no. 8, pp. 4520-4526, 1999.

B. Jogai, ``Influence of Surface States on the Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors,'' J.Appl.Phys., vol. 93, no. 3, pp. 1631-1635, 2003.

S. Vitanov, V. Palankovski, S. Murad, T. Roedle, R. Quay, and S. Selberherr, ``Predictive Simulation of AlGaN/GaN HEMTs,'' in Tech.Dig. IEEE Compound Semiconductor IC Symp., pp. 131-134, 2007.

R. Quay, K. Hess, R. Reuter, M. Schlechtweg, T. Grave, V. Palankovski, and S. Selberherr, ``Nonlinear Electronic Transport and Device Performance of HEMTs,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 48, no. 2, pp. 210-217, 2001.

V. Palankovski, S. Vitanov, and R. Quay, ``Field-Plate Optimization of AlGaN/GaN HEMTs,'' in Tech.Dig. IEEE Compound Semiconductor IC Symp., pp. 107-110, 2006.

I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. Ebeling, and E. Kohn, ``Evaluation of the Temperature Stability of AlGaN/GaN Heterostructure FETs,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 20, no. 9, pp. 448-450, 1999.

S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, and T. Jimbo, ``High-Temperature Effects of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Sapphire and Semi-Insulating SiC Substrates,'' Appl.Phys.Lett., vol. 80, no. 12, pp. 2186-2188, 2002.

R. Cuerdo, F. Calle, A. Brana, Y. Cordier, M. Azize, N. Baron, S. Chenot, and E. Munoz, ``High Temperature Behaviour of GaN HEMT Devices on Si(111) and Sapphire Substrates,'' Phys.stat.sol.(a), vol. 5, no. 6, pp. 1971-1973, 2008.

M. Akita, S. Kishimoto, and T. Mizutani, ``High-Frequency Measurements of AlGaN/GaN HEMTs at High Temperatures,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 22, no. 8, pp. 376-377, 2001.

S. Arulkumaran, G. I. Ng, Z. H. Liu, and C. H. Lee, ``High Temperature Power Performance of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on High-Resistivity Silicon,'' Appl.Phys.Lett., vol. 91, no. 8, p. 083516(3), 2007.

M. Huque, S. Eliza, T. Rahman, H. Huq, and S. Islam, ``Temperature Dependent Analytical Model for Current-Voltage Characteristics of AlGaN/GaN Power HEMT,'' Solid-State Electron., vol. 53, no. 3, pp. 341-348, 2009.

H. Huq and S. Islam, ``AlGaN/GaN Self-Aligned MODFET with Metal Oxide Gate for Millimeter Wave Application,'' Microelectronics Journal, vol. 37, no. 7, pp. 579-582, 2006.

Y. Chang, Y. Zhang, Y. Zhang, and K. Tong, ``A Thermal Model for Static Current Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Including Self-Heating Effect,'' J.Appl.Phys., vol. 99, no. 4, p. 044501(5), 2006.

Y. Chang, K. Tong, and C. Surya, ``Numerical Simulation of Current-Voltage Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs at High Temperatures,'' Semicond.Sci.Technol., vol. 20, no. 2, pp. 188-192, 2005.

Y. Zhou, D. Wang, C. Ahyi, C. Tin, J. Williams, M. Park, N. Williams, A. Hanser, and E. Preble, ``Temperature-Dependent Electrical Characteristics of Bulk GaN Schottky Rectifier,'' J.Appl.Phys., vol. 101, no. 2, p. 024506, 2007.

S. Nuttinck, B. Banerjee, S. Venkataraman, J. Laskar, and M. Harris, ``High Temperature Performances of AlGaN/GaN Power HFETs,'' in IEEE Intl. Microwave Symp. Dig., vol. 1, pp. 221-223, 2003.

S. Arulkumaran, Z. Liu, G. Ng, W. Cheong, R. Zeng, J. Bu, H. Wang, K. Radhakrishnan, and C. Tan, ``Temperature Dependent Microwave Performance of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on High-Resistivity Silicon Substrate,'' Thin Solid Films, vol. 515, no. 10, pp. 4517-4521, 2007.

A. Parker and J. Scott, ``Intermodulation nulling in GaAs MESFETs,'' Electron.Lett., vol. 29, no. 22, pp. 1961-1962, 1993.

T. Palacios, S. Rajan, A. Chakraborty, S. Heikman, S. Keller, S. DenBaars, and U. Mishra, ``Influence of the Dynamic Access Resistance in the g $ _\mathrm{m}$ and f $ _\mathrm{T}$ Linearity of AlGaN/GaN HEMTs,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 52, no. 10, pp. 2117-2123, 2005.

Y. Wu, M. Singh, and J. Singh, ``Sources of Transconductance Collapse in III-V Nitrides - Consequences of Velocity-Field Relations and Source/Gate Design,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 52, no. 6, pp. 1048-1054, 2005.

S. Vitanov, V. Palankovski, S. Maroldt, and R. Quay, ``Non-Linearity of Transconductance and Source-Gate Resistance of HEMTs,'' in Proc. Europ. Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Fringe Poster Session, 2010.

S. Russo and A. D. Carlo, ``Influence of the Source-Gate Distance on the AlGaN/GaN HEMT Performance,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 54, no. 5, pp. 1071-1075, 2007.

Y. Ando, Y. Okamoto, H. Miyamoto, T. Nakayama, T. Inoue, and M. Kuzuhara, ``10-W$ /$mm AlGaN-GaN HFET With a Field Modulating Plate,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 24, no. 5, pp. 289-291, 2003.

M. Hiroki, H. Yokoyama, N. Watanabe, and T. Kobayashi, ``High-Quality InAlN/GaN Heterostructures Grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy,'' Superlattices & Microstructures, vol. 40, no. 4-6, pp. 214-218, 2006.

F. Medjdoub, N. Sarazin, M. Tordjman, M. Magis, M. Forte-Poisson, M. Knez, E. Delos, C. Gaquiere, S. Delage, and E. Kohn, ``Characteristics of Al$ _2$O$ _3$/AlInN/GaN MOSHEMT,'' Electron.Lett., vol. 43, no. 12, pp. 691-692, 2007.

J. Kuzmik, A. Kostopoulos, G. Konstantinidis, J. Carlin, A. Georgakilas, and D. Pogany, ``InAlN/GaN HEMTs: A First Insight Into Technological Optimization,'' IEEE Trans.Electron Devices, vol. 53, no. 3, pp. 422-426, 2006.

S. Maroldt, D. Wiegner, S. Vitanov, V. Palankovski, R. Quay, and O. Ambacher, ``Efficient AlGaN/GaN Linear and Digital-Switch-Mode Power Amplifiers for Operation at 2 GHz,'' IEICE Trans.Electron., vol. E93-C, no. 8, pp. 1238-1244, 2010.

T. Mizutani, M. Ito, S. Kishimoto, , and F. Nakamura, ``AlGaN/GaN HEMTs with Thin InGaN Cap Layer for Normally Off Operation,'' IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 7, pp. 549-551, 2007.

S. Vitanov and V. Palankovski, ``Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs with InGaN Cap Layer: A Simulation Study,'' Solid-State Electron., vol. 52, no. 11, pp. 1791-1795, 2008.

S. Vitanov: Simulation of High Electron Mobility Transistors