In diesem Abschnitt sollen die Grundlagen der wichtigsten Streumechanismen, denen Elektronen in Silizium unterworfen sind, physikalisch erläutert und mathematisch ausgewertet werden. Da, wie bereits mehrfach erwähnt worden ist, die Kenntnis der Verteilungsfunktion hochenergetischer Elektronen zur Verifizierung eines Injektionsmodells unerläßlich ist, beschränkt sich die vorliegende Arbeit auf einfache störungstheoretische Ableitungen. Inwieweit weitere quantenmechanische Korrekturen die Streuraten beeinflussen und somit die Gültigkeit der im folgenden beschriebenen Näherungen in semiklassischen Modellen bei hohen elektrischen Feldern einschränken, wird in [19][22][67][68] behandelt.
Im wesentlichen unterscheidet man zwischen Kollisionen der Elektronen an Störstellen, Wechselwirkung der Elektronen mit dem Kristall und aufgrund von hochenergetische Ladungsträger hervorgerufenen Stoßionisation. Kurzreichweitige Ladungsträgerstreuung und Elektron-Plasmonwechselwirkungen werden nicht behandelt. Es wird aber auf die zahlreiche Literatur zu diesem Gebiet verwiesen [20][22][35][52][69] [70][71]. Ebenfalls sei hier noch die Annahme aufgeführt, nämlich die, daß man den Phononen eine unendliche Lebensdauer zuordnet. Dies ist im Falle räumlich ausgedehnter Systeme, bei denen Quantenkorrekturen für eine Beschreibung der makroskopischen Größen ausreichend sind, zulässig [23].