Kippwinkel
Abbildung 6.27: n-Kanal MOSFET\
mit 
grossem Gate und
einer LOCOS Isolation. Dieser Transistor ist ein Benchmark
Beispiel aus dem PROMPT Projekt.
Abbildung 6.28: Phosphor-Konzentration in [cm-3]
nach einer Implantation des 
Transistors mit
15keV-Phosphor-Ionen und einer Dosis von 
,[cm-2].
Der Wafer wurde dabei um 55 gegenueber der
[100]-Richtung gekippt (LAT Implantation), um 22 verdreht und
viermal um 90 gedreht.
Abbildung 6.29: Silizium-Interstitial-Konzentration in
[cm-3] nach einer Implantation des
Transistors mit 15keV-Phosphor-Ionen und einer Dosis von ,[cm-2]. Der Wafer wurde dabei um 55\
gegenueber der [100]-Richtung gekippt (LAT Implantation),
um 22 verdreht und viermal um 90 gedreht.
Abbildung 6.30: Phosphor-Konzentration in [cm-3] in der
Schnittebene 1 nach einer Implantation des
Transistors mit 15keV-Phosphor-Ionen und einer Dosis von ,[cm-2]. Der Wafer wurde dabei um 55\
gegenueber der [100]-Richtung gekippt (LAT Implantation), um
22 verdreht und viermal um 90 gedreht.
Abbildung 6.31: Phosphor-Konzentration in [cm-3] in der
Schnittebene 2 nach einer Implantation des
Transistors mit 15keV-Phosphor-Ionen und einer Dosis von ,[cm-2]. Der Wafer wurde dabei um 55\
gegenueber der [100]-Richtung gekippt (LAT Implantation), um
22 verdreht und viermal um 90 gedreht.
Die zweidimensionale Arsen-Konzentration zeigt deutlich zwei ausgeprägte
Channeling-Peaks (siehe Abbildung 6.25). Der ,,Peak,
der mit der y-Achse einen Winkel von 45 einschließt, entsteht durch
Ionen, die im [110] Kanal geführt werden. Der zweite Peak spiegelt
den Kippwinkel der Implanterhalterung wieder (30). Diese beiden
Konzentrationsfinger sind natürlich auch in der Verteilung der
Zwischengitteratome zu finden
(siehe Abbildung 6.26). Naturgemäß ist jedoch in diesem Fall
der Peak in der 30-Richtung ausgeprägter, da sich die Bewegung
des Ions in einem Kanal gerade durch eine geringere Anzahl von harten
nuklearen Stößen auszeichnet.
Die dreidimensionale Struktur aus Abbildung 6.27
stammt aus einer Benchmark Spezifikation des PROMPT Projektes. Die
Geometrie zeigt einen n-Kanal MOSFET mit einem großem Gate und einer LOCOS Isolation. In dieses
Simulationsgebiet wurden 15keV-Phosphor-Ionen unter einem Kippwinkel von
55 implantiert. Die Halterung des Wafers wurde zusätzlich um
22 verdreht und während der Implantation viermal um 90 gedreht.
Die Abbildungen 6.28 und
6.29 zeigen die resultierende
dreidimensionale Phosphor- bzw.\
Silizium-Interstitial-Konzentrationen. Schneidet man die Geometrie
mit zwei vertikalen Ebenen (siehe Abbildung 6.27) und
berechnet darin die Dotierstoffkonzentrationen
(Abbildungen 6.30 und 6.31), so erkennt
man im letzteren Fall sehr deutlich die Positionierung der Phosphor-Ionen
unterhalb der Gate-Kanten.
Durch diesen
LAT-Implantationsschritt wird die Strukturierung eines Spacers
überflüssig. Hingegen verhindert die LOCOS Isolation dieses
laterale Eindringen des Dotierstoffes (siehe Abbildung 6.30).