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Kritische Dosis für Amorphisierung

 

Trägt man nun D als Funktion der aus den X-TEM Bildern gemessenen Tiefen der a/k-Grenzschichten auf, so erhält man z.B. für die 300keV Implantation die Abbildung 5.2. Aus diesen Kurven läßt sich jene Implantationsdosis tex2html_wrap_inline13189 ablesen, die benötigt wird, um einkristallines Silizium in einer bestimmten Entfernung von der Wafer-Oberfläche zu amorphisieren. Die Substrattemperatur T fungiert dabei als Parameter für die Kurvenschar.

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Abbildung 5.2: Beziehung zwischen Implantationsdosis D und der Lage der a/k-Grenzschichten. Diese Kurven entstanden durch Auswertung der X-TEM Bilder für Implantationen mit 300keV-Si-Ionen bei Temperaturen zwischen 82 und 296tex2html_wrap_inline13143. Implantiert man z.B. mit einer Dosis tex2html_wrap_inline13195 so entsteht bei einer Temperatur von 197tex2html_wrap_inline13143 eine vergrabene amorphe Schicht.

Drei Eigenschaften des Amorphisierungsvorganges lassen sich aus diesen Verläufen sofort ableiten:

Implantiert man nun z.B. mit einer Dosis tex2html_wrap_inline13195 (siehe Abbildung 5.2) so entsteht bei tex2html_wrap_inline13205 eine vergrabene amorphe Schicht und diese entscheidet maßgeblich über die Kategorie der sekundären Defekte.



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