Gemäß dem CED-Modell kann nun mit den Ergebnissen aus
Kapitel 5.2.2 eine kritische
Amorphisierungsenergiedichte wie folgt definiert werden:
steht für die gemessene, zur Amorphisierung benötigte Dosis als
Funktion des Ortes 
und der Substrattemperatur T, und 
repräsentiert die einem Volumen V des Siliziumkristall durch Ionen
zugeführte nukleare Energie (Deposited damage energy).
Da sehr einfach mit einem Monte Carlo Simulator zu berechnen ist, und für
Technologen in diesem Zusammenhang von Bedeutung ist, kann als das
eigentliche Ziel der Simulation des Amorphisierungsvorganges die auf
physikalischen Prinzipien basierende Bestimmung von 
unter
zu Hilfenahme von experimentellen Daten angesehen werden!
