3.1 Monte-Carlo-Simulationen in Silizium



next up previous contents
Next: 3.1.1 Bandstruktur in Silizium Up: 3 Monte-Carlo-Simulationen Previous: 3 Monte-Carlo-Simulationen

3.1 Monte-Carlo-Simulationen in Silizium

Im weiteren beschäftigt sich diese Arbeit ausschließlich mit dem Transport von Elektronen. Daher werden bei der Bandstruktur als auch bei den Streuprozessen nur die Eigenschaften von Elektronen des Leitfähigkeitsbandes. Eine Behandlung des Löchertransports in Halbleitern findet sich zum Beispiel in [35][36][51][52].





Martin Stiftinger
Mon Aug 7 18:44:55 MET DST 1995