Die mittlere Störstellendichte
hat einen starken Einfluß auf
die 
-Charakteristik.
Abbildung 4.8 (oberer Teil) zeigt die
simulierten CP-Signale für drei verschiedene Werte
von .
Eine Übereinstimmung zwischen
Experiment und Simulation läßt sich bei der
recht kleinen Dichte von
=
erreichen.
Die Abszissenlage des 
-Maximums bei
der simulierten Kurve kann
durch Anbringen einer geeigneten festen positiven Oxidladung
am Backinterface mit der Messung in Deckung gebracht werden.
Die zur Anpassung der Simulation an das Experiment
notwendige geringe Störstellendichte am Backinterface
stellt einen Widerspruch zu den großen CP-Strömen
dar, die bei der Pulsung des Backinterface auftreten
(siehe Abschnitt 4.3.2 bzw. [76]).
Dieser Widerspruch kann durch die Annahme
einer entsprechend hohen Substratdotierung
(
) gelöst werden.
In diesem Fall ist der Siliziumfilm nur
mehr teilweise verarmt (partially depleted).
Die Potentialkopplung beider Grenzflächen wird so schwach,
daß entsprechend klein wird.