Das CP-Experiment mit variablen Steig- und Fallzeiten
der Gate-Spannung wird zur Profilierung der
Störstellen-Verteilung im verbotenen Band benutzt
(Abschnitt 4.3.3 bzw. [34]).
In der Abbildung 4.9 sind
Meß- und Simulationsergebnisse für -Dioden
mit der geometrischen Kanallänge
=
gegeben. Eventuelle parasitäre dimensionale Effekte
(siehe Abschnitt 4.5
und 4.5.3) treten bei
dieser Kanallänge noch nicht auf. Wie in den
vorhergehenden Unterabschnitten wurde eine kleine
mittlere Störstellendichte
von
=
am Backinterface angenommen. Das obere Bild
zeigt die Resultate für drei verschiedene Werte
von
.
Die Übereinstimmung von Experiment und Simulation
ist nur für die langen
akzeptabel.
Während für kurze
die simulierten
Kurven ein reguläres Bild zeigen - im gesamten
Bereich von
vergrößern sich die
-Werte
gleichförmig - zeigen die experimentellen Werte
im Gegensatz zu den simulierten
ein bezüglich
=
unsymmetrisches Verhalten.
Der massive Anstieg von
in der rechten Hälfte
des Bildes kann mit dem in dieser Arbeit verwendeten
Parametersatz nicht beschrieben werden.