3.4 Störstellenstreuung



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3.4 Störstellenstreuung

 

In dotierten Halbleitern wird die Beweglichkeit durch Streuung an ionisierten Störstellen beeinträchtigt. Zwei verbreitete Ansätze zur Modellierung dieses Effektes stammen von Conwell und Weisskopf (CW) [18] und von Brooks und Herring (BH) [9]. Die beiden Methoden unterscheiden sich in der Art, wie das Potential der Ionen geschirmt wird. Ein ausführlicher Überblick zu diesem Thema findet sich in [14].





Martin Stiftinger
Wed Oct 12 11:59:33 MET 1994