In diesem Kapitel werden mikroskopische Modelle für die Beschreibung des Elektronentransportes in Silizium angegeben. Im speziellen wird auf ein analytisches Modell für das unterste Leitungsband und auf die dominanten Streumechanismen eingegangen. Der Transport von Löchern soll in dieser Arbeit nicht behandelt werden. Das Valenzbandmaximum besitzt andere Symmetrieeigenschaften als die äquivalenten Leitungsbandminima, wodurch Löcher viel komplizierter zu modellieren sind als Elektronen. Dies führt dazu, daß in der Regel eine Transportbeschreibung durch die Monte-Carlo-Methode für Löcher mit wesentlich mehr Näherungen behaftet ist als für Elektronenen. Von einer mikroskopischen Modellierung von Generations- und Rekombinationsprozessen soll in dieser Arbeit ebenfalls abgesehen werden.