3.2 Der Schottkykontakt



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3.2 Der Schottkykontakt

Die Wirkungsweise eines MESFETs wird wesentlich durch seine Gateelektrode bestimmt, die durch einen Schottkykontakt realisiert ist. Grundsätzlich können beim Aufbringen eines Metalls auf einen Halbleiter zwei Fälle unterschieden werden, die durch den Unterschied der Austrittsarbeit von Metall und Halbleiter entstehen. Als Austrittsarbeit wird die Differenz der Energie eines freien Elektrons im Vakuum und der Fermienergie des jeweiligen Materials bezeichnet. Kontaktiert man beispielsweise einen n-dotierten Halbleiter mit einem Metall, dessen Austrittsarbeit kleiner als die des Halbleiters ist (), so wird die Differenz zwischen Fermienergie und der Leitungsbandkante durch eine Ladung an der Grenzschicht abgebaut. Durch diese Verhältnisse wird der Stromfluß über die Grenzschicht hinweg in beide Richtungen nicht wesentlich behindert, und der Kontakt wird als ohmscher Kontakt bezeichnet. Ist jedoch die Austrittsarbeit des Metalls größer als die des Halbleiters (), so entsteht an der Grenzschicht eine ausgeprägte Energiebarriere. Es entsteht ein gleichrichtender sogenannter Schottkykontakt (Abb. 3.2).

  
Abbildung: Kontakte auf einem n-Halbleiter: (a) , (b)

Für p-dotierte Halbleiter sind die Verhältnisse genau verkehrt, man erhält hier für einen ohmschen und für einen gleichrichtenden Kontakt. In der Praxis ist für Schottkykontakte fast ausschließlich der Fall Metall - n-Halbleiter mit von Bedeutung. Ohmsche Kontakte werden selten durch den Fall Metall - n-Halbleiter mit oder Metall - p-Halbleiter mit realisiert, sondern durch sehr hohe Dotierung wird die Barriere so dünn, daß Tunnelströme dominieren und der Kontakt seine gleichrichtende Wirkung verliert. Im folgenden sollen die Verhältnisse an einem gleichrichtenden Metall - n-Halbleiterkontakt genauer erläutert und für ein numerisches Modell geeignete Randbedingungen gefunden werden.





Martin Stiftinger
Fri Oct 14 19:00:51 MET 1994