2.2.1 Ein GaAs MESFET Prozeß



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2.2.1 Ein GaAs MESFET Prozeß

 

Um einen Überblick über die typischen Prozeßschritte und die Komplexität der Herstellung von GaAs MESFETs zu geben, soll hier der Prozeßablauf bei der Herstellung einer integrierten digitalen Logikschaltung beschrieben werden. Die Darstellung und Beschreibung folgen dem in [90] gegebenen Beispiel. Als Substrat wird semi-isolierendes GaAs angenommen. Die einzelnen Schritte werden für einen einzelnen MESFET angeführt, der aber Teil einer komplexeren Schaltung sein soll. Folgende Prozeßschritte sind für die Herstellung der Schaltung notwendig:

  
Abbildung 2.10: Prozeßschritte bei der Herstellung eines GaAs IC



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Martin Stiftinger
Fri Oct 14 19:00:51 MET 1994