6.3.2 Ladungsbasierende Kapazitätsmodelle



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6.3.2 Ladungsbasierende Kapazitätsmodelle

 

Ordnet man jedem Kontakt des Transistors eine Ladung zu, aus der man gemäß

 

mit

 

die Kapazitäten errechnet, so ist Ladungserhaltung garantiert [88][129][134]. Es ergeben sich somit bei einem MOSFET mit vier Anschlüssen vier ,,Selbstkapazitäten`` (, , und ) und zwölf Zwischenknoten- oder intrinsische Kapazitäten. Diese sind nichtreziprok, nur neun davon sind unabhängig, da sowohl gelten muß, damit Ladungserhaltung gegeben ist, als auch , damit die Kapazitäten von einem Referenzpotential unabhängig sind.

Die dem Bulkkontakt zuzuordnende Ladung ist die Verarmungsladung , dem Gatekontakt wird zugeordnet. Das Problem besteht nun in der Aufteilung der Inversionsladung auf Drain- und Sourcekontakt. Verschiedene Methoden wurden vorgeschlagen, z.B. eine Halbierung (). Hier soll dem Ansatz von Ward [129] gefolgt werden, in dem eine ,,lineare Gewichtung`` vorgenommen wird, die auf der Lösung der eindimensionalen Kontinuitätsgleichung beruht. In [38] wird die physikalische Korrektheit dieses Ansatzes gezeigt.





Martin Stiftinger
Wed Oct 5 11:53:06 MET 1994