Ordnet man jedem Kontakt des Transistors eine Ladung zu, aus der man gemäß
mit
die Kapazitäten errechnet, so ist Ladungserhaltung garantiert
[88][129][134]. Es ergeben sich somit bei einem
MOSFET mit vier Anschlüssen vier ,,Selbstkapazitäten`` (
,
, 
und 
) und zwölf Zwischenknoten- oder
intrinsische Kapazitäten. Diese sind nichtreziprok, nur neun davon sind
unabhängig, da sowohl 
gelten muß,
damit Ladungserhaltung gegeben ist, als auch
, damit die Kapazitäten
von einem Referenzpotential unabhängig sind.
Die dem Bulkkontakt zuzuordnende Ladung ist die Verarmungsladung 
, dem
Gatekontakt wird 
zugeordnet. Das Problem besteht nun in
der Aufteilung der Inversionsladung 
auf Drain- und
Sourcekontakt. Verschiedene Methoden wurden vorgeschlagen, z.B. eine
Halbierung (
). Hier soll dem Ansatz von
Ward [129] gefolgt werden, in dem eine ,,lineare Gewichtung``
vorgenommen wird, die auf der Lösung der eindimensionalen
Kontinuitätsgleichung beruht. In [38] wird die physikalische
Korrektheit dieses Ansatzes gezeigt.
