Abbildung 6.11: Vergleich des Simulationsergebnisses mit der SIMS\
Messung. Die durchgezogene Linie repräsentiert das Histogramm der
Monte Carlo Simulation, die punktierte Linie und die Symbole kennzeichnen
die experimentellen Daten.
Phosphor weist gegenüber Bor eine ca. dreimal so große atomare Masse auf
und kann daher nicht mehr so effektiv gestreut werden. Auf Grund seiner
höheren Ordnungszahl kann dieses Ion auch größere kritische Winkel
zu den Kanälen einnehmen, ohne dabei die Kanalisierung zu
verlieren. Das Dotierstoffprofil in Abbildung 6.11 verläuft
daher um vieles steiler als ein vergleichbares Bor-Profil
(Abbildung 6.2). Das Massenverhältnis erklärt ebenfalls die
stärkeren Gitterschäden bei einer Phosphor-Implantation (vgl.\
Abbildungen 6.4 und 6.13).
Abbildung 6.12: Simulation einer Punktantwort mit 50keV-Phosphor-Ionen und
die daraus resultierende Phosphor-Konzentration in [cm-3].
Abbildung 6.13: Simulation einer Punktantwort mit 50keV-Phosphor-Ionen und
die daraus resultierende Silizium-Interstitial-Konzentration
in [cm-3].