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Arsen-Implantation mit 50keV

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Abbildung 6.14: Vergleich des Simulationsergebnisses mit der SIMS\ Messung. Die durchgezogene Linie repräsentiert das Histogramm der Monte Carlo Simulation, die punktierte Linie und die Symbole kennzeichnen die experimentellen Daten.

Bezüglich Channeling-Verhalten läßt sich Arsen auf Grund der großen atomaren Masse nicht mehr mit leichten Ionen vergleichen. Durch die im Verhältnis zu Silizium mehr als zweieinhalbfache Masse wird das Ion bei nuklearen Stößen meist nur um kleine Winkel abgelenkt, weshalb sich die Arsen-Ionen sehr effizient in Kanälen ausbreiten. Die Schädigung des Kristallgitters ist im Vergleich zu den leichten Ionen am ausgeprägtesten (vgl. Abbildungen 6.4, 6.13 und 6.16), da in diesem Energiebereich die elektronische Abbremsung nur eine untergeordnete Rolle spielt, und das Arsen-Ion in erster Linie durch nukleare Stöße an Energie verliert.

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Abbildung 6.15: Simulation einer Punktantwort mit 50keV-Arsen-Ionen und die daraus resultierende Arsen-Konzentration in [cm-3].

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Abbildung 6.16: Simulation einer Punktantwort mit 50keV-Arsen-Ionen und die daraus resultierende Silizium-Interstitial-Konzentration in cm[-3] .



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