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p-LDD-Implantation mit 25keV

 

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Abbildung 6.34: Dreidimensionale Struktur eines tex2html_wrap_inline13725 PMOS\ Transistors aus einem 3.3V CMOS Prozessfluss.

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Abbildung 6.35: Bor-Konzentration in tex2html_wrap_inline13745 nach einer p-LDD-Implantation des tex2html_wrap_inline13725 PMOS Transistor mit 25keV-Bor-Ionen und einer Dosis von tex2html_wrap_inline13749. Der Wafer wurde dabei um 7 Grad gegenueber der [100]-Richtung gekippt und viermal um 90 Grad gedreht.

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Abbildung 6.36: Silizium-Interstitial-Konzentration in [cm-3] nach einer p-LDD-Implantation des tex2html_wrap_inline13725 PMOS\ Transistors mit 25keV-Bor-Ionen und einer Dosis von tex2html_wrap_inline13749. Der Wafer wurde dabei um 7tex2html_wrap_inline11879\ gegenueber der [100]-Richtung gekippt und viermal um 90tex2html_wrap_inline11879\ gedreht.

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Abbildung 6.37: Bor-Konzentration in [cm-3] in der Schnittebene 1 nach einer p-LDD-Implantation des tex2html_wrap_inline13725 PMOS\ Transistors mit 25keV-Bor-Ionen und einer Dosis von tex2html_wrap_inline13759. Der Wafer wurde dabei um 7tex2html_wrap_inline11879\ gegenüber der [100]-Richtung gekippt und viermal um 90tex2html_wrap_inline11879\ gedreht.

Eine LDD-Implantation plaziert die Dotierstoffe nahe der Oberfläche zwischen dem Source/Drain Bereich (typische Konzentrationswerte liegen zwischen tex2html_wrap_inline13761 und tex2html_wrap_inline13763) und dem Kanalgebiet (tex2html_wrap_inline13765). Dadurch wird jener Bereich ausgedehnt, in dem der Abfall der Source/Drain Spannung stattfindet. Dies reduziert die maximale Feldstärke. Man erreicht damit eine Steigerung der Zuverlässigkeit des Bauteils, vgl. [Zie92, Wol95].

In das Simulationsgebiet aus Abbildung 6.34 wurden 25keV-Bor-Ionen unter einem Kippwinkel von 7tex2html_wrap_inline11879 implantiert. Die Halterung des Wafers wurde dabei viermal um 90tex2html_wrap_inline11879 gedreht.

Die Abbildungen 6.35 und 6.36 zeigen die resultierende dreidimensionale Bor- bzw.\ Silizium-Interstitial-Konzentration. Schneidet man die Geometrie mit einer vertikalen Ebene (siehe Abbildung 6.34) und berechnet darin die Verteilung (siehe Abbildung 6.37), so erkennt man deutlich, daß die Dotierstoffkonzentrationen lateral bis in das Kanalgebiet reichen.



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