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ptex2html_wrap_inline13783-Implantation mit 45keV

 

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Abbildung 6.38: Dreidimensionale Struktur eines tex2html_wrap_inline13725 PMOS\ Transistors aus einem tex2html_wrap_inline13727 CMOS Prozessfluss.

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Abbildung 6.39: Bor-Konzentration in tex2html_wrap_inline13745 nach einer tex2html_wrap_inline13619-Implantation des tex2html_wrap_inline13725 PMOS Transistors mit 45keV-Bor-Ionen und einer Dosis von tex2html_wrap_inline13599. Der Wafer wurde dabei um 7tex2html_wrap_inline11879\ gegenüber der [100]-Richtung gekippt und viermal um 90tex2html_wrap_inline11879\ gedreht.

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Abbildung 6.40: Silizium-Interstitial-Konzentration in tex2html_wrap_inline13745 nach einer tex2html_wrap_inline13619-Implantation des tex2html_wrap_inline13725 PMOS Transistor mit 45keV-Bor-Ionen und einer Dosis von tex2html_wrap_inline13599. Der Wafer wurde dabei um 7tex2html_wrap_inline11879\ gegenueber der [100]-Richtung gekippt und viermal um 90tex2html_wrap_inline11879\ gedreht.

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Abbildung 6.41: Bor-Konzentration in [cm-3] in der Schnittebene 1 nach einer tex2html_wrap_inline13619-Implantation des tex2html_wrap_inline13725 PMOS\ Transistor mit 45keV-Bor-Ionen und einer Dosis von tex2html_wrap_inline13599. Der Wafer wurde dabei um 7tex2html_wrap_inline11879\ gegenueber der [100]-Richtung gekippt und viermal um 90tex2html_wrap_inline11879\ gedreht.

In das Simulationsgebiet aus Abbildung 6.38 wurden zur Erzeugung der Source/Drain Bereiche 45keV-Bor-Ionen unter einem Kippwinkel von 7tex2html_wrap_inline11879 implantiert. Die Halterung des Wafers wurde dabei viermal um 90tex2html_wrap_inline11879 gedreht.

Die Abbildungen 6.39 und 6.40 zeigen die resultierende dreidimensionale Bor- bzw.\ Silizium-Interstitial-Konzentration. Schneidet man die Geometrie mit einer vertikalen Ebene (siehe Abbildung 6.38) und berechnet darin die Verteilung (siehe Abbildung 6.41), erkennt man deutlich die hochdotierten Source/Drain`` Bereiche. Die beiden Spacer schirmen jedoch den unmittelbaren Bereich zwischen Kanalgebiet und Source/Drain ab. Dadurch reicht das Dotierstoffprofil nicht bis unter das Gate.



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