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6.6 Dreidimensionale Simulation eines PMOS Transistors

 

Dieser Abschnitt dient in erster Linie dazu, die Einsetzbarkeit der Monte Carlo\ Simulation auch bei komplexen dreidimensionalen Geometrien zu demonstrieren. Obwohl die Maskenöffnung für die Implantationen (tex2html_wrap_inline13721 Implantationsfenster für die Simulation) eine Fläche von tex2html_wrap_inline13723 aufweistgif, benötigt ein state-of-the-art Arbeitsplatzrechner nur rund 15 Stunden für eine vollständige, dreidimensionale Simulation inklusive Berücksichtigung von Punktdefekten.

Es liegt aber auf der Hand, daß die Berechnung kompletter Prozeßflüsse für dreidimensionale Strukturen nicht das primäre Einsatzgebiet für einen Monte Carlo Simulator darstellt. Bei der heute zur Verfügung stehenden Rechenleistung erscheint es sinnvoll, nur kritische Teile eines Layouts zu simulieren, und die dabei gewonnenen Erkenntnisse für analytische Simulationsmethoden zu nutzen [Bur95, Lor96].

Die Strukturen des simulierten PMOS Transistors (siehe Abbildung 6.34 und 6.38) stammen ebenfalls aus einem Benchmark Prozeßfluß für das PROMPT Projekt. Es handelt sich dabei um einen Standard tex2html_wrap_inline13725 CMOS Prozeß für eine Versorgungsspannung von tex2html_wrap_inline13727.





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