Wie bereits oben erwähnt, spielt durch die Anisotropie des
Siliziumkristalls die Orientierung des Ionenstrahls bezüglich des
,,Targets`` eine außerordentlich wichtige Rolle. Der ,,Wafer`` kann
auf der Implanterhalterung gekippt (,,Tilted``), verdreht
(,,Twisted``) und verschoben werden. Diese Bewegungen legen den
Einfallswinkel des Ionenstrahls in Bezug auf die kristallographische
Orientierung der Siliziumoberfläche fest
(siehe Abbildung 2.7)
.
Abbildung 2.7: Definition von
Kipp- (,,Tilt``) 
und Verdrehungswinkel (,,Twist``)
bezüglich der kristallographischen Ebenen des ,,Wafers``,
vgl. [EK95].