-bodies
Der durch Sourcegebiet, -body und Driftzone gebildete parasitäre
-Bipolartransistor muß stets ausgeschaltet bleiben. Um dies zu
garantieren, wird der -body durch den Sourcekontakt mit dem
Sourcegebiet kurzgeschlossen. Da der -body allerdings einen nicht
vernachlässigbaren Widerstand aufweist, kann lateraler Strom im
-body zu einem so großen Spannungsabfall zwischen der
Kontaktierung des -bodies und dem Kanalgebiet führen,
daß der 
-Übergang leitend wird und Elektronen in den -body
injiziert werden. Dies führt zu Speicherladungen, die das Schaltverhalten
des DMOS-Transistors wesentlich verschlechtern, kann aber auch zum
sog. sekundären Durchbruch (second breakdown) des Bauelements führen
(siehe Abschnitt 4.2). Eine zusätzliche 
-Implantation
zur besseren Kontaktierung des -bodies durch den Sourcekontakt soll
dafür sorgen, daß der Widerstand des -bodies zwischen dem Kanal
und der Kontaktierung des -bodies durch den Sourceanschluß
möglichst gering wird (siehe Kapitel 4).