4.4.1 Der Gatewiderstand

Das in Abb. 4.4 links dargestellte Schaltbild soll das -Verhalten des DMOS-Transistors bei Vorhandensein eines Gatewiderstands (in diesem Fall kann man eigentlich nicht von einem Durchbruch sprechen) veranschaulichen. Über die Gate-Drain-Kapazität, die bei DMOS-Transistoren mit über das Driftgebiet benachbarter Zellen durchgehendem Gateoxid und -kontakt sehr groß ist, fließt der Strom durch den Gatewiderstand und bewirkt damit eine Erhöhung der Gatespannung. Diese ist gegeben durch:

Bewirkt dieses ein Überschreiten der Schwellspannung , dann wird der DMOS-Transistor dadurch eingeschaltet. Da die Schwellspannung mit steigender Temperatur sinkt [128], kann dieser Effekt bei höheren umgesetzten Leistungen schon bei kleinerem einsetzen. Allerdings ist dieses Einschalten i.a. nicht zerstörend, da die Schwellspannung dadurch meist nur wenig überschritten werden kann und der Transistor wie bei einem absichtlichen Einschalten betrieben wird. Dieser Fall ist aber für das Funktionieren der Schaltung dennoch zu unterdrücken. Das kann durch folgende Maßnahmen erreicht werden:

• Der Widerstand des Treiberschaltkreises für das Gate ist niedrig zu halten.
• Es ist ein Bauelement mit ausreichend hoher Schwellspannung zu wählen.

  
Abbildung 4.4: -Durchbruch zufolge des Gatewiderstands (links) und des Basiswiderstands (rechts).