Der -Durchbruch zufolge des Widerstands des -bodies ist in [3], [8] und [67] ausführlich behandelt. Aus Abb. 4.4 erkennt man, daß hierbei der parasitäre Bipolartransistor und der -body-Widerstand wieder eine wesentlich Rolle spielen. Eine Drainspannungsänderung führt zu einem Stromfluß über die Kapazität zwischen Drain und -body und bewirkt am internen Widerstand des -bodies einen Spannungsabfall, der zur Erhöhung des Potentials im -body führt. Damit kann es zum Einschalten des parasitären -Bipolartransistors kommen. Wird der Bipolartransistor bei eingeschaltet, so ist die Grenze für gegeben durch:
Ist die Drainspannung höher als , die Durchbruchspannung des parasitären Bipolartransistors bei offener Basis (siehe Abschnitt 4.2), dann tritt sekundärer Bipolardurchbruch auf. Da dies in der Praxis immer der Fall ist [67], gibt Gleichung 4.19 die Grenze für das Einsetzen des -Durchbruchs an. Dieser Durchbruch kann das Bauelement zerstören, wenn der Drainstrom nicht extern begrenzt wird. Mit dem bereits erwähnten speziellen Design eines DMOS-Transistors, bei dem der -body getrennt kontaktiert werden kann, und verschiedenen externen -body-Widerständen an diesem Kontakt wurde in [67] dieser Effekt experimentell verifiziert.