6.2.3 Die Erweiterung des MOSFET-Modells für lateral nichtkonstanteKanaldotierung

Auf die lateral (in Stromflußrichtung) stark nichtkonstante Kanaldotierung im DMOS-Transistor wurde bereits hingewiesen (vgl. Abschnitt 3.2.1 und Abb. 3.7). Der Einfluß eines in Stromflußrichtung nichtkonstanten Kanaldotierungsprofils auf die MOS-Charakteristika wird in den Abbildungen 6.7 bis 6.10 verifiziert.

In den in der Literatur zu findenden Modellen für den DMOS-Transistor wird diese Eigenheit meist vernachlässigt. Lediglich in [63] wird das nichtkonstante Kanaldotierungsprofil berücksichtigt.

• 6.2.3.1 Der Ansatz von Kim und Fossum
• 6.2.3.2 Das neue -Modell