6.4 Die Driftzone



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6.4 Die Driftzone

 

Für die Modellierung wurde die Epi-Schicht in zwei Bereiche geteilt. Diese sollen JFET-Bereich und Widerstandsbereich genannt werden. Im JFET-Bereich zwischen den -bodies benachbarter DMOS-Zellen tritt für kleine Gatespannungen eine (leichte) laterale Einschnürung des Stromflusses mit steigender Drainspannung auf. Für höhere Gatespannungen (im Bereich der Quasisättigung) ist dies das Gebiet der Driftgeschwindigkeitssättigung in der Epi-Schicht. Im Widerstandsgebiet, das an das JFET-Gebiet zum buried layer hin anschließt, ist die Beweglichkeit der Elektronen weit höher, dies ist das Gebiet der lateralen Aufweitung des Stromflusses. Wie schon am Beginn des Kapitels erwähnt, haben Versuche mit zusätzlichen Akkumulationswiderständen keine Verbesserung der Beschreibung der DMOS-Kennlinien im Vergleich zu Messungen gebracht, deshalb wird das in der Literatur (z.B. [90]) oft eigens modellierte Akkumulationsgebiet vernachlässigt.





Martin Stiftinger
Wed Oct 5 11:53:06 MET 1994