In dieser Region weitet sich das Stromflußgebiet auf, aufgrund des niedrigeren elektrischen Felds ist annähernd die Niederfeldbeweglichkeit relevant. Eine exakte Beschreibung wäre gleich wie im JFET-Bereich sehr aufwendig (oder mit analytischen Mitteln gar unmöglich), da sich auch hier je nach den angelegten Drain- und Gatespannungen unterschiedliche Stromflußgebiete ausbilden (vgl. Abschnitt 5.3). Es ist besonders der Winkel der Stromaufweitung stark spannungsabhängig. Die Abhängigkeiten sind im Bereich der Sättigung verschieden von denen in der Quasisättigung.
Da im Bereich hoher Drainspannungen der JFET-Bereich aufgrund der dort vorherrschenden Driftgeschwindigkeitssättigung dominiert, orientiert sich das entwickelte Modell für den Widerstandsbereich an niedrigen Drainspannungen. Für diese ergibt sich ein Winkel der Stromaufweitung von ca. (vgl. Abb. 5.6, Abb. 5.7 und Abb. 5.10). Dieser Winkel wird oft auch in der Literatur angegeben [52] [63]. Im getroffenen Ansatz wird versucht, mit einem Modell auszukommen, das die wichtigsten Effekte (hier vor allem die Stromaufweitung) berücksichtigt. Die Stromaufweitung wird als rein geometrischer Effekt ohne Spannungsabhängigkeit angenähert [52].
Abbildung 6.13: Die Stromaufweitung im Driftgebiet.
Abb. 6.13 zeigt nun schematisch die Abmessungen im Widerstandsgebiet. Diese sind konsistent mit der Stromeinschnürung im JFET-Gebiet zu bestimmen (das betrifft insbesondere die Größen und ). Die Gesamttiefe in diesem Gebiet wird durch die Tiefe des Übergangs zwischen JFET- und Widerstandsgebiet, die als Modellparameter implementiert ist, bestimmt. Die Stromeinschnürung im JFET-Gebiet legt zusammen mit der Geometrie der DMOS-Zelle und dem ebenfalls als Parameter ausgeführten Stromflußwinkel die Tiefe des nicht stromdurchflossenen Gebiets fest: .
Es sind zwei Fälle zu unterscheiden:
Diese Integration ist unter der Annahme eines konstanten spezifischen Widerstands leicht auszuführen und ergibt:
Das Ergebnis des Integrals ist aus Gleichung 6.123 zu gewinnen, indem gesetzt wird:
Auch hier rechtfertigen die Vergleiche mit Messungen dieses relativ einfache Modell (vgl. Kapitel 7.1).