Die sog. parasitären Elemente beschreiben das Verhalten des
DMOS-Transistors bei Inversbetrieb. Moderne DMOS-Transistoren (darunter
fällt natürlich auch der untersuchte Typ) zeigen wegen des durch die
zusätzliche 
-Implantation im 
-body bewirkten geringen
lateralen Widerstands im -body (
) keine sekundären
Durchbrucheffekte. Daher fehlt im subcircuit aus Abb. 6.1 auch
ein 
-Transistor (mit dem Sourcegebiet als Emitter, dem -body
als Basis und der Driftzone als Kollektor), der im Vorwärtsbetrieb
eingeschaltet wird.
Allerdings hat diese Struktur im Inversbetrieb eine wesentliche Bedeutung. Sie bildet, wie in Abschnitt 5.5.1 gezeigt, für diesen Betriebsfall einen nur sehr schlechten Bipolartransistor, bei dem ein wesentlicher Anteil des Stroms über den Basiskontakt fließt, jedoch kann trotzdem ein Standard-Bipolartransistormodell verwendet werden, wenn die Parameter entsprechend angepaßt werden.
Der parasitäre 
-Transistor zwischen den Source-, Drain- und
,,Bulkknoten`` wird ebenfalls im Modell berücksichtigt. Der ,,Bulkknoten``
entsteht durch die Kontaktierung der zur junction-Isolierung rund um
den DMOS-Transistor eingebrachten -Gebiete, die den Kollektor bilden.
Basis und Emitter werden von Driftgebiet und -body gebildet. Der
,,Bulkkontakt`` ist i.a. auf das tiefste in der Schaltung vorhandene
Potential gelegt, somit ist der -Transistor abgeschaltet. Lediglich
wenn dies nicht der Fall oder die Sourcespannung höher als die
Drainspannung ist (im Inversbetrieb oder bei Schaltvorgängen, etwa bei
Verwendung als high-side switch), wird dieser Transistor
eingeschaltet. Er wird ebenfalls durch ein Standard-Bipolartransistormodell
mit richtig angepaßten Parametern realisiert.
Das dritte parasitäre Element ist der laterale Basiswiderstand im -body. Dieser wird durch einen konstanten Widerstand angenähert. Seine
tatsächlich vorhandene Spannungsabhängigkeit wird in [51]
untersucht. Allerdings werden die Ergebnisse lediglich in Form von Kurven
und nicht als Formeln angegeben. Aufgrund der geringen Bedeutung des
Einflusses dieses Elements kann auf eine genauere Beschreibung im subcircuit verzichtet werden.