6.7 Erweiterungen zum DMOS-Transistor Subcircuit-Modell

Zwei Erweiterungen zum in diesem Kapitel beschriebenen subcircuit-Modell werden im folgenden kurz behandelt. Die erste davon ist für die praktische Verwendbarkeit des Modells sehr wichtig.

• 6.7.1 Die Skalierbarkeit
  • 6.7.1.1 Die Skalierung des Kanal-MOSFET-Modells
  • 6.7.1.2 Die Skalierung des JFET-Modells
  • 6.7.1.3 Die Skalierung des Drainwiderstandsmodells
  • 6.7.1.4 Die Skalierung des Basiswiderstandsmodells
  • 6.7.1.5 Die Skalierung der Gate-Drain-Kapazität
  • 6.7.1.6 Die Skalierung der Bipolartransistormodelle
• 6.7.2 Die Berücksichtigung der Eigenerwärmung des DMOS-Transistors