Die nichtpolare optische Streuung ermöglicht Übergänge zwischen den einzelnen
Bändern. Jedoch wird bei dieser Streuung der impulsabhängige Faktor 
als
konstant angenommen. Deswegen hat diese Art von Wechselwirkung nur eine
untergeordnete Bedeutung in Siliziumdioxid. Die mathematische Behandlung ist
dieselbe wie Kapitel 3.1.2.
Eine andere Erklärung des Elektronentransports in Siliziumdioxid ist von Porod
und Ferry [113][114] vorgeschlagen worden. Dabei werden ähnlich
wie bei Galliumarsenid verschiedene Täler im Leitfähigkeitsband
angenommen. Optische Zwischentalstreuung wird dabei herangezogen, um ein
unbegrenztes Anwachsen der Elektronenenergie bei hohen elektrischen Feldstärken
zu verhindern. Jedoch ist, wenn man die Bandstruktur von Abbildung
3.10 betrachtet, nur eine schwache Anisotropie festzustellen. Weiters
gibt es in einem Energiebereich von ungefähr 
ab der Untergrenze des
Leitfähigkeitsbandes keine Anzeichen für Satellitentäler.