und einer
Gate-Spannungsschrittweite 
.
Durch Wahl eines günstigen
Umschaltpunktes kann ein hybrides Verfahren
die schnelle Konvergenz des Gummel-Verfahrens
aufrechterhalten.
von MOSFETs mit verschiedenen
geometrischen Kanallängen,
dargestellt im quadratischen Maßstab.
Parameter im oberen Bild ist die absolute Temperatur 
,
im unteren Bild die Höhe der
angelegten Gate-Spannungsrampe 
.
beim schnellen Kanalabbau in Abhängigkeit
der geometrischen Kanallänge (oberes Bild).
Abhängigkeit der am Substratkontakt
absorbierten Elektronenladung 
von
der Dauer der fallenden Gate-Spannungsrampe 
für verschiedene geometrische Kanallängen 
(unteres Bild).
bis 
Source-Kontakt,
bis 
Kanal
und 
bis 
Drain-Kontakt.
bis Source-Kontakt,
bis Kanal, bis Drain-Kontakt.
bis Source-Kontakt,
bis Kanal, bis Drain-Kontakt.
Die größten Gradienten im 
-Übergang, verschwindende
Gradienten in den hoch dotierten Kontaktgebieten.
)
(oberes Bild) und Löcherstroms (
)
(unteres Bild) am Source-Kontakt
der vorwärtsgepolten Doppel-Gate-MOS-Diode,
logarithmische Darstellung (x-Achse in Mikrometer)
in 
.
=
(oberes Bild) und =
(unteres Bild) in
linearer Darstellung.
=
(oberes Bild) und =
(unteres Bild) in
logarithmischer Darstellung.
Kanallänge sowie Kontakte und Zwischenräume
jeweils 
.
=
(siehe Pfeil im oberen Bild) im unteren Bild.
, tritt nichtstationäre
Emission ein, was durch Fallen der Kurven erkenntlich ist.
Schwach negative Verschiebung von für die donatorartigen,
positive Verschiebung für die akzeptorartigen Störstellen.
-Übergangskomponenten sowie Summe des
Elektronen-Emissionsstromes
für 
=
für akzeptorartige Störstellen (oberes Bild).
Zeitlicher Verlauf der Quasi-Ferminiveaus und
der Besetzunggrenze der Störstellen in der Kanalmitte
und am metallurgischen -Übergang am Drain (unteres Bild).
ist die Verschiebung des Einsatzpunktes der
Rekombination negativ für die donatorartigen,
positiv für die akzeptorartigen Störstellen.
-Übergangskomponenten sowie Summe des
Löcher-Rekombinationsstromes für
=
akzeptorartiger Störstellen.
-Diode.
am Backinterface
nach Anlegen der Trapezspannung 
am Frontinterface.
(Fallende Rampe von 
, steigende Rampe
von 
, fallende Rampe von 
).
Typischer Einschwingvorgang
des Löchergenerationsstromes am verarmten Backinterface.
Zeitkonstante des Löcher-Einfangprozesses bei der
ersten fallenden Rampe ca. 
. Die Spitzen
im Elektronenrekombinationsstrom tragen zum CP-Signal bei.
-Überganges (zwischen 
-
)
an der Source-Seite der SOI -Diode in .
(oberes Bild) und 
(unteres Bild).
x-Achse ist die
Zeit (in 
, fallende Rampe von
von 
bei 
bis 
bei 
), die y-Achse verläuft am
Backinterface (metallurgischer -Übergang
bei etwa 
=
).
-Überganges (zwischen 
)
an der Source-Seite der SOI -Diode in .
(oberes Bild) und (unteres Bild).
x-Achse ist die
Zeit (in , steigende Rampe von von bei
auf 
bei ), die y-Achse
verläuft am Backinterface
(metallurgischer -Übergang bei etwa =).
in Abhängigkeit der geometrischen Frontgate-Länge
für verschiedene Meßfrequenzen 
. Der Schnittpunkt
der Kurven mit der x-Achse bei 
=
definiert
die effektive Kanallänge 
=
.
in Abhängigkeit des unteren
Frontgate-Spannungspegels 
für verschiedene
Werte von 
.
in Abhängigkeit der
Backgate-Spannung für verschiedene Werte der
uniformen Störstellendichte 
am Backinterface (oberes Bild) bzw. für
verschiedene Werte der homogenen
Substratdotierung 
(unteres Bild).
in Abhängigkeit
von für verschiedene
Werte von 
der Frontgate-Spannung
(oberes Bild, experimentelle Kurven punktiert).
Im unteren Teil sind die Stationärwerte
von 
am Backinterface für die Spitzenwerte
von 
(
) gegeben.
Die Abszissenlage des Maximums von 
korrespondiert gut mit der symmetrischen Lage
der beiden 
bezüglich 
(vertikal strichliert markiert).
an
Front- (FI) und Backinterface (BI):
Invertiertes Backinterface (=
)
bei steigender Flanke der Frontgate-Spannung
im oberen Bild; akkumuliertes
Backinterface (=
)
bei fallender Flanke der Frontgate-Spannung
im unteren Bild.
-BI im oberen Bild und
-BI im unteren Bild
(beide punktiert eingetragen)
erzeugen die parasitäre CP-Komponente.
in Abhängigkeit der Flankensteilheit 
bei =
und in Abhängigkeit
von bei =, beide für
invertiertes (=) und
akkumuliertes (=) Backinterface.
Die dimensionale Komponente erscheint deutlich
bei invertiertem Backinterface und variabler steigender
Flanke (Mechanismus A) bzw. bei
akkumuliertem Backinterface und variabler fallender
Flanke (Mechanismus B).
in Abhängigkeit von den Flankensteilheiten (=)
der Frontgate-Spannung für verschiedene
geometrische Kanallängen 
der -Diode. Resultate für invertiertes (oberes Bild, =)
und akkumuliertes (unteres Bild, =) Backinterface.
), SCG() und CGS()
für den Parameter =
,
im Vergleich;
Löcherstrom-Kontinuitätsgleichung (oberes Bild)
und Elektronenstrom-Kontinuitätsgleichung (unteres Bild).
Erste Gummel-Iteration von MOSFET-1.
) und GMRES(
,)
mit dem Parameter =,; MOSFET-2,
erste Gummel-Iteration.
Löcherstrom-Kontinuitätsgleichung (oberes Bild)
und Elektronenstrom-Kontinuitätsgleichung (unteres Bild).