Abbildung 3.3: Typische Randstruktur eines
DMOS-Transistors.
Wesentlich für das Durchbruchverhalten eines Hochvolt- bzw. Leistungstransistors ist der Abschluß der Struktur an ihrem Rand. Abb. 3.3 zeigt eine häufig verwendete Randstruktur mit den wichtigsten veränderbaren Parametern. Eine zu geringe Oxiddicke an der Stelle des Abschlusses der Feldplatte ergibt dort hohe Feldstärken [25]. Deshalb wird die Oxiddicke (schrittweise) nach außen erhöht [35]. Mit steigenden Dimensionen einer solchen Struktur steigt auch ihre Wirkung, allerdings stark sublinear. Somit kann ein Optimum bezüglich der gewünschten Durchbruchspannung und der verbrauchten Fläche bestimmt werden.