Eine weitere strukturelle Optimierungsmöglichkeit ist in Form einer selbstjustierenden, nichtplanaren DMOS-Zelle in der hier verwendeten Technologie verwirklicht (siehe auch Abschnitt 2.2). In Abb. 3.4 sind eine herkömmliche und die selbstjustierende, nichtplanare Zelle dargestellt. Während die minimale Sourcekontaktöffnung für die herkömmliche Technologie aufgrund von technologischen Randbedingungen auf ca. beschränkt ist [113], erlaubt die nichtplanare Struktur wesentlich kleinere Sourcekontaktöffnungen. Damit fällt eine für die quantitative Optimierung der Zellgeometrie vorgegebene Grenze weg (siehe Abschnitt 3.2.2).
Abbildung 3.4: Gegenüberstellung einer herkömmlichen
und einer selbstjustierenden, nichtplanaren Sourcekontaktöffnung eines
DMOS-Transistors.