Eine weitere strukturelle Optimierungsmöglichkeit ist in Form einer
selbstjustierenden, nichtplanaren DMOS-Zelle in der hier verwendeten
Technologie verwirklicht (siehe auch Abschnitt 2.2). In
Abb. 3.4 sind eine herkömmliche und die selbstjustierende,
nichtplanare Zelle dargestellt. Während die minimale Sourcekontaktöffnung
für die herkömmliche Technologie aufgrund von technologischen
Randbedingungen auf ca. 
beschränkt ist [113], erlaubt
die nichtplanare Struktur wesentlich kleinere Sourcekontaktöffnungen. Damit
fällt eine für die quantitative Optimierung der Zellgeometrie vorgegebene
Grenze weg (siehe Abschnitt 3.2.2).
Abbildung 3.4: Gegenüberstellung einer herkömmlichen
und einer selbstjustierenden, nichtplanaren Sourcekontaktöffnung eines
DMOS-Transistors.