DIE numerische Simulation der elektrischen Eigenschaften ist ein wesentliches Mittel geworden, um Einsicht in die physikalische Funktionsweise von Halbleiterbauelementen zu gewinnen. Obwohl diese Simulationen nur eine Annäherung an die Wirklichkeit darstellen, erlauben sie, ,,in das Bauelement hineinzuschauen``. Simulationen liefern - neben dem Vorteil, daß sie wesentlich schneller, einfacher und billiger als das Fertigen von Prototypen und deren meßtechnische Charakterisierung durchgeführt werden können - zusätzlich die Verteilungen von Größen wie Potential, Elektronen- und Löcherkonzentrationen im Inneren des Bauelements.
Besonders für die Entwicklung von physikalisch motivierten Kompaktmodellen für die Schaltungssimulation ist das Erkennen und Verständnis der dem Bauelementverhalten zugrundeliegenden physikalischen Mechanismen notwendig. Es können durch die numerische Bauelementsimulation die wesentlichen Effekte und ihre Abhängigkeiten (z.B. von Spannungen) identifiziert werden. Voraussetzung dafür ist natürlich, daß die physikalischen Modelle im Bauelementsimulator eine genügend gute Annäherung an die Realität erlauben.
Die strukturelle Verwandtschaft des vertikalen DMOS-Transistors mit einem
Standard-MOSFET erlaubt die Verwendung von MINIMOS [37]. Dabei wird
von einer normalen MOSFET-Struktur ausgegangen. Der Drainkontakt des MOSFETs
wird als zweiter Sourcekontakt des DMOS-Transistors verwendet, der
Bulkkontakt des MOSFETs dient als Drainkontakt. Statt eines MOSFETs werden
zwei Halbzellen eines DMOS-Transistors simuliert, statt einer
-Struktur in lateraler Richtung an der Siliziumoberfläche wird
eine 
-Struktur verwendet (siehe auch
Abb. 5.1 und Abb. 5.2). Obwohl die Simulation
einer Halbzelle ausreichen würde, erweist sich die Simulation des
DMOS-Transistors mit dem MOSFET-Simulator MINIMOS als sehr effizient.
Neben den wesentlich geringeren Rechenzeiten ist die einfache Bedienung im
Vergleich zu den für allgemeine Strukturen verwendbaren Simulatoren BAMBI
[39] und PISCES [94] oder MEDICI [119] ein großer
Vorteil. Außerdem sind in MINIMOS alle für die Simulation von
MOS-Bauelementen wesentlichen physikalischen Modelle implementiert und mit
sinnvollen Standardwerten versehen. Dies betrifft etwa die durch die
Rauhigkeit der 
-
-Grenzschicht bedingte Beweglichkeitsabnahme in
Abhängigkeit von der Entfernung zu dieser Grenzschicht [106].