6.2.1.3 Geschlossen lösbare Modelle



next up previous contents
Next: 6.2.2 Ein geschlossen lösbares Up: 6.2.1 Überblick und Herleitung Previous: 6.2.1.2 Das Charge Sheet

6.2.1.3 Geschlossen lösbare Modelle

 

Vereinfachung 6:
Für das Gebiet der starken Inversion ist der Diffusionsstrom vernachlässigbar.

Damit läßt sich für den Bereich der starken Inversion Gleichung 6.3 schreiben als:

 

Es gilt also

 

und aus Abb. 6.2 ergibt sich:

 

ist das klassische Kriterium für starke Inversion, wird durch ersetzt ( ist die auf Source bezogene Kanalspannung). Man kann somit den Drainstrom anschreiben als:

 

Es gibt nun mehrere Ansätze, zu bestimmen:

Modell erster Ordnung:
Dieses Modell [101][110] geht davon aus, daß die Bulkverarmungsladung konstant über die gesamte Kanallänge und unabhängig von der Drain-Source-Spannung ist. Damit ist auch konstant entlang des Kanals und Gleichung 6.14 ergibt sich zu:

 

ist die Schwellspannung:

 

Für gilt für den Drainstrom:

 

Oberhalb der sog. Sättigungsspannung erhält man:

 

Bei der Sättigungsspannung ist am drainseitigen Kanalende die Inversionsbedingung nicht mehr erfüllt. Bei einem weiteren Erhöhen der Drainspannung (bei konstanter Gatespannung) wandert dieser sog. pinch-off-Punkt sourcewärts. Zwischen dem Ende des Kanals (pinch-off-Punkt) und Source liegt die Spannung . Ersetzt man durch , so erhält man aus Gleichung 6.25 die Gleichung 6.26. Zwischen dem pinch-off-Punkt und dem Drain gibt es keine Inversionsschicht mehr, die Ladungsträger bewegen sich in dem dort herrschenden starken elektrischen Feld mit Sättigungsgeschwindigkeit. Mit der Verlagerung des pinch-off-Punkts in Richtung Source sinkt die effektive Kanallänge, der Drainstrom steigt also mit steigender Drainspannung leicht an. Dies wird in diesem Modell durch den Faktor (siehe Gleichung 6.26) zu modellieren versucht.

Bulkladungsmodell
Das Modell erster Ordnung liefert zu große Werte für den Drainstrom und die Sättigungsspannung. Das Bulkladungsmodell [56] geht von der ursprünglichen Gleichung 6.14 für die Inversionsladung aus. Diese wird mit Gleichung 6.21 in Gleichung 6.22 eingesetzt und ergibt:

 

Dieses Modell berücksichtigt die sich entlang des Kanals verändernde Bulkverarmungsladung. Gleichung 6.27 gilt bis zur Sättigungsspannung, die sich bei diesem Modell ergibt zu (für ist durch zu ersetzen):

 

Wurzelapproximation:
Da die Ausdrücke für das Bulkladungsmodell relativ kompliziert sind, wurde versucht, speziell die Terme zur Potenz wieder zu vereinfachen. Diese Terme kommen vom Ausdruck in der Gleichung für . Dieser Term wird nun durch approximiert [42][109]. Die einfachste Methode zur Bestimmung von ist eine Reihenentwicklung des Ausdrucks um nach . Es ergibt sich . In [6] werden weitere Approximationen für zusammengefaßt, in [24] werden mehrere sekundäre Effekte in subsumiert.

Als Drainstrom ergibt sich für dieses Modell im linearen Bereich ():

 

Mit einer Sättigungsspannung von ergibt sich der Strom im Sättigungsbereich zu:

 

Die bislang in diesem Abschnitt vorgestellten Formeln gelten nur für den Bereich der starken Inversion. Im folgenden sollen Formeln für geschlossen lösbare MOSFET-Modelle für Gatespannungen unter der Schwellspannung diskutiert werden.

Im Gegensatz zum Gebiet der starken Inversion ist im Gebiet der schwachen Inversion (, dies ist gleichbedeutend mit ) lediglich der Diffusionsterm in der Stromformel 6.3 von Bedeutung. Mit Gleichung 6.5 und der Einsteinrelation () folgt:

 

Setzt man Gleichung 6.18 in Gleichung 6.14 ein, so erhält man für die Inversionsladung:

 

Da mit der Exponentialterm unter der ersten Wurzel in Gleichung 6.32 viel kleiner als ist, kann diese erste Wurzel linearisiert werden:

  

In der schwachen Inversion kann diese Inversionsladung allerdings gegenüber der Verarmungsladung vernachlässigt werden. Damit müssen die Anteile und aus Gleichung 6.14 näherungsweise gleich sein. Daraus kann man das Oberflächenpotential für schwache Inversion bestimmen [65]:

 

Damit kann der Drainstrom in der schwachen Inversion ausgedrückt werden als:

 

Man kann diese Formel umschreiben als [6]:

 

Der Drainstrom unterhalb der Schwellspannung steigt somit exponentiell mit der Gatespannung. Da die Kurven für starke und schwache Inversion bei den geschlossen lösbaren MOSFET-Modellen nicht stetig ineinander übergehen, soll im nächsten Abschnitt ein geschlossen lösbares Modell vorgestellt werden, das diesen Nachteil nicht aufweist. Außerdem soll noch erwähnt werden, daß natürlich in der Praxis keine konstante Beweglichkeit in den Schaltungsmodellen verwendet wird, sondern eine effektive, in Abhängigkeit von diversen Größen (etwa Spannungen) modellierte Beweglichkeit nach der Herleitung der Gleichungen in diese eingesetzt wird.



next up previous contents
Next: 6.2.2 Ein geschlossen lösbares Up: 6.2.1 Überblick und Herleitung Previous: 6.2.1.2 Das Charge Sheet



Martin Stiftinger
Wed Oct 5 11:53:06 MET 1994