Das hier vorgestellte Analog-MOSFET-Modell wurde als Modell für den Kanal des DMOS-Transistors verwendet. Es lehnt sich stark an [24] an, ist jedoch in Hinblick auf das lateral nichtkonstante Dotierungsprofil des DMOS-Transistors erweitert worden. Es handelt sich um ein Modell, dessen getrennte Beschreibungen in den Bereichen schwache und starke Inversion durch Übergangsfunktionen so miteinander verbunden sind, daß die errechneten Größen über alle Betriebsbereiche stetig sind.
Dieses Modell basiert auf der im vorigen Abschnitt vorgestellten Wurzelapproximation zur Bestimmung der Inversionsladung. Es ergibt sich damit die schon aus Gleichung 6.29 bekannte Formel für den Drainstrom:
Der wesentliche Unterschied zu Gleichung 6.29 liegt in der Verwendung von ,,effektiven`` Größen.
