Die Skalierung des JFET-Modells ist als einzige etwas komplizierter. Der
Stromsättigungseffekt an den Rändern eines Blocks ist, da der
Strom nicht zwischen zwei 
-bodies benachbarter DMOS-Zellen
eingeschnürt ist, weitaus geringer als im Inneren eines Blocks. Damit wird
eine andere pinch-off-Spannung wirksam. Dieses Problem wurde dadurch
gelöst, daß zwei JFET-Modelle mit unterschiedlichen Parametern parallel
geschaltet werden.
Die Weite des einen JFET-Modells ist mit der Zahl der ,,inneren Zellen``, die des zweiten mit der Zahl der Randzellen zu gewichten. Damit ergeben sich die Weiten im skalierten Modell zu (vgl. Gleichung 6.118):
Der wesentliche Unterschied in den Modellparametern der beiden parallelen
JFET-Modelle liegt in den Werten für 
(siehe Gleichung 6.119) und
den der pinch-off-Spannungen 
.
