PhD Theses
| 176. | Stampfer, P. (2024). Advanced Electrial Characterization of Defects in Silicon Photodiodes Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2024.121303 (reposiTUm) | |
| 175. | Cvitkovich, L. (2024). Atomistic Modeling of Si Spin Qubits From First Principles Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2024.123305 (reposiTUm) | |
| 174. | Milardovich, D. (2024). Bridging Molecular Dynamics and Neuroscience : Machine Learning for Efficient Simulations and Biomedical Signal Processing Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2024.121663 (reposiTUm) | |
| 173. | Stephanie, M. V. (2024). Design and Evaluation of Photonic Neural Network for Hardware-Accelerated Artificial Intelligence Applications Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2024.124850 (reposiTUm) | |
| 172. | Wilhelmer, C. (2024). Impact of Charge Transitions at Atomic Defect Sites on Electronic Device Performance Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2024.126323 (reposiTUm) | |
| 171. | Ender, J. (2024). Machine Learning-Enhanced Numerical Modeling of Modern Magnetoresistive Memories Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2024.118820 (reposiTUm) | |
| 170. | Waldhör, D. (2024). Multiscale Modeling of Defect-Related Reliability Phenomena in Nanoelectronics Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2024.126322 (reposiTUm) | |
| 169. | Feil, M. W. (2024). Radiative and Non-Radiative Phenomena During Gate-Switching in Silicon Carbide Power MOSFETs Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2024.124662 (reposiTUm) | |
| 168. | Tselios, K. (2024). Statistical Analysis of Reliability and Variability Effects in CMOS Technologies Based on Single-Defect Spectroscopy Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2024.120226 (reposiTUm) | |
| 167. | Fiorentini, S. (2023). Computation of Torques in Magnetic Tunnel Junctions Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2023.109800 (reposiTUm) | |
| 166. | Lenz, C. (2023). Hierarchical Grid Algorithms for Topography Simulation Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2023.115141 (reposiTUm) | |
| 165. | Aguinsky, L. F. (2022). Phenomenological Modeling of Reactive Single-Particle Transport in Semiconductor Processing Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2023.107502 (reposiTUm) | |
| 164. | Michl, J. D. (2022). Charge Trapping and Variability in CMOS Technologies at Cryogenic Temperatures Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2022.105545 (reposiTUm) | |
| 163. | Klemenschits, X.: Emulation and Simulation of Microelectronic Fabrication Processes Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): L. Filipovic, A. Erdmann, H. Pottmann; Institut für Mikroelektronik, 2022; Rigorosum: 08.04.2022. | |
| 162. | Schleich, C. (2022). Modeling of Defect Related Reliability Phenomena in SiC Power-MOSFETs Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2022.105546 (reposiTUm) | |
| 161. | Quell, M.: Parallel Velocity Extension and Load-Balanced Re-Distancing on Hierarchical Grids for High Performance Process TCAD Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): J. Weinbub, E. Gröller, M. Sussman; Institut für Mikroelektronik, 2022; Rigorosum: 13.01.2022. https://doi.org/10.34726/hss.2022.97084 | |
| 160. | Ruch, B.: "Hot-Carrier Degradation in Planar and Trench Si-MOSFETs"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, C. Jungemann, P. Hadley; Institut für Mikroelektronik, 2021; Rigorosum: 15.03.2021. | |
| 159. | Toifl, A.: Numerical Methods for Three-Dimensional Selective Epitaxy and Anisotropic Wet Etching Simulations Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): J. Weinbub, U. Schmid, L.-T. Cheng; Institut für Mikroelektronik, 2021; Rigorosum: 19.08.2021. https://doi.org/10.34726/hss.2021.91744 | |
| 158. | Knobloch, T.: "On the Electrical Stability of 2D Material-Based Field-Effect Transistors"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, P. Hurley, G. Düsberg; Institut für Mikroelektronik, 2021; Rigorosum: 22.12.2021. | |
| 157. | Sharma, P.: Predictive and Efficient Modeling of Hot Carrier Degradation with Drift-Diffusion Based Carrier Transport Models Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, S. Reggiani, A. Bravaix; Institut für Mikroelektronik, 2021; Rigorosum: 26.02.2021. | |
| 156. | Stampfer, B.: "Advanced Electrical Characterization of Charge Trapping in MOS Transistors"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Nafria Maqueda, F. M. Puglisi; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 04.12.2020. | |
| 155. | Berens, J.: "Carrier Mobility and Reliability of 4H-SiC Trench MOSFETs"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, J. Cooper, P. Pichler; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 22.12.2020. | |
| 154. | Gnam, L.: High Performance Mesh Adaptation for Technology Computer-Aided Design Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): J. Weinbub, J. Schöberl, N. Hitschfeld Kahler; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 24.03.2020. https://doi.org/10.34726/hss.2020.76784 | |
| 153. | Waschneck, K.: "Modeling Bias Temperature Instability in Si and SiC MOSFETs using Activation Energy Maps"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, J. Schmitz, S. Reggiani; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 07.12.2020. | |
| 152. | Baumgartner, O.: "Numerical Modeling of Multilayer Semiconductor Devices"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, W. Weber, C. Sampedro; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 05.03.2020. | |
| 151. | Jech, M.: "The Physics of Non-Equilibrium Reliability Phenomena"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Luisier, A. Bravaix; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 19.11.2020. | |
| 150. | Kampl, M.: Investigating Hot-Carrier Effects using the Backward Monte Carlo Method Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, A. Garcia Loureiro, G. Hobler; Institut für Mikroelektronik, 2019; Rigorosum: 05.04.2019. https://doi.org/10.34726/hss.2019.65003 | |
| 149. | Koller, C.: "The Role of Carbon in Creating Insulating Behavior in GaN-on-Si Buffers: A Physical Model"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): D. Pogany, T. Grasser, T. Uren; Institut für Festkörperelektronik, 2019; Rigorosum: 22.01.2019. | |
| 148. | Rescher, G.: Behavior of SiC-MOSFETs under Temperature and Voltage Stress Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, P. Hadley, J. Cooper; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 13.11.2018. https://doi.org/10.34726/hss.2018.60783 | |
| 147. | Grill, A.: "Charge Trapping and Single-Defect Extraction in Gallium-Nitride Based MIS-HEMTs"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, G. Meneghesso, D. Pogany; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 22.10.2018. | |
| 146. | Manstetten, P.: Efficient Flux Calculations for Topography Simulation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, J. Weinbub, M. Wimmer, H. Köstler; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 28.06.2018. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57263 | |
| 145. | Rzepa, G.: Efficient Physical Modeling of Bias Temperature Instability Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, L. Larcher, F. Crupi; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 27.06.2018. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57326 | |
| 144. | Ullmann, B.: Mixed Negative Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Stress Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, J. Schmitz, S. Reggiani; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 28.06.2018. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57328 | |
| 143. | Rott, G.A.: "Negative Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Degradation of 130 nm Technology Transistors including Recovery Effects"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, J. Schmitz, S. Reggiani; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 28.06.2018. | |
| 142. | Simonka, V.: Thermal Oxidation and Dopant Activation of Silicon Carbide Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, J. Weinbub, Y. Hijikata, U. Schmid; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 05.11.2018. https://doi.org/10.34726/hss.2018.60302 | |
| 141. | Wimmer, Y.: Hydrogen Related Defects in Amorphous SiO2 and the Negative Bias Temperature Instability Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Watkins, P. Mohn; Institut für Mikroelektronik, 2017; Rigorosum: 27.11.2017. https://doi.org/10.34726/hss.2017.51306 | |
| 140. | Stradiotto, R.: Characterization of Electrically Active Defects at III-N/Dielectric Interfaces Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, G. Meneghesso; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 16.12.2016. https://doi.org/10.34726/hss.2016.41581 | |
| 139. | Rovitto, M.: Electromigration Reliability Issue in Interconnects for Three-Dimensional Integration Technologies Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ceric, K. Weide-Zaage; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 13.12.2016. | |
| 138. | Zisser, W. H.: Electromigration in Interconnect Structures Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, M. Kaltenbacher; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 21.06.2016. https://doi.org/10.34726/hss.2016.37905 | |
| 137. | Waltl, M.: Experimental Characterization of Bias Temperature Instabilities in Modern Transistor Technologies Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, D. Schmitt-Landsiedel; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 09.09.2016. https://doi.org/10.34726/hss.2016.38201 | |
| 136. | Papaleo, S.: Mechanical Reliability of Open Through Silicon Via Structures for Integrated Circuits Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ceric, O. Thomas; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 19.12.2016. | |
| 135. | Ghosh, J.: Modeling Spin-Dependent Transport in Silicon Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): V. Sverdlov, M. Bescond; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 03.03.2016. | |
| 134. | Ghosh, J. (2016). Modeling of Spin-Dependent Transport in Silicon Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.36140 (reposiTUm) | |
| 133. | Stanojevic, Z.: "Physical Mobility Modeling for TCAD Device Simulation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, F. Gamiz; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 26.09.2016. | |
| 132. | Rudolf, F.: Symmetry- and Similarity-Aware Volumetric Meshing Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, J. Weinbub, H. Pottmann; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 10.11.2016. https://doi.org/10.34726/hss.2016.40647 | |
| 131. | Ellinghaus, P.: Two-Dimensional Wigner Monte Carlo Simulation for Time-Resolved Quantum Transport with Scattering Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, I. Dimov; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 25.02.2016. https://doi.org/10.34726/hss.2016.35764 | |
| 130. | Illarionov, Yu.: Characterization and Modeling of Charged Defects in Silicon and 2D Field-Effect Transistors Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, L. Larcher; Institut für Mikroelektronik, 2015; Rigorosum: 18.12.2015. https://doi.org/10.34726/hss.2016.34580 | |
| 129. | Coppeta, R.: Dislocation Modeling in III-Nitrides Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, A. Köck; Institut für Mikroelektronik, 2015; Rigorosum: 15.06.2016. https://doi.org/10.34726/hss.2015.30571 | |
| 128. | Moradinasab, M.: Optical Properties of Semiconductor Nanostructures Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, T. Fromherz; Institut für Mikroelektronik, 2015; Rigorosum: 24.04.2015. https://doi.org/10.34726/hss.2015.29704 | |
| 127. | Illarionov, Yu.: "Tunnel Carrier Transport and Related Physical Phenomena in Gold - Calcium Fluoride - Silicon (111) Structures"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): M. I. Vexler, A. Baraban, L. Goray; Ioffe Institute, 2015; Rigorosum: 22.01.2015. | |
| 126. | Singulani, A. P.: Advanced Methods for Mechanical Analysis and Simulation of Through Silicon Vias Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, O. Thomas; Institut für Mikroelektronik, 2014; Rigorosum: 07.07.2014. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24806 | |
| 125. | Bina, M.: Charge Transport Models for Reliability Engineering of Semiconductor Devices Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, C. Jungemann; Institut für Mikroelektronik, 2014; Rigorosum: 25.03.2014. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24463 | |
| 124. | Mahmoudi, H.: Devices and Circuits for Stateful Logic and Memristive Sensing Applications Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): V. Sverdlov, B. Meinerzhagen; Institut für Mikroelektronik, 2014; Rigorosum: 28.04.2014. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24465 | |
| 123. | Weinbub, J.: Frameworks for Micro- and Nanoelectronics Device Simulation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, A. Asenov; Institut für Mikroelektronik, 2014; Rigorosum: 17.02.2014. https://doi.org/10.34726/hss.2014.23675 | |
| 122. | Osintsev, D.: Modeling Spintronic Effects in Silicon Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): V. Sverdlov, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2014; Rigorosum: 28.05.2014. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24842 | |
| 121. | Makarov, A.: Modeling of Emerging Resistive Switching Based Memory Cells Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): V. Sverdlov, S. Cristoloveanu; Institut für Mikroelektronik, 2014; Rigorosum: 18.03.2014. https://doi.org/10.34726/hss.2014.23875 | |
| 120. | Schanovsky, F.: Atomistic Modeling in the Context of the Bias Temperature Instability Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, A. Schenk; Institut für Mikroelektronik, 2013; Rigorosum: 19.03.2013. https://doi.org/10.34726/hss.2013.28781 | |
| 119. | Starkov, I.: Comprehensive Physical Modeling of Hot-Carrier Induced Degradation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Gröschl; Institut für Mikroelektronik, 2013; Rigorosum: 14.01.2013. | |
| 118. | Pobegen, G.: "Degradation of Electrical Parameters of Power Semiconductor Devices - Process Influences and Modeling"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, P. Hadley; Institut für Mikroelektronik, 2013; Rigorosum: 05.12.2013. | |
| 117. | Huang, R.: "Stress and Microstructural Evolution of Electroplated Copper Films"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, G. Dehm; Institut für Mikroelektronik, 2013; Rigorosum: 09.01.2013. | |
| 116. | Karamitaheri, H.: Thermal and Thermoelectric Properties of Nanostructures Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, E. Bauer; Institut für Mikroelektronik, 2013; Rigorosum: 18.07.2013. https://doi.org/10.34726/hss.2013.29976 | |
| 115. | Triebl, O.: Reliability Issues in High-Voltage Semiconductor Devices Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Gröschl; Institut für Mikroelektronik, 2012; Rigorosum: 24.10.2012. https://doi.org/10.34726/hss.2012.27576 | |
| 114. | Filipovic, L.: Topography Simulation of Novel Processing Techniques Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Vasileska; Institut für Mikroelektronik, 2012; Rigorosum: 17.12.2012. | |
| 113. | Hehenberger, Ph.: Advanced Characterization of the Bias Temperature Instability Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Gröschl; Institut für Mikroelektronik, 2011; Rigorosum: 14.12.2011. https://doi.org/10.34726/hss.2011.24894 | |
| 112. | Rupp, K.: Deterministic Numerical Solution of the Boltzmann Transport Equation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, C. Jungemann; Institut für Mikroelektronik, 2011; Rigorosum: 19.12.2011. https://doi.org/10.34726/hss.2011.24957 | |
| 111. | Gös, W.: Hole Trapping and the Negative Bias Temperature Instability Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2011; Rigorosum: 22.12.2012. https://doi.org/10.34726/hss.2011.25057 | |
| 110. | Milovanovic, G.: Numerical Modeling of Quantum Cascade Lasers Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2011; Rigorosum: 30.03.2011. https://doi.org/10.34726/hss.2011.22142 | |
| 109. | Schwaha, P.: Beyond Atavistic Structures in Scientific Computing Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, I. Dimov; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 22.12.2010. https://doi.org/10.34726/hss.2010.21210 | |
| 108. | Orio, R.: Electromigration Modeling and Simulation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, J. W. Swart; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 04.06.2010. | |
| 107. | Windbacher, T.: Engineering Gate Stacks for Field-Effect Transistors Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, J. Summhammer; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 25.06.2010. | |
| 106. | Ertl, O.: Numerical Methods for Topography Simulation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 07.05.2010. https://doi.org/10.34726/hss.2010.001 | |
| 105. | Aichinger, T.: On the Role of Hydrogen in Silicon Device Degradation and Metalization Processing Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, H. Hutter; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 01.09.2010. https://doi.org/10.34726/hss.2010.20283 | |
| 104. | Vitanov, S.: Simulation of High Electron Mobility Transistors Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, R. Quay; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 20.12.2010. https://doi.org/10.34726/hss.2010.21514 | |
| 103. | Vasicek, M.: Advanced Macroscopic Transport Models Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, J. Summhammer; Institut für Mikroelektronik, 2009; Rigorosum: 12.10.2009. https://doi.org/10.34726/hss.2009.17390 | |
| 102. | Karlowatz, G.: Advanced Monte Carlo Simulation for Semiconductor Devices Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, E. Benes; Institut für Mikroelektronik, 2009; Rigorosum: 24.06.2009. https://doi.org/10.34726/hss.2009.16312 | |
| 101. | Poschalko, C.: The Simulation of Emission from Printed Circuit Boards under a Metallic Cover Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, G. Brasseur; Institut für Mikroelektronik, 2009; Rigorosum: 20.11.2009. https://doi.org/10.34726/hss.2009.17297 | |
| 100. | Li, L.: Charge Transport in Organic Semiconductor Materials and Devices Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2008; Rigorosum: 08.02.2008. https://doi.org/10.34726/hss.2007.06698444 | |
| 99. | Nentchev, A.: Numerical Analysis and Simulation in Microelectronics by Vector Finite Elements Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2008; Rigorosum: 31.01.2008. https://doi.org/10.34726/hss.2008.10738 | |
| 98. | Spevak, M.: On the Specification and the Assembly of Discretized Differential Equations Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Praetorius; Institut für Mikroelektronik, 2008; Rigorosum: 03.03.2008. https://doi.org/10.34726/hss.2008.10851 | |
| 97. | Ungersböck, E.: Advanced Modeling of Strained CMOS Technology Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 23.04.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.8326 | |
| 96. | Schweda, J.: "Analysis of Shift Mechanisms in BiCMOS Hall Devices with Scope of a Precise SPICE Simulation Model"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): K. Riedling, S. Selberherr; Institut für Sensor- und Aktuatorsysteme, 2007; Rigorosum: 16.04.2007. | |
| 95. | Dhar, S.: Analytical Mobility Models for Strained Silicon-Based Devices Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, G. Magerl; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 30.08.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.9404 | |
| 94. | Heinzl, R.: Concepts for Scientific Computing Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Purgathofer; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 18.09.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.9483 | |
| 93. | Kim, H.: "Design, Simulation and Fabrication of Micro/Nano Functional Structures Using ION Beams"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): G. Hobler, H. Kosina; Institut für Festkörperelektronik, 2007; Rigorosum: 20.04.2007. | |
| 92. | Wessner, W.: Mesh Refinement Techniques for TCAD Tools Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Purgathofer; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 09.01.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2006.7320 | |
| 91. | Wittmann, R.: Miniaturization Problems in CMOS Technology: Investigation of Doping Profiles and Reliability Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 27.02.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.7645 | |
| 90. | Entner, R.: Modeling and Simulation of Negative Bias Temperature Instability Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, G. Magerl; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 13.08.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.10123 | |
| 89. | Hollauer, Ch.: Modeling of Thermal Oxidation and Stress Effects Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, M. Vellekoop; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 18.04.2007. | |
| 88. | Pourfath, M.: Numerical Study of Quantum Transport in Carbon Nanotube-Based Transistors Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 03.07.2007. | |
| 87. | Holzer, S.: Optimization for Enhanced Thermal Technology CAD Purposes Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, H. Schichl; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 28.06.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.8993 | |
| 86. | Wagner, M.: Simulation of Thermoelectric Devices Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 18.12.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.06623909 | |
| 85. | Minixhofer, R. (2006). Integrating Technology Simulation Into the Semiconductor Manufacturing Environment Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2006.5439 (reposiTUm) | |
| 84. | Minixhofer, R.: Integration Technology Simulation into the Semiconductor Manufacturing Environment Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Pribyl; Institut für Mikroelektronik, 2006; Rigorosum: 31.03.2006. https://doi.org/10.34726/hss.2006.5439 | |
| 83. | Sheikholeslami, A.: Topography Simulation of Deposition and Etching Processes Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, K. Riedling; Institut für Mikroelektronik, 2006; Rigorosum: 06.10.2006. | |
| 82. | Blaho, M.: "Experimental Characterisation of Smart Power Technology Devices Stressed by High Energy Pulses"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): E. Gornik, E. Langer; Institut für Festkörperelektronik, 2005; Rigorosum: 03.10.2005. | |
| 81. | Ceric, H.: Numerical Techniques in Modern TCAD Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2005; Rigorosum: 29.04.2005. https://doi.org/10.34726/hss.2005.3221 | |
| 80. | Wagner, S.: Small-Signal Device and Circuit Simulation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2005; Rigorosum: 22.04.2005. https://doi.org/10.34726/hss.2005.3091 | |
| 79. | Park, J.M.: Novel Power Devices for Smart Power Applications Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2004; Rigorosum: 07.12.2004. https://doi.org/10.34726/hss.2004.1715 | |
| 78. | Kosik, R.: Numerical Challenges on the Road to NanoTCAD Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, Ch. Schmeiser; Institut für Mikroelektronik, 2004; Rigorosum: 09.09.2004. https://doi.org/10.34726/hss.2004.1116 | |
| 77. | Ayalew, T.: SiC Semiconductor Devices Technology, Modeling and Simulation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2004; Rigorosum: 26.02.2004. https://doi.org/10.34726/hss.2004.04281063 | |
| 76. | Cervenka, J.: Three-Dimensional Mesh Generation for Device and Process Simulation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2004; Rigorosum: 20.10.2004. https://doi.org/10.34726/hss.2004.1458 | |
| 75. | Smirnov, S.: Physical Modeling of Electron Transport in Strained Silicon and Silicon-Germanium Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, K. Unterrainer; Institut für Mikroelektronik, 2003; Rigorosum: 17.12.2003. | |
| 74. | Gehring, A.: Simulation of Tunneling in Semiconductor Devices Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2003; Rigorosum: 05.12.2003. | |
| 73. | Rodriguez-Torres, R.: Three-Dimensional Simulation of Split-Drain MAGFETs Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2003; Rigorosum: 13.05.2003. https://doi.org/10.34726/hss.2003.03817587 | |
| 72. | Rodríguez Torres, R. (2003). Three-Dimensional Simulations of Split-Drain MAGFETs Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2003.03817587 (reposiTUm) | |
| 71. | Gritsch, M.: Numerical Modeling of Silicon-on-Insulator MOSFETs Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2002; Rigorosum: 20.12.2002. https://doi.org/10.34726/hss.2002.03697025 | |
| 70. | Harlander, C.: Numerische Berechnung von Induktivitäten in dreidimensionalen Verdrahtungsstrukturen Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2002; Rigorosum: 12.12.2002. https://doi.org/10.34726/hss.2002.03696933 | |
| 69. | Binder, T.: Rigorous Integration of Semiconductor Process and Device Simulators Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2002; Rigorosum: 30.12.2002. | |
| 68. | Heitzinger, C.: Simulation and Inverse Modeling of Semiconductor Manufacturing Processes Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, R. Chabicovsky; Institut für Mikroelektronik, 2002; Rigorosum: 20.12.2002. https://doi.org/10.34726/hss.2002.03696962 | |
| 67. | Klima, R.: Three-Dimensional Device Simulation with Minimos-NT Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2002; Rigorosum: 19.12.2002. | |
| 66. | Quay, R.: Analysis and Simulation of High Electron Mobility Transistors Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2001; Rigorosum: 18.09.2001. https://doi.org/10.34726/hss.2001.03341873 | |
| 65. | Sabelka, R.: Dreidimensionale Finite Elemente Simulation von Verdrahtungsstrukturen auf Integrierten Schaltungen Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2001; Rigorosum: 21.05.2001. https://doi.org/10.34726/hss.2001.03227950 | |
| 64. | Dragosits, K.: Modeling and Simulation of Ferroelectric Devices Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Hauser; Institut für Mikroelektronik, 2001; Rigorosum: 29.01.2001. https://doi.org/10.34726/hss.2000.03228781 | |
| 63. | Troger, C.: Modellierung von Quantisierungseffekten in Feldeffekttransistoren Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2001; Rigorosum: 18.06.2001. | |
| 62. | Lorenz, J.: "Diskretisierung und Gittergeneration für die mehrdimensionale Simulation von Implantation und Diffusion"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ryssel, S. Selberherr; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg und Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 28.04.2000. | |
| 61. | Pyka, W.: Feature Scale Modeling for Etching and Deposition Processes in Semiconductor Manufacturing Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 11.05.2000. | |
| 60. | Fleischmann, P.: Mesh Generation for Technology CAD in Three Dimensions Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 24.02.2000. https://doi.org/10.34726/hss.1999.03012084 | |
| 59. | Mlekus, R.: Object-Oriented Algorithm and Model Management in TCAD Applications Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 13.01.2000. | |
| 58. | Stockinger, M.: Optimization of Ultra-Low-Power CMOS Transistors Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 25.01.2000. | |
| 57. | Palankovski, V.: Simulation of Heterojunction Bipolar Transistors Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 12.12.2000. https://doi.org/10.34726/hss.2000.03142613 | |
| 56. | Hössinger, A.: Simulation of Ion Implantation for ULSI Technology Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 11.09.2000. | |
| 55. | Grasser, T.: Mixed-Mode Device Simulation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 21.05.1999. https://doi.org/10.34726/hss.1999.02581881 | |
| 54. | Escadas Ramos Martins, R.M.: On the Design of Very Low Power Integrated Circuits Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 25.02.1999. | |
| 53. | Plasun, R.: Optimization of VLSI Semiconductor Devices Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 21.10.1999. | |
| 52. | Strasser, R.: Rigorous TCAD Investigations on Semiconductor Fabrication Technology Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 23.06.1999. | |
| 51. | Rottinger, M.: Selected Simulations of Semiconductor Structures Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 25.06.1999. | |
| 50. | Knaipp, M.: Modellierung von Temperatureinflüssen in Halbleiterbauelementen Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 21.10.1998. | |
| 49. | Brech, H.: Optimization of GaAs Based High Electron Mobility Transistors by Numerical Simulation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 03.04.1998. | |
| 48. | Kirchauer, H.: Photolithography Simulation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 21.04.1998. | |
| 47. | Radi, M.: Three-Dimensional Simulation of Thermal Oxidation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 02.12.1998. | |
| 46. | Schrom, G.: Ultra-Low-Power CMOS Technology Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 07.07.1998. | |
| 45. | Wasshuber, C.: About Single-Electron Devices and Circuits Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 18.02.1997. https://doi.org/10.34726/hss.1997.01758304 | |
| 44. | Leitner, E.: Diffusionsprozesse in dreidimensionalen Strukturen Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 05.02.1998. | |
| 43. | Pichler, C.: Integrated Semiconductor Technology Analysis Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 22.05.1997. https://doi.org/10.34726/hss.1997.02035427 | |
| 42. | Köpf, C.: Modellierung des Elektronentransports in Verbindungshalbleiterlegierungen Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 16.12.1997. https://doi.org/10.34726/hss.1997.02250732 | |
| 41. | Kaiblinger-Grujin, G.: Physikalische Modellierung und Monte-Carlo-Simulation der Elektronenbeweglichkeit in Silizium Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 13.03.1998. | |
| 40. | Puchner, H.: Advanced Process Modeling for VLSI Technology Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 31.05.1996. | |
| 39. | Rieger, G.: Ein graphischer Editor für Entwurf von Halbleiterbauteilen Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Purgathofer; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 23.05.1996. | |
| 38. | Bohmayr, W.: Simulation der Ionenimplantation in kristalline Siliziumstrukturen Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 28.10.1996. | |
| 37. | Simlinger, T.: Simulation von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 30.05.1996. | |
| 36. | Tuppa, W.: VMAKE - A CASE-Oriented Configuration Management Utility Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 28.11.1996. | |
| 35. | Deutschmann, R.: Entwicklung eines physikalischen HFET-Modells: Parameterextraktion und Verifikation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1995; Rigorosum: 10.10.1995. | |
| 34. | Hackel, M.: Transport und Injektion von Ladungsträgern in MOS-Strukturen mit der Monte-Carlo Methode Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1995; Rigorosum: 10.10.1995. https://doi.org/10.34726/hss.1995.01384981 | |
| 33. | Hackel, M. (1995). Transport Und Injektion Von Ladungsträgern in MOS-Strukturen Mit Der Monte-Carlo-Methode Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1995.01384981 (reposiTUm) | |
| 32. | Khalil, N.: ULSI Characterization with Technology Computer-Aided Design Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1995; Rigorosum: 31.05.1995. | |
| 31. | Fischer, C.: Bauelementsimulation in einer computergestützten Entwurfsumgebung Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 26.05.1994. | |
| 30. | Bauer, R.: Numerische Berechnung von Kapazitäten in dreidimensionalen Verdrahtungsstrukturen Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 16.11.1994. | |
| 29. | Stiftinger, M.: Simulation und Modellierung von Hochvolt-DMOS-Transistoren Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 06.10.1994. | |
| 28. | Strasser, E.: Simulation von Topographieprozessen in der Halbleiterfertigung Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 17.11.1994. | |
| 27. | Halama, S.: The Viennese Integrated System for Technology CAD Applications Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 27.05.1994. | |
| 26. | Brand, H.: Thermoelektrizität und Hydrodynamik Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 26.05.1994. | |
| 25. | Habas, P.: Analysis of Physical Effects in Small Silicon MOS Devices Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 17.11.1993. | |
| 24. | Pimingstorfer, H.: Integration und Anwendung von Simulatoren in der CMOS-Entwicklung Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 30.11.1993. | |
| 23. | Stippel, H.: Simulation der Ionen-Implantation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 17.11.1993. | |
| 22. | Wimmer, K.: Two-Dimensional Nonplanar Process Simulation Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 18.06.1993. | |
| 21. | Kosina, H.: Simulation des Ladungstransportes in elektronischen Bauelementen mit Hilfe der Monte-Carlo-Methode Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1992; Rigorosum: 09.06.1992. https://doi.org/10.34726/hss.1992.00474269 | |
| 20. | Heinreichsberger, O.: Transiente Simulation von Silizium MOSFETs Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, R. Weiss; Institut für Mikroelektronik, 1992; Rigorosum: 02.06.1992. | |
| 19. | Lindorfer, P.: Numerische Simulation von Galliumarsenid MESFETs Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1991; Rigorosum: 15.03.1991. | |
| 18. | Dickinger, P.: "Hochvolt DMOS Transistoren: Analyse und Optimierung"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1990; Rigorosum: 15.06.1990. | |
| 17. | Wagner, K.: "Simulation von Volumenwelleneffekten in SAW-Bauelementen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1990; Rigorosum: 20.03.1990. | |
| 16. | Demel, J.: JANAP - Ein Programm zur Simulation von elektrischen Netzwerken Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1989; Rigorosum: 16.11.1989. | |
| 15. | Nanz, G.: "Numerische Methoden in der zweidimensionalen Halbleiterbauelementsimulation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, R. Weiss; Institut für Mikroelektronik, 1989; Rigorosum: 23.11.1989. | |
| 14. | Kausel, W.: "Zweidimensionale transiente Simulation von Halbleiterbauelementen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1989; Rigorosum: 02.03.1989. | |
| 13. | Thurner, M.: "Dreidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1988; Rigorosum: 25.10.1988. | |
| 12. | Hobler, G.: "Simulation der Ionenimplantation in ein-, zwei- und dreidimensionalen Strukturen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1988; Rigorosum: 23.11.1988. | |
| 11. | Seidl, A.: "Zweidimensionale Simulation der lokalen Oxidation von Silizium"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ryssel, S. Selberherr; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg und Institut für Mikroelektronik, 1988; Rigorosum: 23.02.1989. | |
| 10. | Baghai-Wadji, A.R.: "Berechnung der Quellenverteilung zur Anregung von akustischen Wellen in Oberflächenwellenfiltern"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987; Rigorosum: 29.10.1987. | |
| 9. | Ochsenreiter, W.: "Fehlertolerante Uhrensynchronisation in verteilten Realzeitsystemen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kopetz, S. Selberherr; TU Wien, 1987; Rigorosum: 27.05.1987. | |
| 8. | Männer, O.: "Knotenvariablen-Analyse von Oberflächenwellenfiltern"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987; Rigorosum: 29.09.1987. | |
| 7. | Langer, E.: "Anregung und Ausbreitung elektroakustischer Wellen in piezoelektrischen Kristallen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1986; Rigorosum: 28.02.1986. | |
| 6. | Jüngling, W.: "Entwicklung und Auswertung verbesserter Modelle für die Prozeß- und Bauelementesimulation"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1986; Rigorosum: 05.06.1986. | |
| 5. | Straker, F.: "Numerische Berechnung von Kapazitäten in hochintegrierten Schaltungen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1985; Rigorosum: 30.10.1985. | |
| 4. | Pichler, P.: "Numerische Simulation kritischer Prozeßschritte in der Halbleitertechnik"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1985; Rigorosum: 30.10.1985. | |
| 3. | Franz, A.: "Numerische Simulation von Leistungsfeldeffekthalbleiterbauelementen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1984; Rigorosum: 21.11.1984. | |
| 2. | Franz, G.: "Numerische Simulation von bipolaren Leistungshalbleiterbauelementen"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1984; Rigorosum: 21.11.1984. | |
| 1. | Selberherr, S.: "Zweidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren"; Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Pötzl, F. Paschke; Institut für Physikalische Elektronik, 1981; Rigorosum: 05.03.1981. | |