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DIESES Kapitel zeigt Vergleiche des analytischen Modells für den DMOS-Transistor mit Messungen. Die präsentierten Ergebnisse beziehen sich auf Einzeltransistoren mit verschiedenen Zellenzahlen und einfache Schaltungen. Deshalb gliedert sich dieses Kapitel in zwei größere Abschnitte.

Im ersten Abschnitt wird auch auf die Problematik der Parameteranpassung kurz eingegangen. Das Modell mit den angepaßten Parametern wird dann zur Netzwerksimulation von Teilen von tatsächlich in DMOS-Technologie ausgeführten Schaltungen benützt. Zur Schaltungssimulation wird SABER benützt.





Martin Stiftinger
Wed Oct 5 11:53:06 MET 1994