PhD Theses

166.   Fiorentini, S. (2023).
Computation of Torques in Magnetic Tunnel Junctions
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2023.109800 (reposiTUm)

165.   Lenz, C. (2023).
Hierarchical Grid Algorithms for Topography Simulation
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2023.115141 (reposiTUm)

164.   Aguinsky, L. F. (2022).
Phenomenological Modeling of Reactive Single-Particle Transport in Semiconductor Processing
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2023.107502 (reposiTUm)

163.   Michl, J. D. (2022).
Charge Trapping and Variability in CMOS Technologies at Cryogenic Temperatures
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2022.105545 (reposiTUm)

162.   Klemenschits, X. (2022).
Emulation and Simulation of Microelectronic Fabrication Processes
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2022.89324 (reposiTUm)

161.   Schleich, C. (2022).
Modeling of Defect Related Reliability Phenomena in SiC Power-MOSFETs
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2022.105546 (reposiTUm)

160.   Knobloch, T. (2022).
On the Electrical Stability of 2D Material-Based Field-Effect Transistors
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2022.98523 (reposiTUm)

159.   Quell, M. (2022).
Parallel Velocity Extension and Load-Balanced Re-Distancing on Hierarchical Grids for High Performance Process TCAD
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2022.97084 (reposiTUm)

158.   Berens, J. V. (2021).
Carrier Mobility and Reliability of 4h-SiC Trench MOSFETs
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2021.86487 (reposiTUm)

157.   Ruch, B. (2021).
Hot-Carrier Degradation in Planar and Trench Si-MOSFETs
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2021.89105 (reposiTUm)

156.   Toifl, A. (2021).
Numerical Methods for Three-Dimensional Selective Epitaxy and Anisotropic Wet Etching Simulations
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2021.91744 (reposiTUm)

155.   Sharma, P. (2020).
Predictive and Efficient Modeling of Hot Carrier Degradation With Drift-Diffusion Based Carrier Transport Models
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2021.88962 (reposiTUm)

154.   Stampfer, B. (2020).
Advanced Electrical Characterization of Charge Trapping in MOS Transistors
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2020.86423 (reposiTUm)

153.   Gnam, L. (2020).
High Performance Mesh Adaptation for Technology Computer-Aided Design
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2020.76784 (reposiTUm)

152.   Waschneck, K. A. (2020).
Modeling Bias Temperature Instability in Si and SiC MOSFETs Using Activation Energy Maps
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2020.84645 (reposiTUm)

151.   Baumgartner, O. (2020).
Numerical Modeling of Multilayer Semiconductor Devices
Technische Universität Wien. (reposiTUm)

150.   Jech, M. (2020).
The Physics of Non-Equilibrium Reliability Phenomena
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2020.85163 (reposiTUm)

149.   Kampl, M. (2019).
Investigating Hot-Carrier Effects Using the Backward Monte Carlo Method
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2019.65003 (reposiTUm)

148.  C Koller:
"The Role of Carbon in Creating Insulating Behavior in GaN-on-Si Buffers: A Physical Model";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): D. Pogany, T. Grasser, T. Uren; Institut für Festkörperelektronik, 2019; Rigorosum: 22.01.2019.

147.   Rescher, G. (2018).
Behavior of SiC-MOSFETs Under Temperature and Voltage Stress
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.60783 (reposiTUm)

146.   Grill, A. (2018).
Charge Trapping and Single-Defect Extraction in Gallium-Nitride Based MIS-HEMTs
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.60228 (reposiTUm)

145.   Manstetten, P. L. (2018).
Efficient Flux Calculations for Topography Simulation
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57263 (reposiTUm)

144.   Rzepa, G. (2018).
Efficient Physical Modeling of Bias Temperature Instability
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57326 (reposiTUm)

143.   Ullmann, B. (2018).
Mixed Negative Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Stress
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57328 (reposiTUm)

142.   Rott, G. A. (2018).
Negative Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Degradation of 130 Nm Technology Transistors Including Recovery Effects
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57329 (reposiTUm)

141.   Šimonka, V. (2018).
Thermal Oxidation and Dopant Activation of Silicon Carbide
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2018.60302 (reposiTUm)

140.   Wimmer, Y. (2017).
Hydrogen Related Defects in Amorphous SiO2 and the Negative Bias Temperature Instability
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2017.51306 (reposiTUm)

139.   Illarionov, Y. (2016).
Characterization and Modeling of Charged Defects in Silicon and 2D Field-Effect Transistors
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.34580 (reposiTUm)

138.   Stradiotto, R. (2016).
Characterization of Electrically Active Defects at III-N/dielectric Interfaces
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.41581 (reposiTUm)

137.   Zisser, W. H. (2016).
Electromigration in Interconnect Structures
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.37905 (reposiTUm)

136.   Rovitto, M. (2016).
Electromigration Reliability Issue in Interconnects for Three-Dimensional Integration Technologies
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.41221 (reposiTUm)

135.   Waltl, M. (2016).
Experimental Characterization of Bias Temperature Instabilities in Modern Transistor Technologies
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.38201 (reposiTUm)

134.   Papaleo, S. (2016).
Mechanical Reliability of Open Through Silicon via Structures for Integrated Circuits
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.41167 (reposiTUm)

133.  J. Ghosh:
"Modeling Spin-Dependent Transport in Silicon";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): V. Sverdlov, M. Bescond; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 03.03.2016.

132.   Ghosh, J. (2016).
Modeling of Spin-Dependent Transport in Silicon
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.36140 (reposiTUm)

131.   Stanojevic, Z. (2016).
Physical Mobility Modeling for TCAD Device Simulation
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.37966 (reposiTUm)

130.   Rudolf, F. (2016).
Symmetry- And Similarity-Aware Volumetric Meshing
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.40647 (reposiTUm)

129.   Ellinghaus, P. (2016).
Two-Dimensional Wigner Monte Carlo Simulation for Time-Resolved Quantum Transport With Scattering
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2016.35764 (reposiTUm)

128.   Coppeta, R. A. (2015).
Dislocation Modeling in III-Nitrides
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2015.30571 (reposiTUm)

127.   Moradinasab, M. (2015).
Optical Properties of Semiconductor Nanostructures
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2015.29704 (reposiTUm)

126.  Yu. Illarionov:
"Tunnel Carrier Transport and Related Physical Phenomena in Gold - Calcium Fluoride - Silicon (111) Structures";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): M. I. Vexler, A. Baraban, L. Goray; Ioffe Institute, 2015; Rigorosum: 22.01.2015.

125.   Pires Singulani, A. (2014).
Advanced Methods for Mechanical Analysis and Simulation of Through Silicon Vias
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24806 (reposiTUm)

124.   Bina, M. (2014).
Charge Transport Models for Reliability Engineering of Semiconductor Devices
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24463 (reposiTUm)

123.   Mahmoudi, H. (2014).
Devices and Circuits for Stateful Logic and Memristive Sensing Applications
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24465 (reposiTUm)

122.   Weinbub, J. (2014).
Frameworks for Micro- And Nanoelectronics Device Simulation
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2014.23675 (reposiTUm)

121.   Makarov, A. (2014).
Modeling of Emerging Resistive Switching Based Memory Cells
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2014.23875 (reposiTUm)

120.   Osintsev, D. (2014).
Modeling Spintronic Effects in Silicon
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24842 (reposiTUm)

119.   Schanovsky, F. (2013).
Atomistic Modeling in the Context of the Bias Temperature Instability
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2013.28781 (reposiTUm)

118.   Starkov, I. (2013).
Comprehensive Physical Modeling of Hot-Carrier Induced Degradation
Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-57191 (reposiTUm)

117.   Pobegen, G. (2013).
Degradation of Electrical Parameters of Power Semiconductor Devices - Process Influences and Modeling
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2013.11338322 (reposiTUm)

116.   Karamitaheri, H. (2013).
Thermal and Thermoelectric Properties of Nanostructures
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2013.29976 (reposiTUm)

115.   Triebl, O. (2012).
Reliability Issues in High-Voltage Semiconductor Devices
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2012.27576 (reposiTUm)

114.   Huang, R. (2012).
Stress and Microstructural Evolution of Electroplated Copper Films
Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-55133 (reposiTUm)

113.   Filipovic, L. (2012).
Topography Simulation of Novel Processing Techniques
Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-48221 (reposiTUm)

112.   Hehenberger, P. P. (2011).
Advanced Characterization of the Bias Temperature Instability
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2011.24894 (reposiTUm)

111.   Rupp, K. (2011).
Deterministic Numerical Solution of the Boltzmann Transport Equation
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2011.24957 (reposiTUm)

110.   Gös, W. (2011).
Hole Trapping and the Negative Bias Temperature Instability
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2011.25057 (reposiTUm)

109.   Milovanović, G. (2011).
Numerical Modeling of Quantum Cascade Lasers
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2011.22142 (reposiTUm)

108.   Schwaha, P. (2010).
Beyond Atavistic Structures in Scientific Computing
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2010.21210 (reposiTUm)

107.   Lacerda de Orio, R. (2010).
Electromigration Modeling and Simulation
Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-33806 (reposiTUm)

106.   Windbacher, T. (2010).
Engineering Gate Stacks for Field-Effect Transistors
Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-42636 (reposiTUm)

105.   Ertl, O. (2010).
Numerical Methods for Topography Simulation
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2010.001 (reposiTUm)

104.   Aichinger, T. (2010).
On the Role of Hydrogen in Silicon Device Degradation and Metalization Processing
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2010.20283 (reposiTUm)

103.   Vitanov, S. (2010).
Simulation of High Electron Mobility Transistors
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2010.21514 (reposiTUm)

102.   Poschalko, C. (2009).
The Simulation of Emission From Printed Circuit Boards Under a Metallic Cover
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2009.17297 (reposiTUm)

101.   Karlowatz, G. (2009).
Advanced Monte Carlo Simulation for Semiconductor Devices
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2009.16312 (reposiTUm)

100.   Vasicek, M.-T. (2009).
Advanced Macroscopic Transport Models
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2009.17390 (reposiTUm)

99.  L. Li:
"Charge Transport in Organic Semiconductor Materials and Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2008; Rigorosum: 08.02.2008. Zusätzliche Informationen

98.   Nentchev, A. (2008).
Numerical Analysis and Simulation in Microelectronics by Vector Finite Elements
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2008.10738 (reposiTUm)

97.   Spevak, M. (2008).
On the Specification and the Assembly of Discretized Differential Equations
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2008.10851 (reposiTUm)

96.   Ungersböck, S.-E. (2007).
Advanced Modeling of Strained CMOS Technology
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2007.8326 (reposiTUm)

95.   Schweda, J. (2007).
Analysis of Shift Mechanisms in BiCMOS Hall Devices With Scope of a Precise SPICE Simulation Model
Technische Universität Wien. (reposiTUm)

94.   Dhar, S. (2007).
Analytical Mobility Models for Strained Silicon-Based Devices
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2007.9404 (reposiTUm)

93.   Heinzl, R. (2007).
Concepts for Scientific Computing
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2007.9483 (reposiTUm)

92.  H. Kim:
"Design, Simulation and Fabrication of Micro/Nano Functional Structures Using ION Beams";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): G. Hobler, H. Kosina; Institut für Festkörperelektronik, 2007; Rigorosum: 20.04.2007.

91.   Wittmann, R. (2007).
Miniaturization Problems in CMOS Technology: Investigation of Doping Profiles and Reliability
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2007.7645 (reposiTUm)

90.   Entner, R. (2007).
Modeling and Simulation of Negative Bias Temperature Instability
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2007.10123 (reposiTUm)

89.   Hollauer, C. (2007).
Modeling of Thermal Oxidation and Stress Effects
Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-17195 (reposiTUm)

88.  Ch. Hollauer:
"Modelling of Thermal Oxidation and Stress Effects";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, M. Vellekoop; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 18.04.2007.

87.  M. Pourfath:
"Numeric Study of Quantum Transport in Carbon Nanotube-Based Transistors";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 03.07.2007.

86.   Pourfath, M. (2007).
Numerical Study of Quantum Transport in Carbon Nanotube-Based Transistors
Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-14427 (reposiTUm)

85.   Holzer, S. (2007).
Optimization for Enhanced Thermal Technology CAD Purposes
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2007.8993 (reposiTUm)

84.  M. Wagner:
"Simulation of Thermoelectric Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 18.12.2007. Zusätzliche Informationen

83.   Minixhofer, R. (2006).
Integrating Technology Simulation Into the Semiconductor Manufacturing Environment
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2006.5439 (reposiTUm)

82.   Wessner, W. (2006).
Mesh Refinement Techniques for TCAD Tools
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2006.7320 (reposiTUm)

81.   Sheikholeslami, A. (2006).
Topography Simulation of Deposition and Etching Processes
Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-16749 (reposiTUm)

80.  M. Blaho:
"Experimental Characterisation of Smart Power Technology Devices Stressed by High Energy Pulses";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): E. Gornik, E. Langer; Institut für Festkörperelektronik, 2005; Rigorosum: 03.10.2005.

79.   Ceric, H. (2005).
Numerical Techniques in Modern TCAD
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2005.3221 (reposiTUm)

78.   Wagner, S. (2005).
Small-Signal Device and Circuit Simulation
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2005.3091 (reposiTUm)

77.   Park, J. M. (2004).
Novel Power Devices for Smart Power Applications
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2004.1715 (reposiTUm)

76.   Kosik, R. (2004).
Numerical Challenges on the Road to NanoTCAD
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2004.1116 (reposiTUm)

75.   Ayalew, T. (2004).
SiC Semiconductor Devices Technology, Modeling and Simulation
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2004.04281063 (reposiTUm)

74.   Cervenka, J. (2004).
Three-Dimensional Mesh Generation for Device and Process Simulation
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2004.1458 (reposiTUm)

73.   Smirnov, S. (2003).
Physical Modeling of Electron Transport in Strained Silicon and Silicon-Germanium
Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-11422 (reposiTUm)

72.   Gehring, A. (2003).
Simulation of Tunneling in Semiconductor Devices
Technische Universität Wien. https://resolver.obvsg.at/urn:nbn:at:at-ubtuw:1-12051 (reposiTUm)

71.   Rodríguez Torres, R. (2003).
Three-Dimensional Simulations of Split-Drain MAGFETs
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2003.03817587 (reposiTUm)

70.   Gritsch, M. (2002).
Numerical Modeling of Silicon-On-Insulator MOSFETs
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2002.03697025 (reposiTUm)

69.   Harlander, C. (2002).
Numerische Berechnung Von Induktivitäten in Dreidimensionalen Verdrahtungsstrukturen
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2002.03696933 (reposiTUm)

68.   Binder, T. (2002).
Rigorous Integration of Semiconductor Process and Device Simulators
Technische Universität Wien. (reposiTUm)

67.   Heitzinger, C. (2002).
Simulation and Inverse Modeling of Semiconductor Manufacturing Processes
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2002.03696962 (reposiTUm)

66.   Klima, R. (2002).
Three-Dimensional Device Simulation With Minimos-Nt
Technische Universität Wien. (reposiTUm)

65.   Quay, R. (2001).
Analysis and Simulation of High Electron Mobility Transistors
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2001.03341873 (reposiTUm)

64.   Sabelka, R. (2001).
Dreidimensionale Finite Elemente Simulation Von Verdrahtungsstrukturen Auf Integrierten Schaltungen
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2001.03227950 (reposiTUm)

63.   Troger, C. (2001).
Modellierung Von Quantisierungseffekten in Feldeffekttransistoren
Technische Universität Wien. (reposiTUm)

62.  J. Lorenz:
"Diskretisierung und Gittergeneration für die mehrdimensionale Simulation von Implantation und Diffusion";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ryssel, S. Selberherr; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg und Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 28.04.2000.

61.   Pyka, W. (2000).
Feature Scale Modeling for Etching and Deposition Processes in Semiconductor Manufacturing
Technische Universität Wien. (reposiTUm)

60.   Dragosits, K. (2000).
Modeling and Simulation of Ferroelectric Devices
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2000.03228781 (reposiTUm)

59.  R. Mlekus:
"Object-Oriented Algorithm and Model Management in TCAD Applications";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 13.01.2000.

58.   Stockinger, M. (2000).
Optimization of Ultra-Low-Power CMOS Transistors
Technische Universität Wien. (reposiTUm)

57.   Palankovski, V. (2000).
Simulation of Heterojunction Bipolar Transistors
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.2000.03142613 (reposiTUm)

56.   Hössinger, A. (2000).
Simulation of Ion Implantation for ULSI Technology
Technische Universität Wien. (reposiTUm)

55.   Fleischmann, P. (1999).
Mesh Generation for Technology CAD in Three Dimensions
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1999.03012084 (reposiTUm)

54.   Grasser, T. (1999).
Mixed-Mode Device Simulation
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1999.02581881 (reposiTUm)

53.  R.M. Escadas Ramos Martins:
"On the Design of Very Low Power Integrated Circuits";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 25.02.1999.

52.  R. Plasun:
"Optimization of VLSI Semiconductor Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 21.10.1999.

51.  R. Strasser:
"Rigorous TCAD Investigations on Semiconductor Fabrication Technology";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 23.06.1999.

50.  M. Rottinger:
"Selected Simulations of Semiconductor Structures";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 25.06.1999.

49.  M. Knaipp:
"Modellierung von Temperatureinflüssen in Halbleiterbauelementen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 21.10.1998.

48.  H. Brech:
"Optimization of GaAs Based High Electron Mobility Transistors by Numerical Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 03.04.1998.

47.  H. Kirchauer:
"Photolithography Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 21.04.1998.

46.  M. Radi:
"Three-Dimensional Simulation of Thermal Oxidation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 02.12.1998.

45.  G. Schrom:
"Ultra-Low-Power CMOS Technology";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 07.07.1998.

44.   Wasshuber, C. (1997).
About Single-Electron Devices and Circuits
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1997.01758304 (reposiTUm)

43.  E. Leitner:
"Diffusionsprozesse in dreidimensionalen Strukturen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 05.02.1998.

42.   Pichler, C. (1997).
Integrated Semiconductor Technology Analysis
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1997.02035427 (reposiTUm)

41.   Köpf, C. (1997).
Modellierung Des Elektronentransports in Verbindungshalbleiterlegierungen
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1997.02250732 (reposiTUm)

40.  G. Kaiblinger-Grujin:
"Physikalische Modellierung und Monte-Carlo-Simulation der Elektronenbeweglichkeit in Silizium";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 13.03.1998.

39.  H. Puchner:
"Advanced Process Modeling for VLSI Technology";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 31.05.1996.

38.  G. Rieger:
"Ein graphischer Editor für Entwurf von Halbleiterbauteilen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Purgathofer; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 23.05.1996.

37.  W. Bohmayr:
"Simulation der Ionenimplantation in kristalline Siliziumstrukturen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 28.10.1996.

36.  T. Simlinger:
"Simulation von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 30.05.1996.

35.  W. Tuppa:
"VMAKE - A CASE-Oriented Configuration Management Utility";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 28.11.1996.

34.  R. Deutschmann:
"Entwicklung eines physikalischen HFET-Modells: Parameterextraktion und Verifikation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1995; Rigorosum: 10.10.1995.

33.   Hackel, M. (1995).
Transport Und Injektion Von Ladungsträgern in MOS-Strukturen Mit Der Monte-Carlo-Methode
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1995.01384981 (reposiTUm)

32.  N. Khalil:
"ULSI Characterization with Technology Computer-Aided Design";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1995; Rigorosum: 31.05.1995.

31.  C. Fischer:
"Bauelementsimulation in einer computergestützten Entwurfsumgebung";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 26.05.1994.

30.  R. Bauer:
"Numerische Berechnung von Kapazitäten in dreidimensionalen Verdrahtungsstrukturen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 16.11.1994.

29.  M. Stiftinger:
"Simulation und Modellierung von Hochvolt-DMOS-Transistoren";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 06.10.1994.

28.  E. Strasser:
"Simulation von Topographieprozessen in der Halbleiterfertigung";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 17.11.1994.

27.  S. Halama:
"The Viennese Integrated System for Technology CAD Applications";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 27.05.1994.

26.  H. Brand:
"Thermoelektrizität und Hydrodynamik";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 26.05.1994.

25.  P. Habas:
"Analysis of Physical Effects in Small Silicon MOS Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 17.11.1993.

24.  H. Pimingstorfer:
"Integration und Anwendung von Simulatoren in der CMOS-Entwicklung";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 30.11.1993.

23.  H. Stippel:
"Simulation der Ionen-Implantation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 17.11.1993.

22.  K. Wimmer:
"Two-Dimensional Nonplanar Process Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 18.06.1993.

21.   Kosina, H. (1992).
Simulation Des Ladungstransportes in Elektronischen Bauelementen Mit Hilfe Der Monte-Carlo-Methode
Technische Universität Wien. https://doi.org/10.34726/hss.1992.00474269 (reposiTUm)

20.  O. Heinreichsberger:
"Transiente Simulation von Silizium MOSFETs";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, R. Weiss; Institut für Mikroelektronik, 1992; Rigorosum: 02.06.1992.

19.  P. Lindorfer:
"Numerische Simulation von Galliumarsenid MESFETs";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1991; Rigorosum: 15.03.1991.

18.  P. Dickinger:
"Hochvolt DMOS Transistoren: Analyse und Optimierung";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1990; Rigorosum: 15.06.1990.

17.  K. Wagner:
"Simulation von Volumenwelleneffekten in SAW-Bauelementen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1990; Rigorosum: 20.03.1990.

16.  J. Demel:
"JANAP - Ein Programm zur Simulation von elektrischen Netzwerken";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1989; Rigorosum: 16.11.1989.

15.  G. Nanz:
"Numerische Methoden in der zweidimensionalen Halbleiterbauelementsimulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, R. Weiss; Institut für Mikroelektronik, 1989; Rigorosum: 23.11.1989.

14.  W. Kausel:
"Zweidimensionale transiente Simulation von Halbleiterbauelementen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1989; Rigorosum: 02.03.1989.

13.  M. Thurner:
"Dreidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1988; Rigorosum: 25.10.1988.

12.  G. Hobler:
"Simulation der Ionenimplantation in ein-, zwei- und dreidimensionalen Strukturen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1988; Rigorosum: 23.11.1988.

11.  A. Seidl:
"Zweidimensionale Simulation der lokalen Oxidation von Silizium";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ryssel, S. Selberherr; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg und Institut für Mikroelektronik, 1988; Rigorosum: 23.02.1989.

10.  A.R. Baghai-Wadji:
"Berechnung der Quellenverteilung zur Anregung von akustischen Wellen in Oberflächenwellenfiltern";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987; Rigorosum: 29.10.1987.

9.  W. Ochsenreiter:
"Fehlertolerante Uhrensynchronisation in verteilten Realzeitsystemen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kopetz, S. Selberherr; TU Wien, 1987; Rigorosum: 27.05.1987.

8.  O. Männer:
"Knotenvariablen-Analyse von Oberflächenwellenfiltern";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987; Rigorosum: 29.09.1987.

7.  E. Langer:
"Anregung und Ausbreitung elektroakustischer Wellen in piezoelektrischen Kristallen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1986; Rigorosum: 28.02.1986.

6.  W. Jüngling:
"Entwicklung und Auswertung verbesserter Modelle für die Prozeß- und Bauelementesimulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1986; Rigorosum: 05.06.1986.

5.  F. Straker:
"Numerische Berechnung von Kapazitäten in hochintegrierten Schaltungen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1985; Rigorosum: 30.10.1985.

4.  P. Pichler:
"Numerische Simulation kritischer Prozeßschritte in der Halbleitertechnik";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1985; Rigorosum: 30.10.1985.

3.  A. Franz:
"Numerische Simulation von Leistungsfeldeffekthalbleiterbauelementen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1984; Rigorosum: 21.11.1984.

2.  G. Franz:
"Numerische Simulation von bipolaren Leistungshalbleiterbauelementen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1984; Rigorosum: 21.11.1984.

1.  S. Selberherr:
"Zweidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Pötzl, F. Paschke; Institut für Physikalische Elektronik, 1981; Rigorosum: 05.03.1981.