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PhD Theses

158.  Klemenschits, X.:
"Emulation and Simulation of Microelectronic Fabrication Processes";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): L. Filipovic, A. Erdmann, H. Pottmann; Institut für Mikroelektronik, 2022; Rigorosum: 08.04.2022.

157.  Quell, M.:
"Parallel Velocity Extension and Load-Balanced Re-Distancing on Hierarchical Grids for High Performance Process TCAD";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): J. Weinbub, E. Gröller, M. Sussman; Institut für Mikroelektronik, 2022; Rigorosum: 13.01.2022. https://doi.org/10.34726/hss.2022.97084

156.  Ruch, B.:
"Hot-Carrier Degradation in Planar and Trench Si-MOSFETs";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, C. Jungemann, P. Hadley; Institut für Mikroelektronik, 2021; Rigorosum: 15.03.2021.

155.  Toifl, A.:
"Numerical Methods for Three-Dimensional Selective Epitaxy and Anisotropic Wet Etching Simulations";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): J. Weinbub, U. Schmid, L.-T. Cheng; Institut für Mikroelektronik, 2021; Rigorosum: 19.08.2021. https://doi.org/10.34726/hss.2021.91744

154.  Knobloch, T.:
"On the Electrical Stability of 2D Material-Based Field-Effect Transistors";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, P. Hurley, G. Düsberg; Institut für Mikroelektronik, 2021; Rigorosum: 22.12.2021.

153.  Sharma, P.:
"Predictive and Efficient Modeling of Hot Carrier Degradation with Drift-Diffusion Based Carrier Transport Models";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, S. Reggiani, A. Bravaix; Institut für Mikroelektronik, 2021; Rigorosum: 26.02.2021.

152.  Stampfer, B.:
"Advanced Electrical Characterization of Charge Trapping in MOS Transistors";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Nafria Maqueda, F. M. Puglisi; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 04.12.2020.

151.  Berens, J.:
"Carrier Mobility and Reliability of 4H-SiC Trench MOSFETs";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, J. Cooper, P. Pichler; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 22.12.2020.

150.  Gnam, L.:
"High Performance Mesh Adaptation for Technology Computer-Aided Design";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): J. Weinbub, J. Schöberl, N. Hitschfeld Kahler; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 24.03.2020. https://doi.org/10.34726/hss.2020.76784

149.  Waschneck, K.:
"Modeling Bias Temperature Instability in Si and SiC MOSFETs using Activation Energy Maps";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, J. Schmitz, S. Reggiani; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 07.12.2020.

148.  Baumgartner, O.:
"Numerical Modeling of Multilayer Semiconductor Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, W. Weber, C. Sampedro; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 05.03.2020.

147.  Jech, M.:
"The Physics of Non-Equilibrium Reliability Phenomena";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Luisier, A. Bravaix; Institut für Mikroelektronik, 2020; Rigorosum: 19.11.2020.

146.  Kampl, M.:
"Investigating Hot-Carrier Effects using the Backward Monte Carlo Method";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, A. Garcia Loureiro, G. Hobler; Institut für Mikroelektronik, 2019; Rigorosum: 05.04.2019. https://doi.org/10.34726/hss.2019.65003

145.  Koller, C.:
"The Role of Carbon in Creating Insulating Behavior in GaN-on-Si Buffers: A Physical Model";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): D. Pogany, T. Grasser, T. Uren; Institut für Festkörperelektronik, 2019; Rigorosum: 22.01.2019.

144.  Rescher, G.:
"Behavior of SiC-MOSFETs under Temperature and Voltage Stress";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, P. Hadley, J. Cooper; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 13.11.2018. https://doi.org/10.34726/hss.2018.60783

143.  Grill, A.:
"Charge Trapping and Single-Defect Extraction in Gallium-Nitride Based MIS-HEMTs";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, G. Meneghesso, D. Pogany; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 22.10.2018.

142.  Manstetten, P.:
"Efficient Flux Calculations for Topography Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, J. Weinbub, M. Wimmer, H. Köstler; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 28.06.2018. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57263

141.  Rzepa, G.:
"Efficient Physical Modeling of Bias Temperature Instability";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, L. Larcher, F. Crupi; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 27.06.2018. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57326

140.  Ullmann, B.:
"Mixed Negative Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Stress";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, J. Schmitz, S. Reggiani; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 28.06.2018. https://doi.org/10.34726/hss.2018.57328

139.  Rott, G.A.:
"Negative Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Degradation of 130 nm Technology Transistors including Recovery Effects";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, J. Schmitz, S. Reggiani; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 28.06.2018.

138.  Simonka, V.:
"Thermal Oxidation and Dopant Activation of Silicon Carbide";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, J. Weinbub, Y. Hijikata, U. Schmid; Institut für Mikroelektronik, 2018; Rigorosum: 05.11.2018. https://doi.org/10.34726/hss.2018.60302

137.  Wimmer, Y.:
"Hydrogen Related Defects in Amorphous SiO2 and the Negative Bias Temperature Instability";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Watkins, P. Mohn; Institut für Mikroelektronik, 2017; Rigorosum: 27.11.2017. https://doi.org/10.34726/hss.2017.51306

136.  Stradiotto, R.:
"Characterization of Electrically Active Defects at III-N/Dielectric Interfaces";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, G. Meneghesso; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 16.12.2016. https://doi.org/10.34726/hss.2016.41581

135.  Rovitto, M.:
"Electromigration Reliability Issue in Interconnects for Three-Dimensional Integration Technologies";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ceric, K. Weide-Zaage; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 13.12.2016.

134.  Zisser, W. H.:
"Electromigration in Interconnect Structures";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, M. Kaltenbacher; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 21.06.2016. https://doi.org/10.34726/hss.2016.37905

133.  Waltl, M.:
"Experimental Characterization of Bias Temperature Instabilities in Modern Transistor Technologies";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, D. Schmitt-Landsiedel; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 09.09.2016. https://doi.org/10.34726/hss.2016.38201

132.  Papaleo, S.:
"Mechanical Reliability of Open Through Silicon Via Structures for Integrated Circuits";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ceric, O. Thomas; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 19.12.2016.

131.  Ghosh, J.:
"Modeling Spin-Dependent Transport in Silicon";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): V. Sverdlov, M. Bescond; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 03.03.2016.

130.  Stanojevic, Z.:
"Physical Mobility Modeling for TCAD Device Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, F. Gamiz; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 26.09.2016.

129.  Rudolf, F.:
"Symmetry- and Similarity-Aware Volumetric Meshing";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, J. Weinbub, H. Pottmann; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 10.11.2016. https://doi.org/10.34726/hss.2016.40647

128.  Ellinghaus, P.:
"Two-Dimensional Wigner Monte Carlo Simulation for Time-Resolved Quantum Transport with Scattering";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, I. Dimov; Institut für Mikroelektronik, 2016; Rigorosum: 25.02.2016. https://doi.org/10.34726/hss.2016.35764

127.  Illarionov, Yu.:
"Characterization and Modeling of Charged Defects in Silicon and 2D Field-Effect Transistors";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, L. Larcher; Institut für Mikroelektronik, 2015; Rigorosum: 18.12.2015. https://doi.org/10.34726/hss.2016.34580

126.  Coppeta, R.:
"Dislocation Modeling in III-Nitrides";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, A. Köck; Institut für Mikroelektronik, 2015; Rigorosum: 15.06.2016. https://doi.org/10.34726/hss.2015.30571

125.  Moradinasab, M.:
"Optical Properties of Semiconductor Nanostructures";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, T. Fromherz; Institut für Mikroelektronik, 2015; Rigorosum: 24.04.2015. https://doi.org/10.34726/hss.2015.29704

124.  Illarionov, Yu.:
"Tunnel Carrier Transport and Related Physical Phenomena in Gold - Calcium Fluoride - Silicon (111) Structures";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): M. I. Vexler, A. Baraban, L. Goray; Ioffe Institute, 2015; Rigorosum: 22.01.2015.

123.  Singulani, A. P.:
"Advanced Methods for Mechanical Analysis and Simulation of Through Silicon Vias";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, O. Thomas; Institut für Mikroelektronik, 2014; Rigorosum: 07.07.2014. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24806

122.  Bina, M.:
"Charge Transport Models for Reliability Engineering of Semiconductor Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, C. Jungemann; Institut für Mikroelektronik, 2014; Rigorosum: 25.03.2014. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24463

121.  Mahmoudi, H.:
"Devices and Circuits for Stateful Logic and Memristive Sensing Applications";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): V. Sverdlov, B. Meinerzhagen; Institut für Mikroelektronik, 2014; Rigorosum: 28.04.2014. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24465

120.  Weinbub, J.:
"Frameworks for Micro- and Nanoelectronics Device Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, A. Asenov; Institut für Mikroelektronik, 2014; Rigorosum: 17.02.2014. https://doi.org/10.34726/hss.2014.23675

119.  Osintsev, D.:
"Modeling Spintronic Effects in Silicon";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): V. Sverdlov, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2014; Rigorosum: 28.05.2014. https://doi.org/10.34726/hss.2014.24842

118.  Makarov, A.:
"Modeling of Emerging Resistive Switching Based Memory Cells";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): V. Sverdlov, S. Cristoloveanu; Institut für Mikroelektronik, 2014; Rigorosum: 18.03.2014. https://doi.org/10.34726/hss.2014.23875

117.  Schanovsky, F.:
"Atomistic Modeling in the Context of the Bias Temperature Instability";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, A. Schenk; Institut für Mikroelektronik, 2013; Rigorosum: 19.03.2013. https://doi.org/10.34726/hss.2013.28781

116.  Starkov, I.:
"Comprehensive Physical Modeling of Hot-Carrier Induced Degradation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Gröschl; Institut für Mikroelektronik, 2013; Rigorosum: 14.01.2013.

115.  Pobegen, G.:
"Degradation of Electrical Parameters of Power Semiconductor Devices - Process Influences and Modeling";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, P. Hadley; Institut für Mikroelektronik, 2013; Rigorosum: 05.12.2013.

114.  Huang, R.:
"Stress and Microstructural Evolution of Electroplated Copper Films";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, G. Dehm; Institut für Mikroelektronik, 2013; Rigorosum: 09.01.2013.

113.  Karamitaheri, H.:
"Thermal and Thermoelectric Properties of Nanostructures";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, E. Bauer; Institut für Mikroelektronik, 2013; Rigorosum: 18.07.2013. https://doi.org/10.34726/hss.2013.29976

112.  Triebl, O.:
"Reliability Issues in High-Voltage Semiconductor Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Gröschl; Institut für Mikroelektronik, 2012; Rigorosum: 24.10.2012. https://doi.org/10.34726/hss.2012.27576

111.  Filipovic, L.:
"Topography Simulation of Novel Processing Techniques";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Vasileska; Institut für Mikroelektronik, 2012; Rigorosum: 17.12.2012.

110.  Hehenberger, Ph.:
"Advanced Characterization of the Bias Temperature Instability";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, M. Gröschl; Institut für Mikroelektronik, 2011; Rigorosum: 14.12.2011. https://doi.org/10.34726/hss.2011.24894

109.  Rupp, K.:
"Deterministic Numerical Solution of the Boltzmann Transport Equation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, C. Jungemann; Institut für Mikroelektronik, 2011; Rigorosum: 19.12.2011. https://doi.org/10.34726/hss.2011.24957

108.  Gös, W.:
"Hole Trapping and the Negative Bias Temperature Instability";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2011; Rigorosum: 22.12.2012. https://doi.org/10.34726/hss.2011.25057

107.  Milovanovic, G.:
"Numerical Modeling of Quantum Cascade Lasers";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2011; Rigorosum: 30.03.2011. https://doi.org/10.34726/hss.2011.22142

106.  Schwaha, P.:
"Beyond Atavistic Structures in Scientific Computing";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, I. Dimov; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 22.12.2010. https://doi.org/10.34726/hss.2010.21210

105.  Orio, R.:
"Electromigration Modeling and Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, J. W. Swart; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 04.06.2010.

104.  Windbacher, T.:
"Engineering Gate Stacks for Field-Effect Transistors";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, J. Summhammer; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 25.06.2010.

103.  Ertl, O.:
"Numerical Methods for Topography Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 07.05.2010. https://doi.org/10.34726/hss.2010.001

102.  Aichinger, T.:
"On the Role of Hydrogen in Silicon Device Degradation and Metalization Processing";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, H. Hutter; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 01.09.2010. https://doi.org/10.34726/hss.2010.20283

101.  Vitanov, S.:
"Simulation of High Electron Mobility Transistors";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, R. Quay; Institut für Mikroelektronik, 2010; Rigorosum: 20.12.2010. https://doi.org/10.34726/hss.2010.21514

100.  Vasicek, M.:
"Advanced Macroscopic Transport Models";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, J. Summhammer; Institut für Mikroelektronik, 2009; Rigorosum: 12.10.2009. https://doi.org/10.34726/hss.2009.17390

99.  Karlowatz, G.:
"Advanced Monte Carlo Simulation for Semiconductor Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, E. Benes; Institut für Mikroelektronik, 2009; Rigorosum: 24.06.2009. https://doi.org/10.34726/hss.2009.16312

98.  Poschalko, C.:
"The Simulation of Emission from Printed Circuit Boards under a Metallic Cover";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, G. Brasseur; Institut für Mikroelektronik, 2009; Rigorosum: 20.11.2009. https://doi.org/10.34726/hss.2009.17297

97.  Li, L.:
"Charge Transport in Organic Semiconductor Materials and Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, D. Süss; Institut für Mikroelektronik, 2008; Rigorosum: 08.02.2008. https://doi.org/10.34726/hss.2007.06698444

96.  Nentchev, A.:
"Numerical Analysis and Simulation in Microelectronics by Vector Finite Elements";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2008; Rigorosum: 31.01.2008. https://doi.org/10.34726/hss.2008.10738

95.  Spevak, M.:
"On the Specification and the Assembly of Discretized Differential Equations";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Praetorius; Institut für Mikroelektronik, 2008; Rigorosum: 03.03.2008. https://doi.org/10.34726/hss.2008.10851

94.  Ungersböck, E.:
"Advanced Modeling of Strained CMOS Technology";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 23.04.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.8326

93.  Schweda, J.:
"Analysis of Shift Mechanisms in BiCMOS Hall Devices with Scope of a Precise SPICE Simulation Model";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): K. Riedling, S. Selberherr; Institut für Sensor- und Aktuatorsysteme, 2007; Rigorosum: 16.04.2007.

92.  Dhar, S.:
"Analytical Mobility Models for Strained Silicon-Based Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, G. Magerl; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 30.08.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.9404

91.  Heinzl, R.:
"Concepts for Scientific Computing";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Purgathofer; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 18.09.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.9483

90.  Kim, H.:
"Design, Simulation and Fabrication of Micro/Nano Functional Structures Using ION Beams";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): G. Hobler, H. Kosina; Institut für Festkörperelektronik, 2007; Rigorosum: 20.04.2007.

89.  Wessner, W.:
"Mesh Refinement Techniques for TCAD Tools";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Purgathofer; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 09.01.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2006.7320

88.  Wittmann, R.:
"Miniaturization Problems in CMOS Technology: Investigation of Doping Profiles and Reliability";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 27.02.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.7645

87.  Entner, R.:
"Modeling and Simulation of Negative Bias Temperature Instability";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, G. Magerl; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 13.08.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.10123

86.  Hollauer, Ch.:
"Modeling of Thermal Oxidation and Stress Effects";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, M. Vellekoop; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 18.04.2007.

85.  Pourfath, M.:
"Numerical Study of Quantum Transport in Carbon Nanotube-Based Transistors";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 03.07.2007.

84.  Holzer, S.:
"Optimization for Enhanced Thermal Technology CAD Purposes";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, H. Schichl; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 28.06.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.8993

83.  Wagner, M.:
"Simulation of Thermoelectric Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2007; Rigorosum: 18.12.2007. https://doi.org/10.34726/hss.2007.06623909

82.  Minixhofer, R.:
"Integration Technology Simulation into the Semiconductor Manufacturing Environment";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Pribyl; Institut für Mikroelektronik, 2006; Rigorosum: 31.03.2006. https://doi.org/10.34726/hss.2006.5439

81.  Sheikholeslami, A.:
"Topography Simulation of Deposition and Etching Processes";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, K. Riedling; Institut für Mikroelektronik, 2006; Rigorosum: 06.10.2006.

80.  Blaho, M.:
"Experimental Characterisation of Smart Power Technology Devices Stressed by High Energy Pulses";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): E. Gornik, E. Langer; Institut für Festkörperelektronik, 2005; Rigorosum: 03.10.2005.

79.  Ceric, H.:
"Numerical Techniques in Modern TCAD";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2005; Rigorosum: 29.04.2005. https://doi.org/10.34726/hss.2005.3221

78.  Wagner, S.:
"Small-Signal Device and Circuit Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2005; Rigorosum: 22.04.2005. https://doi.org/10.34726/hss.2005.3091

77.  Park, J.M.:
"Novel Power Devices for Smart Power Applications";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2004; Rigorosum: 07.12.2004. https://doi.org/10.34726/hss.2004.1715

76.  Kosik, R.:
"Numerical Challenges on the Road to NanoTCAD";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, Ch. Schmeiser; Institut für Mikroelektronik, 2004; Rigorosum: 09.09.2004. https://doi.org/10.34726/hss.2004.1116

75.  Ayalew, T.:
"SiC Semiconductor Devices Technology, Modeling and Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2004; Rigorosum: 26.02.2004. https://doi.org/10.34726/hss.2004.04281063

74.  Cervenka, J.:
"Three-Dimensional Mesh Generation for Device and Process Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): T. Grasser, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2004; Rigorosum: 20.10.2004. https://doi.org/10.34726/hss.2004.1458

73.  Smirnov, S.:
"Physical Modeling of Electron Transport in Strained Silicon and Silicon-Germanium";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, K. Unterrainer; Institut für Mikroelektronik, 2003; Rigorosum: 17.12.2003.

72.  Gehring, A.:
"Simulation of Tunneling in Semiconductor Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2003; Rigorosum: 05.12.2003.

71.  Rodriguez-Torres, R.:
"Three-Dimensional Simulation of Split-Drain MAGFETs";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2003; Rigorosum: 13.05.2003. https://doi.org/10.34726/hss.2003.03817587

70.  Gritsch, M.:
"Numerical Modeling of Silicon-on-Insulator MOSFETs";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kosina, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2002; Rigorosum: 20.12.2002. https://doi.org/10.34726/hss.2002.03697025

69.  Harlander, C.:
"Numerische Berechnung von Induktivitäten in dreidimensionalen Verdrahtungsstrukturen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2002; Rigorosum: 12.12.2002. https://doi.org/10.34726/hss.2002.03696933

68.  Binder, T.:
"Rigorous Integration of Semiconductor Process and Device Simulators";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2002; Rigorosum: 30.12.2002.

67.  Heitzinger, C.:
"Simulation and Inverse Modeling of Semiconductor Manufacturing Processes";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, R. Chabicovsky; Institut für Mikroelektronik, 2002; Rigorosum: 20.12.2002. https://doi.org/10.34726/hss.2002.03696962

66.  Klima, R.:
"Three-Dimensional Device Simulation with Minimos-NT";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2002; Rigorosum: 19.12.2002.

65.  Quay, R.:
"Analysis and Simulation of High Electron Mobility Transistors";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2001; Rigorosum: 18.09.2001. https://doi.org/10.34726/hss.2001.03341873

64.  Sabelka, R.:
"Dreidimensionale Finite Elemente Simulation von Verdrahtungsstrukturen auf Integrierten Schaltungen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 2001; Rigorosum: 21.05.2001. https://doi.org/10.34726/hss.2001.03227950

63.  Dragosits, K.:
"Modeling and Simulation of Ferroelectric Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Hauser; Institut für Mikroelektronik, 2001; Rigorosum: 29.01.2001. https://doi.org/10.34726/hss.2000.03228781

62.  Troger, C.:
"Modellierung von Quantisierungseffekten in Feldeffekttransistoren";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2001; Rigorosum: 18.06.2001.

61.  Lorenz, J.:
"Diskretisierung und Gittergeneration für die mehrdimensionale Simulation von Implantation und Diffusion";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ryssel, S. Selberherr; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg und Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 28.04.2000.

60.  Pyka, W.:
"Feature Scale Modeling for Etching and Deposition Processes in Semiconductor Manufacturing";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 11.05.2000.

59.  Fleischmann, P.:
"Mesh Generation for Technology CAD in Three Dimensions";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 24.02.2000. https://doi.org/10.34726/hss.1999.03012084

58.  Mlekus, R.:
"Object-Oriented Algorithm and Model Management in TCAD Applications";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 13.01.2000.

57.  Stockinger, M.:
"Optimization of Ultra-Low-Power CMOS Transistors";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 25.01.2000.

56.  Palankovski, V.:
"Simulation of Heterojunction Bipolar Transistors";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 12.12.2000. https://doi.org/10.34726/hss.2000.03142613

55.  Hössinger, A.:
"Simulation of Ion Implantation for ULSI Technology";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 2000; Rigorosum: 11.09.2000.

54.  Grasser, T.:
"Mixed-Mode Device Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 21.05.1999. https://doi.org/10.34726/hss.1999.02581881

53.  Escadas Ramos Martins, R.M.:
"On the Design of Very Low Power Integrated Circuits";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Bertagnolli; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 25.02.1999.

52.  Plasun, R.:
"Optimization of VLSI Semiconductor Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 21.10.1999.

51.  Strasser, R.:
"Rigorous TCAD Investigations on Semiconductor Fabrication Technology";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 23.06.1999.

50.  Rottinger, M.:
"Selected Simulations of Semiconductor Structures";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1999; Rigorosum: 25.06.1999.

49.  Knaipp, M.:
"Modellierung von Temperatureinflüssen in Halbleiterbauelementen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 21.10.1998.

48.  Brech, H.:
"Optimization of GaAs Based High Electron Mobility Transistors by Numerical Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 03.04.1998.

47.  Kirchauer, H.:
"Photolithography Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 21.04.1998.

46.  Radi, M.:
"Three-Dimensional Simulation of Thermal Oxidation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 02.12.1998.

45.  Schrom, G.:
"Ultra-Low-Power CMOS Technology";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1998; Rigorosum: 07.07.1998.

44.  Wasshuber, C.:
"About Single-Electron Devices and Circuits";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 18.02.1997. https://doi.org/10.34726/hss.1997.01758304

43.  Leitner, E.:
"Diffusionsprozesse in dreidimensionalen Strukturen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 05.02.1998.

42.  Pichler, C.:
"Integrated Semiconductor Technology Analysis";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 22.05.1997. https://doi.org/10.34726/hss.1997.02035427

41.  Köpf, C.:
"Modellierung des Elektronentransports in Verbindungshalbleiterlegierungen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 16.12.1997. https://doi.org/10.34726/hss.1997.02250732

40.  Kaiblinger-Grujin, G.:
"Physikalische Modellierung und Monte-Carlo-Simulation der Elektronenbeweglichkeit in Silizium";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1997; Rigorosum: 13.03.1998.

39.  Puchner, H.:
"Advanced Process Modeling for VLSI Technology";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 31.05.1996.

38.  Rieger, G.:
"Ein graphischer Editor für Entwurf von Halbleiterbauteilen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Purgathofer; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 23.05.1996.

37.  Bohmayr, W.:
"Simulation der Ionenimplantation in kristalline Siliziumstrukturen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 28.10.1996.

36.  Simlinger, T.:
"Simulation von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 30.05.1996.

35.  Tuppa, W.:
"VMAKE - A CASE-Oriented Configuration Management Utility";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1996; Rigorosum: 28.11.1996.

34.  Deutschmann, R.:
"Entwicklung eines physikalischen HFET-Modells: Parameterextraktion und Verifikation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1995; Rigorosum: 10.10.1995.

33.  Hackel, M.:
"Transport und Injektion von Ladungsträgern in MOS-Strukturen mit der Monte-Carlo Methode";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1995; Rigorosum: 10.10.1995. https://doi.org/10.34726/hss.1995.01384981

32.  Khalil, N.:
"ULSI Characterization with Technology Computer-Aided Design";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1995; Rigorosum: 31.05.1995.

31.  Fischer, C.:
"Bauelementsimulation in einer computergestützten Entwurfsumgebung";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 26.05.1994.

30.  Bauer, R.:
"Numerische Berechnung von Kapazitäten in dreidimensionalen Verdrahtungsstrukturen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Haas; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 16.11.1994.

29.  Stiftinger, M.:
"Simulation und Modellierung von Hochvolt-DMOS-Transistoren";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 06.10.1994.

28.  Strasser, E.:
"Simulation von Topographieprozessen in der Halbleiterfertigung";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 17.11.1994.

27.  Halama, S.:
"The Viennese Integrated System for Technology CAD Applications";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, D. Dietrich; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 27.05.1994.

26.  Brand, H.:
"Thermoelektrizität und Hydrodynamik";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1994; Rigorosum: 26.05.1994.

25.  Habas, P.:
"Analysis of Physical Effects in Small Silicon MOS Devices";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 17.11.1993.

24.  Pimingstorfer, H.:
"Integration und Anwendung von Simulatoren in der CMOS-Entwicklung";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 30.11.1993.

23.  Stippel, H.:
"Simulation der Ionen-Implantation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 17.11.1993.

22.  Wimmer, K.:
"Two-Dimensional Nonplanar Process Simulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1993; Rigorosum: 18.06.1993.

21.  Kosina, H.:
"Simulation des Ladungstransportes in elektronischen Bauelementen mit Hilfe der Monte-Carlo-Methode";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, E. Gornik; Institut für Mikroelektronik, 1992; Rigorosum: 09.06.1992. https://doi.org/10.34726/hss.1992.00474269

20.  Heinreichsberger, O.:
"Transiente Simulation von Silizium MOSFETs";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, R. Weiss; Institut für Mikroelektronik, 1992; Rigorosum: 02.06.1992.

19.  Lindorfer, P.:
"Numerische Simulation von Galliumarsenid MESFETs";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1991; Rigorosum: 15.03.1991.

18.  Dickinger, P.:
"Hochvolt DMOS Transistoren: Analyse und Optimierung";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, F. Paschke; Institut für Mikroelektronik, 1990; Rigorosum: 15.06.1990.

17.  Wagner, K.:
"Simulation von Volumenwelleneffekten in SAW-Bauelementen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1990; Rigorosum: 20.03.1990.

16.  Demel, J.:
"JANAP - Ein Programm zur Simulation von elektrischen Netzwerken";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1989; Rigorosum: 16.11.1989.

15.  Nanz, G.:
"Numerische Methoden in der zweidimensionalen Halbleiterbauelementsimulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, R. Weiss; Institut für Mikroelektronik, 1989; Rigorosum: 23.11.1989.

14.  Kausel, W.:
"Zweidimensionale transiente Simulation von Halbleiterbauelementen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1989; Rigorosum: 02.03.1989.

13.  Thurner, M.:
"Dreidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Mikroelektronik, 1988; Rigorosum: 25.10.1988.

12.  Hobler, G.:
"Simulation der Ionenimplantation in ein-, zwei- und dreidimensionalen Strukturen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, W. Fallmann; Institut für Mikroelektronik, 1988; Rigorosum: 23.11.1988.

11.  Seidl, A.:
"Zweidimensionale Simulation der lokalen Oxidation von Silizium";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Ryssel, S. Selberherr; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg und Institut für Mikroelektronik, 1988; Rigorosum: 23.02.1989.

10.  Baghai-Wadji, A.R.:
"Berechnung der Quellenverteilung zur Anregung von akustischen Wellen in Oberflächenwellenfiltern";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987; Rigorosum: 29.10.1987.

9.  Ochsenreiter, W.:
"Fehlertolerante Uhrensynchronisation in verteilten Realzeitsystemen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Kopetz, S. Selberherr; TU Wien, 1987; Rigorosum: 27.05.1987.

8.  Männer, O.:
"Knotenvariablen-Analyse von Oberflächenwellenfiltern";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): F. Seifert, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987; Rigorosum: 29.09.1987.

7.  Langer, E.:
"Anregung und Ausbreitung elektroakustischer Wellen in piezoelektrischen Kristallen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1986; Rigorosum: 28.02.1986.

6.  Jüngling, W.:
"Entwicklung und Auswertung verbesserter Modelle für die Prozeß- und Bauelementesimulation";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1986; Rigorosum: 05.06.1986.

5.  Straker, F.:
"Numerische Berechnung von Kapazitäten in hochintegrierten Schaltungen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1985; Rigorosum: 30.10.1985.

4.  Pichler, P.:
"Numerische Simulation kritischer Prozeßschritte in der Halbleitertechnik";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1985; Rigorosum: 30.10.1985.

3.  Franz, A.:
"Numerische Simulation von Leistungsfeldeffekthalbleiterbauelementen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1984; Rigorosum: 21.11.1984.

2.  Franz, G.:
"Numerische Simulation von bipolaren Leistungshalbleiterbauelementen";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): S. Selberherr, H. Pötzl; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1984; Rigorosum: 21.11.1984.

1.  Selberherr, S.:
"Zweidimensionale Modellierung von MOS-Transistoren";
Betreuer/in(nen), Begutachter/in(nen): H. Pötzl, F. Paschke; Institut für Physikalische Elektronik, 1981; Rigorosum: 05.03.1981.