Master's Theses

270.  Filipovic, L.:
"A Broadly-Applicable Ensemble Monte Carlo Framework";
Vortrag: Workshop Monte Carlo Simulation: Beyond Moore's LAW, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Spain (eingeladen); 05.09.2022.

269.  Knobloch, T.:
"Enhancing the Reliability of 2D Nanoelectronics Guided by Physical Modeling";
Vortrag: Workshop Monte Carlo Simulation: Beyond Moore's LAW, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Spain; 05.09.2022.

268.  Illarionov, Yu., Knobloch, T., Uzlu, B., Sokolov, N. S., Lemme, M., Grasser, T.:
"Highly stable GFETs with 2nm crystalline CaF2 insulators";
Vortrag: 6th International Conference on Physics of 2D materials based electronics and optoelectronics (ICP2DC6, 2022), Yerevan, Armenia; 09.10.2022 - 14.10.2022.

267.  Ballicchia, M., Nedjalkov, M., Weinbub, J.:
"Monte Carlo Approach for Solving Integral Equations: From Classical-Boltzmann to Quantum-Wigner Particles";
Vortrag: International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Spain (eingeladen); 05.09.2022.

266.  Weinbub, J., Ballicchia, M., Nedjalkov, M.:
"Quantum Transport in Phase Space: Introduction and Applications";
Vortrag: Summer School on Methods and Models of Kinetic Theory, Pesaro, Italy (eingeladen); 12.06.2022 - 18.06.2022.

265.  Kosina, H.:
"Recent Developments in Semiclassical Transport: Backward Monte Carlo and Electron-Electron Scattering";
Vortrag: Workshop Monte Carlo Simulation: Beyond Moore's LAW, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Spain; 05.09.2022.

264.  Knobloch, T., Grasser, T.:
"Scalable and Reliable Gate Insulators for 2D Material-Based FETs";
Vortrag: IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC), Puebla, Mexico (eingeladen); 04.07.2022 - 06.07.2022.

263.  Reiter, T.:
"Stabilisierung von Spin-Ensembles in hybriden Quantensystemen";
Betreuer/in(nen): S. Rotter; Institut für Theoretische Physik (136), 2022; Abschlussprüfung: 29.04.2022.

262.  Illarionov, Yu., Knobloch, T., Waltl, M., Smets, Q., Panarella, L., Kaczer, B., Schram, T., Brems, S., Cott, D., Asselberghs, I., Grasser, T.:
"Top Gate Length Dependence of Hysteresis in 300mm FAB MoS2 FETs";
Vortrag: Graphne 2022, Aachen, Germany; 05.07.2022 - 08.07.2022.

261.  Weinbub, J.:
"Wigner Signed Particles for Electron Quantum Optics";
Vortrag: UW-Madison's Grainger Institute Computing in Engineering Forum, USA (eingeladen); 20.09.2022 - 21.09.2022.

260.  Illarionov, Yu., Knobloch, T., Grasser, T.:
"Crystalline Insulators for Scalable 2D Nanoelectronics";
Vortrag: International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS), Rende (CS), Italy (eingeladen); 29.06.2021 - 02.07.2021.

259.  Weger, M.:
"Elektrische Charakteriserung von SiC Trench MOSFETs mittels DLTS and Admittanz Spektroskopie";
Betreuer/in(nen): T. Grasser; E360, 2021; Abschlussprüfung: 17.06.2021.

258.  Kratzmann, M.:
"Entwicklung eines rauscharmen CV Messmoduls für die Defektspektroskopie von MOS Transistoren";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, M. Waltl; E360, 2021; Abschlussprüfung: 18.11.2021.

257.  Illarionov, Yu., Banshchikov, A., Sokolov, N. S., Fedorov, V. V., Suturin, S. M., Vexler, M. I., Knobloch, T., K Polyushkin, D., Mueller, T., Grasser, T.:
"Epitaxial Fluorides as a Universal Platform for More Moore and More than Moore Electronics Based on 2D Materials";
Vortrag: Scientific Council Meeting of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia (eingeladen); 08.04.2021.

256.  Weinbub, J., Ballicchia, M., Nedjalkov, M.:
"Single Electron Control for Quantum Interference Devices";
Vortrag: Summer School on Methods and Models of Kinetic Theory - Winter Prelude, Porto Ercole, Italy - virtual (eingeladen); 08.02.2021 - 10.02.2021.

255.  Pöppl, F.:
"Analysis and Optimization of Nested Meshes for Adaptive Mesh Refinement";
Betreuer/in(nen): J. Weinbub, M. Quell; Institut für Mikroelektronik, 2020; Abschlussprüfung: 17.06.2020.

254.  Freiberger, N.:
"Design, Development, and Analysis of a Comprehensive DNA En-and Decoding Open Source Program using Python";
Betreuer/in(nen): J. Weinbub, D. Iurashev; Fachhochschule Wiener Neustadt und Institut für Mikroelektronik, 2020; Abschlussprüfung: 17.09.2020.

253.  Rupp, K.:
"Vendor-Optimized vs. Portable Performance: Approaches to Get Both";
Vortrag: SIAM Conference on Parallel Processing for Scientific Computing (PP), Seattle, WA, USA; 12.02.2020 - 15.02.2020.

252.  Ceric, H., Zahedmanesh, H., Croes, K.:
"Analysis of Electromigration Failure of Nano-Interconnects through a Combination of Modeling and Experimental Methods";
Vortrag: European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF), Toulouse, France; 23.09.2019 - 26.09.2019.

251.  Illarionov, Yu., Banshchikov, A., K Polyushkin, D., Wachter, S., Vexler, M., Sokolov, N. S., Müller, T., Grasser, T.:
"CaF2 Insulators for Ultrascaled 2D Field Effect Transistors";
Vortrag: Graphene Week, Helsinki, Finland (eingeladen); 23.09.2019 - 27.09.2019.

250.  Schleich, C.:
"Charakterisierung und Modellierung von SiC Transistoren";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, M. Waltl; Institut für Mikroelektronik, 2019; Abschlussprüfung: 25.01.2019.

249.  Lenz, C.:
"Curvature Based Surface Mesh Simplification";
Betreuer/in(nen): H. Pottmann, J. Weinbub; Institut für Diskrete Mathematik und Geometrie und Institut für Mikroelektronik, 2019; Abschlussprüfung: 06.06.2019.

248.  Sverdlov, V.:
"Magnetic Field Free Switching of a Perpendicular SOT MRAM Cell";
Vortrag: LETI Innovation days: Advanced Simulation for Non-Volatile Memory Workshop, Grenoble, France (eingeladen); 28.06.2019.

247.  Kandolf, C.:
"Numerische Lösung der Liouville-Von Neumann Gleichung in transformierten Koordinaten";
Betreuer/in(nen): H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 2019; Abschlussprüfung: 12.04.2019.

246.  Illarionov, Yu., Banshchikov, A., K Polyushkin, D., Wachter, S., Vexler, M. I., Sokolov, N. S., Müller, T., Grasser, T.:
"Reliability and Thermal Stability of MoS2 FETs with Ultrathin CaF2 Insulator";
Vortrag: IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), Stockholm, Sweden (eingeladen); 27.10.2019 - 30.10.2019.

245.  Simonka, V.:
"Advancements In Annealing And Oxidation Steps For Compound Semiconductor Power Devices";
Vortrag: Silvaco Users Global Event (SURGE), Santa Clara, CA, USA (eingeladen); 09.10.2018.

244.  Fleischanderl, P.:
"Charakterisierung von Hot Carrier Degradation in Siliziumtransistoren";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, M. Waltl; Institut für Mikroelektronik, 2018; Abschlussprüfung: 26.11.2018.

243.  Neophytou, N., Foster, S., Vargiamidis, V., Thesberg, M.:
"Electronic Transport Simulations in Materials with Embedded Nano-Inclusions for Enhanced Thermoelectric Power Factors";
Vortrag: Annual March Meeting of the American Physical Society, Los Angeles, USA; 05.03.2018 - 09.03.2018.

242.  Ullmann, B., Grill, A., Manstetten, P., Jech, M., Kampl, M., Zisser, W. H., Filipovic, L., Thesberg, M., Rudolf, F., Windbacher, T., Cervenka, J., Katterbauer, M., Weinbub, J.:
"Ihr Smartphone - ein Supercomputer vor 20 Jahren. Ein Einblick in die Mikro- und Nanoelektronik";
Vortrag: Lange Nacht der Forschung 2016, Wien; 22.04.2016.

241.  Selinger, A.:
"Lösung der Poisson Gleichung auf Supercomputern";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, K. Rupp; Institut für Mikroelektronik, 2018; Abschlussprüfung: 13.06.2018.

240.  Toifl, A.:
"Modeling and Simulation of Thermal Annealing of Implanted GaN and SiC";
Betreuer/in(nen): E. Langer, J. Weinbub; Institut für Mikroelektronik, 2018; Abschlussprüfung: 15.06.2018.

239.  Grasser, T.:
"Multiscale Reliability Modeling";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture at the SINANO Sommer School 2018, Tarragona, Spain (eingeladen); 25.09.2018.

238.  Illarionov, Yu.:
"On the Way to Commercial 2D Electronics...";
Vortrag: 2nd Zhejiang Sci-Tech University Forum for International Young Scholars, Hangzhou, China (eingeladen); 25.11.2018 - 27.11.2018.

237.  Manstetten, P.:
"Performance Improvements For Advanced Physical Etching And Deposition In Memory Technologies";
Vortrag: Silvaco Users Global Event (SURGE), Santa Clara, CA, USA (eingeladen); 09.10.2018.

236.  Waldhör, D.:
"Potential Energy Surface Approximations for Nonradiative-Multiphonon Charge Transitions in Oxide Defects";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, Y. Wimmer; Institut für Mikroelektronik, 2018; Abschlussprüfung: 05.10.2018.

235.  Quell, M.:
"Splitting-Verfahren für nichtlineare Evolutionsgleichungen";
Betreuer/in(nen): W. Auzinger; Institut für Analysis und Scientific Computing, 2018; Abschlussprüfung: 2018.

234.  Mach, G.:
"A Highly Versatile Tool Chain for Robust Computational Fluid Dynamics Simulations";
Betreuer/in(nen): E. Langer, J. Weinbub; Institut für Mikroelektronik, 2017; Abschlussprüfung: 19.01.2017.

233.  Bellini, M.:
"Ab Initio Study of Hexagonal Boron Nitride and Molybdenum Disulfide";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, M. Jech, Y. Wimmer; Institut für Mikroelektronik, 2017; Abschlussprüfung: 09.03.2017.

232.  Grasser, T.:
"Charge Trapping and Time-dependent Variability in CMOS Transistors";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, Stuttgart,Germany (eingeladen); 24.01.2017.

231.  Grasser, T.:
"Charge Trapping and Time-dependent Variability in Low-Voltage MOS Transistors";
Vortrag: Short Course at IEEE EDS Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, Toyama, Japan (eingeladen); 28.02.2017.

230.  Grasser, T.:
"Defects in 3D and 2D Field Effect Transistors: Characterization and Modeling";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, Aachen, Germany (eingeladen); 23.11.2017.

229.  Neophytou, N., Thesberg, M.:
"Electronic Transport Simulations in Nano-Crystalline Materials for Enhanced Thermoelectric Power Factors";
Vortrag: APS March Meeting, New Orleans, USA; 13.03.2017 - 17.03.2017.

228.  Neophytou, N., Foster, S., Thesberg, M., Kosina, H.:
"Electronic Transport Simulations in Nanocomposites - Exploring the Features that Optimize the Thermoelectric Power Factor";
Vortrag: E-MRS Spring Meeting, Strasburg, France; 22.05.2017 - 26.05.2017.

227.  Neophytou, N., Thesberg, M.:
"Electronic Transport Simulations in Nanostructured Materials for Large Thermoelectric Power Factors";
Vortrag: European Congress and Exhibition on Advanced Materials and Processes (EUROMAT), Thessaloniki, Greece; 18.09.2017 - 22.09.2017.

226.  Selberherr, S.:
"Integrated Gas Sensors for Wearable Electronics";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong (eingeladen); 12.04.2017.

225.  Foster, S., Chakraborty, D., Thesberg, M., Kosina, H., Neophytou, N.:
"Monte Carlo Simulations for Extracting the Power Factor in 1D Systems";
Vortrag: EPRSC Thermoelectric Network Meeting, Manchester, UK; 14.02.2017 - 15.02.2017.

224.  Simonka, V.:
"Natancni Fizikalni Modeli 3D Simulatorjev Proizvodnje Mikroelektronskih Naprav";
Vortrag: Faculty of Natural Sciences and Mathematics, University of Maribor, Slovenia (eingeladen); 26.01.2017.

223.  Illarionov, Yu., Waltl, M., Knobloch, T., Rzepa, G., Grasser, T.:
"Reliability Perspective of 2D Electronics";
Vortrag: International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C2), Ha Long, Vietnam; 25.04.2017 - 30.04.2017.

222.  Ostermaier, C., Lagger, P., Reiner, M., Grill, A., Stradiotto, R., Pobegen, G., Grasser, T., Pietschnig, R., Pogany, D.:
"Review of bias-temperature instabilities at the III-N/dielectric interface";
Vortrag: European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF), Bordequx, Frankreich; 25.09.2017 - 28.09.2017.

221.  Rupp, K.:
"Semiconductor Device Simulation Approaches for Massively Parallel Computing Architectures";
Vortrag: SIAM Conference on Computational Science and Engineering, Atlanta, GA, USA; 27.02.2017 - 03.03.2017.

220.  Selberherr, S.:
"The Evolution and Potential Future of Microelectronics";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, City University of Hong Kong, Hong Kong (eingeladen); 31.03.2015.

219.  Knobloch, T.:
"Characterization and Physical Modeling of Degradation in MoS2 Transistors";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, G. Rzepa; Institut für Mikroelektronik, 2016; Abschlussprüfung: 07.10.2016.

218.  Huymajer, M.:
"Cluster Detection Algorithm to Study Single Charge Trapping Events in TDDS";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, M. Waltl; Institut für Mikroelektronik, 2016; Abschlussprüfung: 16.06.2016.

217.  Nedjalkov, M., Ellinghaus, P., Weinbub, J., Selberherr, S., Sadi, T., Asenov, A., Wang, L., Amoroso, S., Towie, E.:
"Physical Models for Variation-Aware Device Simulation";
Vortrag: Workshop on Variability-Aware Design Technology Co-Optimization, Nuremberg, Germany (eingeladen); 05.09.2016.

216.  Thesberg, M., Neophytou, N., Pourfath, M., Kosina, H.:
"Power Factor Degradation Mechanisms in Energy-Filtering Thermoelectric Materials";
Vortrag: Energy-Materials-Nanotechnology Meeting on Thermoelectric Materials (EMN), Orlando, USA (eingeladen); 22.02.2016 - 25.02.2016.

215.  Kosina, H.:
"Semiconductor Device Modeling at the Nanoscale";
Vortrag: 42nd International Conference on Nano Engineering, MNE 2016, Wien (eingeladen); 19.09.2016 - 23.09.2016.

214.  Schnass, K.:
"Simulation of Ballistic Two-Dimensional Quantum Transport";
Betreuer/in(nen): H. Kosina, O. Baumgartner; Institut für Mikroelektronik, 2016; Abschlussprüfung: 18.11.2016.

213.  Stampfer, B.:
"Trap Assisted Tunneling and Band Interaction using the Non-Radiative Multi Phonon Model";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, A. Grill; Institut für Mikroelektronik, 2016; Abschlussprüfung: 22.01.2016.

212.  Nedjalkov, M., Weinbub, J., Ellinghaus, P., Selberherr, S.:
"Wigner Signed Particles - An Intuitive Alternative of Particle-Wave Duality";
Vortrag: SEMODAY Meeting, Florence, Italy (eingeladen); 16.10.2016 - 17.10.2016.

211.  Rupp, K., Jüngel, A., Grasser, T.:
"A Performance Comparison of Algebraic Multigrid Preconditioners on GPUs and MIC";
Vortrag: Copper Mountain Conference on Multigrid Methods, Copper Mountain, CO, USA; 22.03.2015 - 27.03.2015.

210.  Grasser, T.:
"Advanced Modeling and Characterization of Bias Temperature Instabilities and Hot Carrier Degradation";
Vortrag: D2T Symposium, Tokyo, Japan (eingeladen); 21.08.2015.

209.  Kosina, H.:
"Blessing or curse: Dissipative quantum transport in nano-scale devices";
Vortrag: Workshop "From Atom to Transistor" at the 45th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Graz (eingeladen); 18.09.2015.

208.  Selberherr, S.:
"CMOS-Compatible Spintronic Devices";
Vortrag: IEEE EDS Mini-Colloquium Distinguished Lecture, Universidade Salvador, Salvador, Brasil (eingeladen); 01.09.2015.

207.  Grasser, T.:
"Charge Transfer of Single Holes in Nanoscale MOS Transistors: Linking DFT to Experiment";
Vortrag: CECAM-Workshop on Structural and Electronic Phenomena at Interfaces of Nanoscale Oxides, Lausanne, Switzerland (eingeladen); 08.04.2015 - 10.04.2015.

206.  Knepley, M., Rupp, K., Terrel, A.:
"FEM Integration with Quadrature on the GPU";
Vortrag: SIAM Conference on Computational Science and Engineering, Salt Lake City, Utah, USA; 14.03.2015 - 18.03.2015.

205.  Kampl, M.:
"Implementation of a Backward Monte Carlo Algorithm to Investigate Hot Carriers in Semiconductor Devices";
Betreuer/in(nen): H. Kosina, Z. Stanojevic; Institut für Mikroelektronik, 2015; Abschlussprüfung: 20.11.2015.

204.  Grasser, T.:
"Oxide Defects in MOS Transistors: Characterization and Modeling";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, Aranjuez, Spain (eingeladen); 11.02.2015.

203.  Rupp, K.:
"PETSc on GPUs and MIC: Current Status and Future Directions";
Vortrag: Workshop: Celebrating 20 Years of Computational Science with PETSc Tutorial and Conference, Argonne National Laboratory, IL, USA; 15.06.2015 - 18.06.2015.

202.  Harrer, A., Reininger, P., Gansch, R., Schwarz, B., MacFarland, D., Zederbauer, T., Detz, H., Andrews, A. M., Schrenk, W., Baumgartner, O., Kosina, H., Strasser, G.:
"Quantum Cascade Detectors for Sensing Applications";
Vortrag: ICAVS8, Wien; 12.07.2015 - 17.07.2015.

201.  Grasser, T.:
"Recent Progress in Understanding the Bias Temperature Instability: from Single Traps to Distributions";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, Hiroshima, Japan (eingeladen); 26.08.2015.

200.  Ostermaier, C., Lagger, P., Prechtl, G., Grill, A., Grasser, T., Pogany, D.:
"The role of electron transport in the charge trapping at the III-N/dielectric interface in AlGaN/GaN MIS-HEMT structures";
Vortrag: Semiconductor Interface Specialists Conference, Arlington, VA, USA; 02.12.2015 - 05.12.2015.

199.  Rupp, K., Bina, M., Morhammer, A., Grasser, T., Jüngel, A.:
"ViennaSHE: A Semiconductor Device Simulator Based on the Spherical Harmonics Expansion Method";
Vortrag: Workshop on Applied Mathematics and Simulation for Semiconductors (AMaSIS), Berlin, Germany (eingeladen); 11.03.2015 - 13.03.2015.

198.  Wagner, M.:
"3-Dimensional Simulation of Thermography Images based on PV-Cell Characteristics";
Betreuer/in(nen): J. Summhammer; E141, 2014; Abschlussprüfung: 13.03.2014.

197.  Selberherr, S.:
"About Voids in Copper Interconnects";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, Zhejiang University, Hangzhou, China (eingeladen); 28.10.2014.

196.  Harrer, A., Reininger, P., Schwarz, B., Gansch, R., Kalchmair, S., Detz, H., Zederbauer, T., MacFarland, D., Andrews, A. M., Schrenk, W., Baumgartner, O., Kosina, H., Strasser, G.:
"Advances in Quantum Cascade Detector Design";
Vortrag: 4th International Nanophotonics Meeting 2014, Igls; 23.10.2014 - 25.10.2014.

195.  Grasser, T.:
"Bias Temperature Instability in CMOS Nanodevices";
Vortrag: SINANO Summer School, Bertinoro, Italy (eingeladen); 25.08.2014 - 29.08.2014.

194.  Grasser, T.:
"Characterization and Modeling of Charge Trapping and Hot Carrier Degradation";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, Agrate Brianza, Italy (eingeladen); 11.12.2014.

193.  Grasser, T.:
"Characterization and Modeling of Charge Trapping in CMOS Transistors";
Vortrag: International Workshop on Characterization and Modeling of Memory Devices, Agrate Brianza, Italy (eingeladen); 02.10.2014 - 03.10.2014.

192.  Sverdlov, V., Osintsev, D., Selberherr, S.:
"From Strained SOI MOSFET to Spin MOSFET with Strain: a Modeling Approach";
Vortrag: Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits (EUROSOI), Tarragona, Spain (eingeladen); 27.01.2014 - 29.01.2014.

191.  Selberherr, S.:
"Modeling Spin-Based Electronic Devices";
Vortrag: IEEE EDS Mini-Colloquium Distinguished Lecture, Serbian Academy of Sciences and Arts, Belgrade, Serbia (eingeladen); 12.05.2014.

190.  Sonderfeld, R.:
"Numerical Calculation of Semiconductor Band Structures";
Betreuer/in(nen): H. Kosina, Z. Stanojevic; Institut für Mikroelektronik, 2014; Abschlussprüfung: 28.11.2014.

189.  Strasser, G., Schwarz, B., Reininger, P., Baumgartner, O., Schrenk, W., Zederbauer, T., Detz, H., Andrews, A. M., Kosina, H.:
"Bi-functional Quantum Cascade Laser/Detectors for Integrated Photonics";
Vortrag: ÖPG-Jahrestagung, Linz (eingeladen); 02.09.2013 - 06.09.2013.

188.  Harrer, A., Schwarz, B., Reininger, P., Gansch, R., Zederbauer, T., Andrews, A. M., Kalchmair, S., Schrenk, W., Baumgartner, O., Stanojevic, Z., Kosina, H., Strasser, G.:
"Intersubband Detectors";
Vortrag: 3rd International Nanophotonics Meeting 2013, Salzburg; 01.09.2013 - 03.09.2013.

187.  Rzepa, G.:
"Microscopic Modeling of NBTI in MOS Transistors";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, W. Gös; Institut für Mikroelektronik, 2013; Abschlussprüfung: 20.11.2013.

186.  Schwarz, B., Reininger, P., Schrenk, W., Detz, H., Baumgartner, O., Zederbauer, T., Andrews, A. M., Kosina, H., Strasser, G.:
"Monolithically integrated quantum cascade laser and detector";
Vortrag: CLEO Europe 2013, München, Deutschland; 12.05.2013 - 16.05.2013.

185.  Wolf, S.:
"Monte-Carlo Raytracing for Thermal Transport Simulation";
Betreuer/in(nen): H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 2013; Abschlussprüfung: 13.06.2013.

184.  Schwarz, B., Reininger, P., Ristanic, D., Baumgartner, O., Detz, H., Zederbauer, T., MacFarland, D., Andrews, A. M., Schrenk, W., Kosina, H., Strasser, G.:
"On-Chip mid-infrared light generation and detection";
Vortrag: ITQW, New York, USA (eingeladen); 15.09.2013 - 20.09.2013.

183.  Rupp, K., Tillet, Ph.:
"Performance-portable kernels in OpenCL: Lessons learned";
Vortrag: BLIS Retreat, Austin, USA (eingeladen); 05.09.2013 - 06.09.2013.

182.  Weinbub, J.:
"Research Software Engineering";
Vortrag: SPOMECH Autumn School, Ostrava, Czech Republic (eingeladen); 11.11.2013 - 15.11.2013.

181.  Schwarz, B., Reininger, P., Detz, H., Zederbauer, T., Andrews, A. M., Schrenk, W., Baumgartner, O., Kosina, H., Strasser, G.:
"Same-Frequency Detector and Laser Utilizing Bi-Functional Quantum Cascade Active Regions";
Vortrag: SPIE Photonics West, San Francisco, CA, USA; 02.02.2013 - 07.02.2013.

180.  Serrano-Lopez, I.:
"Study of Non-Stationary Effects of Space Charge in InN Films for Amplifiers and Delay Lines";
Betreuer/in(nen): A. Garcia-Barrientos, V. Palankovski; Universidad Politecnica de Pachua (UPP), Mexico, 2013; Abschlussprüfung: 12.02.2013.

179.  Schwarz, B., Reininger, P., Baumgartner, O., Zederbauer, T., Detz, H., Andrews, A. M., Schrenk, W., Kosina, H., Strasser, G.:
"Towards Mid-Infrared On-Chip Sensing utilizing a bi-functional Quantum Cascade Laser/Detector";
Vortrag: Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems / Modulated Semiconductor Structures (EP2Ds-MSS), Wroclaw, Polen; 01.07.2013 - 05.07.2013.

178.  Reininger, P., Schwarz, B., Wirthmüller, A., Harrer, A., Baumgartner, O., Detz, H., Zederbauer, T., MacFarland, D., Andrews, A. M., Schrenk, W., Hvozdara, L., Kosina, H., Strasser, G.:
"Towards higher temperature operation of quantum cascade detectors";
Vortrag: ITQW, New York, USA; 15.09.2013 - 20.09.2013.

177.  Rupp, K.:
"ViennaCL: GPU-accelerated Linear Algebra at the Convenience of the C++ Boost Libraries";
Vortrag: SIAM Conference on Computational Science and Engineering, Boston, USA; 25.02.2013 - 01.03.2013.

176.  Grasser, T.:
"Aging in CMOS Devices: From Microscopic Physics to Compact Models";
Vortrag: The 2012 Forum on Specification & Design Languages, Vienna, Austria (eingeladen); 18.09.2012 - 20.09.2012.

175.  Schanovsky, F., Grasser, T.:
"Bias Temperature Instabilities in highly-scaled MOSFETs";
Vortrag: 2012 CMOS Emerging Technologies, Vancouver, BC Canada (eingeladen); 18.07.2012 - 21.07.2012.

174.  Schwarz, B., Reininger, P., Baumgartner, O., Stanojevic, Z., Kosina, H., Strasser, G.:
"Dual wavelength quantum cascade structure that can act both as laser and detector";
Vortrag: MIRTHE-IROn-SensorCAT virtual conference 2012, Princeton; 26.06.2012 - 27.06.2012.

173.  Stanojevic, Z., Kosina, H.:
"Efficient Numerical Analysis of Dielectric Cavities";
Vortrag: European Semiconductor Laser Workshop (ESLW), Brussels, Belgium; 21.09.2012 - 22.09.2012.

172.  Braitner, M.:
"Erstellung und Verifikation von Modellen für Leistungs-MOSFETs für die quantitative EMV-Simulation";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, P.-J. Wagner; Institut für Mikroelektronik, 2012; Abschlussprüfung: 13.01.2012.

171.  Neophytou, N.:
"Low Dimensional Si Nanostructures for Efficient Thermoelectric Energy Conversion and Generation";
Vortrag: Workshop on Nanostructured Materials & Devices (NANOMED), Nicosia, Cyprus (eingeladen); 17.10.2012.

170.  Schwarz, B., Reininger, P., Baumgartner, O., Stanojevic, Z., Kosina, H., Strasser, G.:
"Optimization of intersubband devices for dual-color emission, absorption and detection";
Vortrag: ÖPG-Jahrestagung, Graz; 18.09.2012 - 21.09.2012.

169.  Palankovski, V.:
"Photovoltaic and Thermoelectric Devices for Renewable Energy Harnessing";
Vortrag: Electronica, Sofia, Bulgaria (eingeladen); 14.06.2012 - 15.06.2012.

168.  Selberherr, S.:
"Recent Developments in Advanced Memory Modeling";
Vortrag: IEEE EDS Mini-Colloquium Distinguished Lecture, University of Nis, Nis, Serbia (eingeladen); 13.05.2012.

167.  Selberherr, S.:
"Transport Modeling for Nanoscale Semiconductor Devices";
Vortrag: IEEE EDS Mini-Colloquium Distinguished Lecture, Tianjin University, Tianjin, China (eingeladen); 16.11.2011.

166.  Orio, R., Ceric, H., Selberherr, S.:
"A Compact Model for Early Electromigration Failures of Copper Dual-Damascene Interconnects";
Vortrag: 22nd European Symposium on the Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Bordeaux, France; 03.10.2011 - 07.10.2011.

165.  Wagner, M.:
"Algebraic Multigrid Methods on Parallel Architectures";
Betreuer/in(nen): E. Langer, K. Rupp; Institut für Mikroelektronik, 2011; Abschlussprüfung: 25.11.2011.

164.  Grasser, T.:
"Cause, Detection, and Impact of Charge Trapping on Aging";
Vortrag: VLSI Symposium Short Course, Kyoto, Japan; 14.06.2011 - 18.06.2011.

163.  Waltl, M.:
"Change Point Detection in Time Dependent Defect Spectroscopy Data";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, P.-J. Wagner; Institut für Mikroelektronik, 2011; Abschlussprüfung: 25.11.2011.

162.  Grasser, T.:
"Modeling of Device Reliability";
Vortrag: Tutorial at 37th European Solid-State Devices Conference, Helsinki, Finland; 12.09.2011 - 16.09.2011.

161.  Milovanovic, G., Baumgartner, O., Nobile, M., Detz, H., Andrews, A. M., Strasser, G., Kosina, H.:
"Monte Carlo Simulation of an Al-free Quantum Cascade Laser";
Vortrag: MIRTHE-IROn-SensorCAT virtual conference, Princenton; 19.01.2011 - 20.01.2011.

160.  Grasser, T.:
"Oxide Defects: From Microscopic Physics to Compact Models";
Vortrag: SISPAD Workshop, Osaka, JAPAN; 08.09.2011 - 10.09.2011.

159.  Pourfath, M.:
"Quantum Transport in Graphene-Based Devices: A Computational Study";
Vortrag: 17th Annual IASBS Meeting on Condensed Matter Physics, Zanjan, Iran (eingeladen); 26.05.2011 - 27.05.2011.

158.  Lagger, P.:
"Scattering Operators for the Spherical Harmonics Expansion of the Boltzmann Transport Equation";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, K. Rupp; Institut für Mikroelektronik, 2011; Abschlussprüfung: 07.10.2011.

157.  Schwarz, B.:
"Simulation of Random Dopant Fluctuations with a Quantum Corrected Drift Diffusion Model";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, M. Bina; Institut für Mikroelektronik, 2011; Abschlussprüfung: 17.06.2011.

156.  Zisser, W. H.:
"Untersuchung an Kupferkristallen unter Zuhilfenahme von MD Simulationen";
Betreuer/in(nen): E. Langer, H. Ceric; Institut für Mikroelektronik, 2011; Abschlussprüfung: 12.10.2011.

155.  Rupp, K., Ceric, H.:
"Analytical and Numerical Investigation of the Segregation Problem";
Vortrag: 4th International Conference Computational Methods in Applied Mathematics: CMAM-4, Bedlewo; 20.06.2010 - 26.06.2010.

154.  Grasser, T.:
"Characterization and Modeling of the Negative Bias Temperature Instability";
Vortrag: VDE/VDI GMM Workshop "Stand und Perspektiven von SOI-Technologien und Anwendungen", Duisburg (eingeladen); 18.03.2010 - 19.03.2010.

153.  Selberherr, S.:
"Modeling Floating Body Z-RAM Storage Cells";
Vortrag: IEEE EDS Mini-Colloquium Distinguished Lecture, University of Nis, Nis, Serbia (eingeladen); 16.05.2010.

152.  Selberherr, S.:
"Modeling Solar Cells";
Vortrag: IEEE EDS Mini-Colloquium Distinguished Lecture, Technische Universität Wien (eingeladen); 01.10.2010.

151.  Grasser, T.:
"Recent Developments in Device Reliability Modeling";
Vortrag: MOS-AK ESSDERC Companion Workshop, Seville (eingeladen); 17.09.2010.

150.  Bina, M.:
"Simulation of Interface States Generated During Stress in MOSFETs";
Betreuer/in(nen): T. Grasser; Institut für Mikroelektronik, 2010; Abschlussprüfung: 23.04.2010.

149.  Grasser, T.:
"Statistical Reliability in Nanoscale Devices";
Vortrag: SISPAD Workshop, Bologna (eingeladen); 08.09.2010.

148.  Grasser, T., Reisinger, H., Wagner, P.-J., Gös, W., Schanovsky, F., Kaczer, B.:
"The Time Dependent Defect Spectroscopy (TDDS) for the Characterization of the Bias Temperature Instability";
Vortrag: European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF), Gaeta (eingeladen); 11.10.2010.

147.  Grasser, T.:
"Transport Modeling in Modern Semiconductor Devices";
Vortrag: CoMoN Workshop 2010, Tarragona (eingeladen); 30.06.2010 - 01.07.2010.

146.  Lugstein, A., Steinmair, M., Steiger-Thirsfeld, A., Kosina, H., Bertagnolli, E.:
"Tuning the Electronic Properties of Ultra-strained Silicon Nanowires";
Vortrag: MRS Fall Meeting, Boston, USA; 29.11.2010 - 03.12.2010.

145.  Palankovska, D.:
"Untersuchung schneller Bipolartransistoren mittels Simulation";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr; Institut für Mikroelektronik, 2010; Abschlussprüfung: 12.03.2010.

144.  Weinbub, J.:
"Adaptive Mesh Generation";
Betreuer/in(nen): E. Langer, R. Heinzl; Institut für Mikroelektronik, 2009; Abschlussprüfung: 09.10.2009.

143.  Palankovski, V.:
"Analysis and Simulation of Semicondutor Devices";
Vortrag: 3er. Congreso Nacional de Mecatronica, Zempoala, Mexico (eingeladen); 25.11.2009 - 27.11.2009.

142.  Klöckler, C.:
"Automatic Solver Control for Linear Equation Systems";
Betreuer/in(nen): E. Langer; Institut für Mikroelektronik, 2009; Abschlussprüfung: 18.06.2009.

141.  Franco, J., Kaczer, B., Stesmans, A., Afanas´Ev, V., Martens, K., Aoulaiche, M., Grasser, T., Mitard, J., Groeseneken, G.:
"Impact of Si-Passivation Thickness and Processing on NBTI Reliability of Ge and SiGe pMOSFETs";
Vortrag: 40th Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), Washington; 03.12.2009 - 05.12.2009.

140.  Rupp, K.:
"Multiphysics Modelling in the Context of Generative Programming";
Betreuer/in(nen): E. Langer; Institut für Mikroelektronik, 2009; Abschlussprüfung: 24.04.2009.

139.  Grasser, T.:
"Physical Mechanisms and Modeling of the Bias Temperature Instability";
Vortrag: European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF), Arcachon; 05.10.2009 - 09.10.2009.

138.  Stanojevic, Z.:
"Simulation of Carrier Transport in Ultra-Thin-Body Devices";
Betreuer/in(nen): T. Grasser; Institut für Mikroelektronik, 2009; Abschlussprüfung: 19.06.2009.

137.  Selberherr, S.:
"Strain Engineering in CMOS Devices";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brasil (eingeladen); 04.02.2009.

136.  Grasser, T.:
"Understanding Negative Bias Temperature Instability in the Context of Hole Trapping";
Vortrag: International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS), Cambridge (eingeladen); 29.06.2009 - 01.07.2009.

135.  Selberherr, S.:
"Challenges of the Nanoscale Era";
Vortrag: IEEE EDS Mini-Colloquium Distinguished Lecture, Hotel Serra Azul, Gramado, Brasil (eingeladen); 01.09.2008.

134.  Kernstock, C.:
"Design and Implementation of TCAD Environment Tools";
Betreuer/in(nen): H. Kosina, M. Karner; Institut für Mikroelektronik, 2008; Abschlussprüfung: 28.11.2008.

133.  Prause, P.:
"Design and Integration of Distributed Computing Concepts in a TCAD Framework";
Betreuer/in(nen): E. Langer, M. Karner; Institut für Mikroelektronik, 2008; Abschlussprüfung: 09.10.2008.

132.  Grasser, T.:
"Device Simulation Based on the Statistical Moments of the Boltzmann Transport Equation";
Vortrag: 3rd SINANO Device Modeling Summer School, Bertinoro, Italy; 01.09.2008 - 05.09.2008.

131.  Schanovsky, F.:
"Dispersive Transport Modeling within the Multiple Trapping Framework";
Betreuer/in(nen): T. Grasser; Institut für Mikroelektronik, 2008; Abschlussprüfung: 14.03.2008.

130.  Weihe, A.:
"Evaluierung und Implementierung von Kommunikations-Interfaces für SIESTA";
Betreuer/in(nen): E. Langer; Institut für Mikroelektronik, 2008; Abschlussprüfung: 28.11.2008.

129.  Aichinger, T., Nelhiebel, M., Grasser, T.:
"On the Temperature Dependence of NBTI Recovery";
Vortrag: European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF), Maastricht; 29.09.2008 - 02.10.2008.

128.  Selberherr, S.:
"Process Simulation for Modern Microelectronics Technologies";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brasil (eingeladen); 13.02.2008.

127.  Martens, K., Kaczer, B., Grasser, T., De Jaeger, B., Meuris, M., Groeseneken, G., Maes, H.E.:
"Charge Pumping Charcaterization of Germanium MOSFETs";
Vortrag: Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), Arlington; 06.12.2007 - 08.12.2007.

126.  Grasser, T.:
"Higher-Order Moment Models for Engineering Applications";
Vortrag: Recent Advances in Modeling and Simulation of Semiconductor Devices and Circuits (SEMIC), Milano (eingeladen); 17.02.2005 - 18.02.2005.

125.  Kosina, H., Sverdlov, V.:
"Impact of Strain and Defects on CMOS Process and Device Performance";
Vortrag: 15thBiannual Conference Insulating Films on Semiconductors (INFOS-2007), Glyfada Athens, Greece (eingeladen); 20.06.2007 - 23.06.2007.

124.  Li, L., Meller, G., Kosina, H.:
"Micro and Macroscopic Modeling of Charge Flows in Molecularly Disordered Organic Semiconductors";
Vortrag: SISPAD 2007 Companion Workshop 'Organic Electronics', Wien; 28.09.2007.

123.  Selberherr, S.:
"Microeletronics Modeling";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, Ss.Cyril and Methodius University in Skopje, Skopje, Mazedonien (eingeladen); 14.09.2007.

122.  Baumgartner, O.:
"Simulation of Quantum Transport Using the Non-Equilibrium Green´s Functions Formalism";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, M. Karner; Institut für Mikroelektronik, 2007; Abschlussprüfung: 18.01.2007.

121.  Selberherr, S.:
"Strain Engineering for Nanoscale CMOS Transistors";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, Pontifical Catholic University of Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, Brasil (eingeladen); 06.02.2007.

120.  Cervenka, J., Ceric, H., Selberherr, S.:
"Three-Dimensional Simulation of Sacrificial Etching";
Vortrag: SPIE Smart Sensors, Actuators, and MEMS, Masapalomas, Spain; 02.05.2007 - 04.05.2007.

119.  Höflechner, B.:
"A Random Number Generator Library for Monte Carlo Simulation";
Betreuer/in(nen): H. Kosina, E. Ungersböck; Institut für Mikroelektronik, 2006; Abschlussprüfung: 22.06.2006.

118.  Selberherr, S.:
"About Models and Simulation of Nano-Scale Devices";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional, Mexico City, Mexico (eingeladen); 25.08.2006.

117.  Palankovski, V.:
"Advanced Device Modeling for High Frequency Applications";
Vortrag: Compact Modeling for RF/Microwave Applications (CMRF), Maastricht (eingeladen); 11.10.2006.

116.  Friembichler, L.:
"Design and Implementation of a Generic Optimizer";
Betreuer/in(nen): E. Langer, S. Holzer; Institut für Mikroelektronik, 2006; Abschlussprüfung: 27.04.2006.

115.  Kosina, H.:
"Numerical Simulation of Quantum Devices Utilizing the Wigner Function Formalism";
Vortrag: Recent Advances in Modeling and Simulation of Semiconductor Devices and Circuits (SEMIC), Wien; 16.02.2006 - 17.02.2006.

114.  Selberherr, S.:
"Current Transport in Upcoming Microelectronic Devices";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, Universidade Federal de Santa Catarina, Florianopolis, Brasil (eingeladen); 22.03.2005.

113.  Wessner, W., Ceric, H., Hollauer, Ch., Langer, E., Selberherr, S.:
"Electromigration Reliability TCAD Solutions";
Vortrag: SEMICON Europa2005, München (eingeladen); 12.04.2005 - 14.04.2005.

112.  Grasser, T.:
"Mixed Mode Device/Circuit Simulation";
Vortrag: MOS-AK ESSDERC Companion Workshop, Grenoble (eingeladen); 16.09.2005.

111.  Kinkhabwala, Y., Sverdlov, V., Likharev, K.:
"Quasi-continuous Charge Transfer via 2D Hopping";
Vortrag: APS March Meeting, Los Angeles; 21.03.2005 - 25.03.2005.

110.  Holzer, S., Hollauer, Ch., Ceric, H., Wagner, S., Langer, E., Grasser, T., Selberherr, S.:
"Transient Electro-Thermal Investigations of Interconnect Structures Exposed to Mechanical Stress";
Vortrag: SPIE VLSI Circuits and Systems, Sevilla, Spain; 09.05.2005 - 11.05.2005.

109.  Wagner, M.:
"A Base Library for Full Band Monte Carlo Simulations";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 2004.

108.  Selberherr, S.:
"Analysis of High Speed Heterostructure Devices";
Vortrag: IEEE EDS Mini-Colloquium Distinguished Lecture, University of Nis, Nis, Serbia (eingeladen); 16.05.2004.

107.  Sverdlov, V., Kosina, H., Ringhofer, Ch., Nedjalkov, M., Selberherr, S.:
"Beyond the Golden Rule in Electron-Phonon Scattering: an Advanced Monte Carlo Algorithm";
Vortrag: DFG Workshop on Multiscale Problems in Quantum Mechanics and Averaging Techniques, Garching; 04.11.2004 - 05.11.2004.

106.  Nentchev, A.:
"Development of a Set-Up-Software for the Global Trigger of the CMS Experiment on the Large Hadron Collider in CERN";
Betreuer/in(nen): E. Langer, E. Ungersböck; Institut für Mikroelektronik, 2004.

105.  Wagner, S., Grasser, T., Selberherr, S.:
"Evaluation of Linear Solver Modules for Semiconductor Device Simulation";
Vortrag: International Conference on Mathematical Problems in Engineering and Aerospace Sciences (ICNPAA), Timisoara (eingeladen); 02.06.2004 - 04.06.2004.

104.  Selberherr, S.:
"Gate Currents in Small MOSFETs";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brasil (eingeladen); 06.04.2004.

103.  Karner, M.:
"Multi-Dimensional Simulation of Closed Quantum Systems";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, A. Gehring; Institut für Mikroelektronik, 2004.

102.  Spevak, M.:
"Simulation of Rotationally Symmetric Semiconductor Devices";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, A. Gehring; Institut für Mikroelektronik, 2004.

101.  Gehring, A., Selberherr, S.:
"Statistical Simulation of Gate Dielectric Wearout, Leakage, and Breakdown";
Vortrag: European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF), Zürich; 04.10.2004 - 08.10.2004.

100.  Kosina, H.:
"The Wigner Equation for Nanoscale Device Simulation";
Vortrag: DFG Workshop on Multiscale Problems in Quantum Mechanics and Averaging Techniques, Garching (eingeladen); 04.11.2004 - 05.11.2004.

99.  Heinzl, R.:
"A Three Dimensional Analytical Ion Implantation Tool Using the Wafer-State-Server";
Betreuer/in(nen): E. Langer, A. Hössinger; Institut für Mikroelektronik, 2003.

98.  Selberherr, S.:
"Modeling High Speed Semiconductor Devices of Modern Communication Systems";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, University of Campinas, Campinas, Brasil (eingeladen); 04.02.2003.

97.  Selberherr, S.:
"Past and Future of Microelectronics Technology";
Vortrag: IEEE EDS Distinguished Lecture, University of Campinas, Campinas, Brasil (eingeladen); 04.02.2003.

96.  Sheikholeslami, A., Heitzinger, C., Puchner, H., Badrieh, F., Selberherr, S.:
"Simulation of Void Formation in Interconnect Lines";
Vortrag: SPIE VLSI Circuits and Systems, Maspalomas, Spain; 19.05.2003 - 21.05.2003.

95.  Kosina, H., Nedjalkov, M.:
"The Wigner Equation for Quantum Device Modeling";
Vortrag: Workshop on Quantum and Many-Body Effects in Nanoscale Devices, Arizona State University (eingeladen); 24.10.2003 - 25.10.2003.

94.  Entner, R.:
"Three-Dimensional Device Simulation with MINIMOS-NT Using the Wafer-State-Server";
Betreuer/in(nen): T. Grasser, A. Gehring; Institut für Mikroelektronik, 2003.

93.  Zohlhuber, M.:
"Visualisierung von Simulationsdaten";
Betreuer/in(nen): E. Langer, A. Gehring; Institut für Mikroelektronik, 2003.

92.  Holzer, S.:
"Implementation of a Platform Independent "Queue Manager" for the Optimization Framework SIESTA";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, R. Klima; Institut für Mikroelektronik, 2002.

91.  Bacher, M.:
"Implementierung einer Client/Server-Architektur mit Graphischer Benutzeroberfläche als Verteilte Anwendung";
Betreuer/in(nen): E. Langer, T. Grasser; Institut für Mikroelektronik, 2002.

90.  Hollauer, Ch.:
"Implementierung einer HDF5-Datenschnittstelle für den Wafer State Server";
Betreuer/in(nen): E. Langer, T. Binder; Institut für Mikroelektronik, 2002.

89.  Wessner, W.:
"Jump and Walk - Ein Punkt-Lokalisierungs-Algorithmus für Komplexe Dreidimensionale Tetraeder-Gitter-Strukturen";
Betreuer/in(nen): E. Langer, T. Binder; Institut für Mikroelektronik, 2002.

88.  Ungersböck, E.:
"Numerische Berechnung der Bandstruktur von Halbleitern";
Betreuer/in(nen): P. Pongratz, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 2002; Abschlussprüfung: 15.05.2002.

87.  Selberherr, S.:
"Recent Advances in Transport Modeling for Miniaturized CMOS Devices";
Vortrag: IEEE EDS Mini-Colloquium Distinguished Lecture, Seaport Conference Center, Oranjestad, Aruba (eingeladen); 17.04.2002.

86.  Palankovski, V.:
"Simulation von SiGe Bauelementen";
Vortrag: GMM Workshop, München (eingeladen); 24.04.2002 - 25.04.2002.

85.  Grasser, T.:
"Simulation of SOI-Devices";
Vortrag: VDE/VDI GMM Workshop "Stand und Perspektiven von SOI-Technologien und Anwendungen", München (eingeladen); 17.05.2001 - 18.05.2001.

84.  Wagner, S.:
"The Minimos-NT Linear Equation Solving Module";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, T. Grasser; Institut für Mikroelektronik, 2001.

83.  Heitzinger, C., Selberherr, S.:
"An Extensible TCAD Optimization Framework Combining Gradient Based and Genetic Optimizers";
Vortrag: SPIE Design, Modeling, and Simulation in Microelectronics, Singapur; 28.11.2000 - 30.11.2000.

82.  Köhle, Ch.:
"Implementierung eines Verteilten Finite Octtree mittels CORBA";
Betreuer/in(nen): E. Langer, T. Binder; Institut für Mikroelektronik, 2000.

81.  Weichselbaum, C.:
"Erstellung eines Objektorientierten Finite Octtrees";
Betreuer/in(nen): E. Langer, T. Binder; Institut für Mikroelektronik, 1999.

80.  Cervenka, J.:
"Generation of Geometry Conforming Triangular Grids";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, E. Langer; Institut für Mikroelektronik, 1999.

79.  Gritsch, M.:
"Implementation of a Non-Parabolic Energy-Transport Model";
Betreuer/in(nen): H. Kosina, T. Grasser; Institut für Mikroelektronik, 1999.

78.  Grech, M.:
"Testing of a Digital Signal Processor in a Real-Time Operating System for Space Applications";
Betreuer/in(nen): E. Langer, C. Troger; Institut für Mikroelektronik, 1999.

77.  Wittine, C.:
"Generation of Two-Dimensional Device Structures from One-Dimensional Topography, Profile and Layout Data";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, G. Schrom; Institut für Mikroelektronik, 1998.

76.  Kaiblinger-Grujin, G., Köpf, C., Kosina, H., Selberherr, S.:
"Dependence of Electron Mobility on Impurities in Compound Semiconductors";
Vortrag: III-V Semiconductor Device Simulation Workshop, Turin; 16.10.1997 - 17.10.1997.

75.  Ira, G.:
"Eine Bytecode-Übersetzer für XLISP";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, G. Schrom; Institut für Mikroelektronik, 1997.

74.  Reinisch, B.:
"Eine Universelle Eingabeverwaltung für die Steuerung von Simulatoren";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, G. Schrom; Institut für Mikroelektronik, 1997.

73.  El Ghazi, M.:
"Erstellung eines Programmes zur Dreidimensionalen Visualisierung von Simulationsdaten aus dem TCAD-Framework VISTA";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1997.

72.  Leitner, H.:
"Erweiterung eines Graphischen Editors zum Entwurf Dreidimensionaler Halbleiterstrukturen";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, G. Schrom; Institut für Mikroelektronik, 1997.

71.  Marsoner, J.:
"Evaluierung der Entscheidungskriterien zum Redesign Systemnaher Software auf Mainframe-Rechnern";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, E. Langer; Institut für Mikroelektronik, 1997.

70.  Nebenführ, P.:
"Implementierung eines Schaltungs-Editors im OSF/Motif-Widget-Set";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, E. Langer; Institut für Mikroelektronik, 1997.

69.  Standfest, M.:
"Numerische Berechnung der Zustandsdichte von Halbleitern";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1997.

68.  Selberherr, S.:
"The State of the Art in Technology Computer-Aided Design";
Vortrag: Sematech Meeting on Microelectronics, Boston (eingeladen); 10.09.1997.

67.  Palankovski, V., Rottinger, M., Simlinger, T., Selberherr, S.:
"Two-Dimensional Simulation and Comparison of Si-based and GaAs-based HBTs";
Vortrag: III-V Semiconductor Device Simulation Workshop, Turin; 16.10.1997 - 17.10.1997.

66.  Zankl, G.:
"Über die Erzeugung von Gitterstützpunkten in Dreidimensionalen Geometrien";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1997.

65.  Koder, G.:
"Analyse eines Hall Sensor-IC";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1996.

64.  Binder, T.:
"Erstellung einer 3D Geometrie Support Library für das PIF-Fileformat";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, E. Langer; Institut für Mikroelektronik, 1996.

63.  Starnberger, K.:
"Interpolationsbasierte Modellierung von MOS-Transistoren";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, G. Schrom; Institut für Mikroelektronik, 1996.

62.  Baldemair, R.:
"Numerische Verfahren zur Darstellung von Energiebändern in Halbleitern";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1996.

61.  Karlich, S.:
"Simulation von Extrinsischer Diffusion in Silizium";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1996.

60.  Ferger, G.:
"Deutsch-Englische Terminologie zum Thema Technologie CAD";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr; Institut für Mikroelektronik, 1995.

59.  Grasser, T.:
"Ein Kontaktmodell zur Simulation von Poly-Emitter-Bipolar-Transistoren";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1995.

58.  Wehofer, R.:
"Flexibler 2-4-Baum Basierter Gittergenerator für BAMBI- und Delaunay-Gitter";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, G. Schrom; Institut für Mikroelektronik, 1995.

57.  Strasser, R.:
"Mehrgittermethoden für die 2D-Prozeßsimulation";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, C. Fischer; Institut für Mikroelektronik, 1995.

56.  Müllauer, M.:
"Modellierung von Paarstreuungen und Simulation ihrer Auswirkungen auf einen 1µm-BiCMOS-Prozeß";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1995.

55.  Wang, L.:
"Monte-Carlo Simulation des Elektronentransports in Technologisch Signifikanten Halbleitern";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1995.

54.  Harrer, M.:
"Monte-Carlo Simulation des Stationären Löchertransportes in Kovalenten Halbleitern mittels Reihenentwicklung des Valenzbandes";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1995.

53.  Troger, C.:
"Numerische Modellierung des Elektronentransports in Halbleiter-Heteroübergängen";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1995.

52.  Stach, A.:
"Simulation von MOSFET-Schaltungen";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, G. Schrom; Institut für Mikroelektronik, 1995.

51.  Habas, P.:
"The Application of Charge-Pumping Technique to Characterize the Si/Si02 Interface in Power VDMOSFETs";
Vortrag: International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS), Villard-de-Lans; 07.06.1995 - 10.06.1995.

50.  Sabelka, R.:
"Entwicklung einer X-Windows-Schnittstelle für das Programm OPERA";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1994.

49.  Fleischmann, P.:
"Implementation of a Robust 3D Delaunay Grid Generator with Complexity O(n log n)";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, F. Fasching; Institut für Mikroelektronik, 1994.

48.  Ledl, C.:
"Konvertierung Rasterorientierter Geometrien in Polygonal Begrenzte";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, C. Fischer; Institut für Mikroelektronik, 1994.

47.  Kirchauer, H.:
"Optimal Filters for Signal Enhancement: Time-Frequency Analysis and Design";
Betreuer/in(nen): W.F.G. Mecklenbräuker, F. Hlawatsch; Institut für Nachrichtentechnik und Informationstechnik, 1994.

46.  Radi, M.:
"Simulation der Diffusion mit zellularen Automaten";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, E. Langer; Institut für Mikroelektronik, 1994.

45.  Liakopoulos, I.:
"Überwachung eines VMS-Clusters";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, M. Stiftinger; Institut für Mikroelektronik, 1994.

44.  Salami, K.:
"Behandlung schiefer Grenzflächen in der Halbleitersimulation";
Betreuer/in(nen): C. Fischer, S. Selberherr; Institut für Mikroelektronik, 1993.

43.  Wasshuber, C.:
"Konvergenzverbesserung der Lösung linearer Gleichungssysteme mit Hilfe polynomialer Prekonditionierer";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, O. Heinreichsberger, M. Stiftinger; Institut für Mikroelektronik, 1993.

42.  Bruck, W.:
"Konvertierung eines Drahtgittermodells in eine Oberflächendarstellung";
Betreuer/in(nen): C. Fischer, S. Selberherr; Institut für Mikroelektronik, 1993.

41.  Czermak, B.:
"Monte-Carlo Simulation des stationären Elektronentransportes in polaren Halbleitern";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1993.

40.  Meschik, M.:
"Schaltungssynthese von analogen Funktionsblöcken mit dem Analog-Entwicklungssystem ADAM (Analog Design Automation System)";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, M. Stiftinger; Institut für Mikroelektronik, 1993.

39.  Kral, G.:
"Aufrüstung von i80286-Computersystemen durch den Einsatz des INTEL Prozessors i80386";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, E. Langer; Institut für Mikroelektronik, 1992.

38.  Tuppa, W.:
"Eine Applikationsschnittstelle für eine Technologie-CAD Datenbank";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, F. Fasching; Institut für Mikroelektronik, 1992.

37.  Grafl, A.:
"Interaktiver graphischer Editor für mehrdimensionale, skalar- und vektorwertige Datenfelder";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, F. Fasching; Institut für Mikroelektronik, 1992.

36.  Lindorfer, P.:
"An Ideality Factor Formulation of Schottky Boundary Conditions in Numerical Device Simulation";
Vortrag: Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE), Grönenbach; 14.05.1991 - 17.05.1991.

35.  Rieger, G.:
"Ein Zwei-Paß FORTRAN nach C Übersetzer";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, F. Fasching; Institut für Mikroelektronik, 1991.

34.  Lugbauer, A.:
"Numerische Simulation von Band-zu-Band Tunneleffekten";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1991.

33.  Tuppa, W.:
"Optimierender Linker für Superpipeling- und Superskalarrechner";
Betreuer/in(nen): W. Kleinert, S. Selberherr; Institut für Technische Informatik, 1991.

32.  Mayer, G.:
"Anwendung des PIF (Profile Interchange Format) in der Prozeß- und Device-Simulation";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, O. Heinreichsberger, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1990.

31.  Kocsis, T.:
"Modeling of Hot-Carrier Effects in MOS-Devices";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr; TU Budapest und Institut für Mikroelektronik, 1990.

30.  Bauer, R.:
"Numerische Bereichstransformation für die zweidimensionale Prozeß -Simulation";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, K. Wimmer, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1990.

29.  Nanz, G.:
"Selbst-adaptive Finite-Differenzen-Gitter in der Halbleiterbauelementesimulation";
Vortrag: GAMM 90, Hannover; 1990.

28.  Pimingstorfer, H.:
"Automatische Übersetzung von FORTRAN nach C";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1989.

27.  Fasching, F.:
"F2C - Ein Übersetzer von FORTRAN nach C";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1989.

26.  Langer, E.:
"Fundamentals about Surface Acoustic Wave Propagation";
Vortrag: Symposium on Coupled Fields - Theory and Applications, Zakopane (eingeladen); 07.11.1989 - 10.11.1989.

25.  Trattnig, G.:
"Genauere Bestimmung der Tensordaten piezoelektrischer Materialien";
Betreuer/in(nen): G. Kovacs, E. Langer, S. Selberherr; Institut für Mikroelektronik, 1989.

24.  Fischer, C.:
"Gittererzeugung in der zweidimensionalen Halbleiter-Bauelemente-Simulation";
Betreuer/in(nen): G. Nanz, P. Dickinger, H. Kosina, S. Selberherr; Institut für Mikroelektronik, 1989.

23.  Stiftinger, M.:
"Lösungsverfahren für die diskretisierte Kontinuitätsgleichung";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, O. Heinreichsberger, H. Kosina; Institut für Mikroelektronik, 1989.

22.  Verhas, P.:
"Simulation of Non Zero Oxide Mobility in MOS Transistors";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr; TU Budapest und Institut für Mikroelektronik, 1989.

21.  Halama, S.:
"Untersuchung der thermischen Oxidation von Silicium mit Hilfe molekulardynamischer Simulationsmethoden";
Betreuer/in(nen): G. Hobler, S. Selberherr; Institut für Mikroelektronik, 1989.

20.  Nanz, G.:
"Zweidimensionale Simulation allg. Halbleiterbauelemente";
Vortrag: 2nd Workshop Device Simulation, Gesellschaft für Mathematik und Datenverarbeitung, St. Augustin; 15.11.1989 - 16.11.1989.

19.  Selberherr, S.:
"Process Modeling";
Vortrag: Microcircuit Engineering Conference, Wien (eingeladen); 20.09.1988 - 22.09.1988.

18.  Slama, K.:
"Simulation der Ionenimplantation von Bor in Siliziumeinkristallen bei niedrigen Energien";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, G. Hobler; Institut für Mikroelektronik, 1988.

17.  Lindorfer, P.:
"JANICS - ein Programm zur Übersetzung von Schaltungsbeschreibungen für die computerunterstützte Netzwerkanalyse";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, J. Demel; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987.

16.  Wimmer, K.:
"Numerische Berechnung der Schwellspannung in MOS-Strukturen";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, E. Langer; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987.

15.  Dickinger, P.:
"Zweidimensionale Halbleiterbauelementsimulation mit Hilfe des transienten, zweidimensionalen Bauteilesimulationsprogramms BAMBI";
Betreuer/in(nen): W. Kausel, G. Nanz, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1987.

14.  Gluderer, R.:
"Berechnung von Elektronenbahnen und Raumladung";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, A. Schuler; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1986.

13.  Hobler, G.:
"Monte-Carlo Simulation der Ionenimplantation";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, E. Langer; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1985.

12.  Sasshofer, H.:
"Hierarchische Modellierung von Bipolartransistoren";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1984.

11.  Madlmayer, A.:
"Messungen an MOS-Transistoren im Bereich des Lawinendurchbruchs";
Betreuer/in(nen): A. Schütz, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1984.

10.  Agler, W.:
"Die numerische Lösung der transienten Halbleitergleichungen";
Betreuer/in(nen): P. Markowich, S. Selberherr; Institut für Numerische und Angewandte Mathematik, 1983.

9.  Jüngling, W.:
"Hochdotierungseffekte in Silizium";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1983.

8.  Männer, O.:
"Macromodellierung von CMOS-Logikbausteinen";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1983.

7.  Pichler, P.:
"Simulation von Operationsverstärkern";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1982.

6.  Straker, F.:
"Teilschaltungsbibliothek JANLIB für die computerunterstützte Netzwerkanalyse";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1982.

5.  Barger, W.:
"Die Fahrdynamik des LKW-Tankzuges bei periodischer Erregung unter variierten Beladungs- und Fahrbahnverhältnissen";
Betreuer/in(nen): A. Slibar, G. Weiß, S. Selberherr; Institut für Maschinendynamik und Meßtechnik, 1981.

4.  Franz, G.:
"Zweidimensionale Simulation der MOS-Kapazität";
Betreuer/in(nen): A. Schütz, S. Selberherr; Institut für Allgemeine Elektrotechnik und Elektronik, 1981.

3.  Langer, E.:
"Numerische Simulation der Halbleiterdiode";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr; Institut für Physikalische Elektronik, 1980.

2.  Rokus, A.:
"Zur numerischen Lösung pentadiagonaler Gleichungssysteme hohen Ranges";
Betreuer/in(nen): S. Selberherr, A. Schütz; Institut für Numerische Mathematik, 1980.

1.  Selberherr, S.:
"Erstellung eines Plottersoftwarepaketes";
Betreuer/in(nen): F. Pacha; Institut für Allgemeine Elektrotechnik, 1976.